• 폴리머
• /
• 제35권1호
• /
• pp.17-22
• /
• 2011

본 연구에서는 폴리프로팔렌(PP)/다중벽 탄소나노튜브(MWCNT) 복합체를 이축압출기를 사용하여 펠렛형 MWCNT를 20wt%까지 함량별로 제조하고, MWCNT가 20 wt% 첨가된 복합체를 마스터배치(M/B)로 사용하여 다시 PP와 컴파운딩하여 희석하였다. PP/MWCNT 복합체는 함량 변화에 따라 전기전도도 열전도도, 모폴로지, 열적, 고체 점탄성, 기계적 성질을 조사하였고, 또한 희석된 PP/MWCNT 복합체와 1 단계 PP/MWCNT 복합체 간의 물성을 비교하였다. 전기전도도와 열전도도는 MWCNT의 함량이 3 wt% 일 때 percolation threshold 현상을 보였고 M/B로 제조된 복합체가 더 우수한 전도도를 보였다. 복합체의 MWCNT 함량이 증가하면 비등온 결정화 온도 및 열분해 온도가 증가하였다. 모폴로지를 통하여 M/B로 제조된 복합체의 MWCNT 길이가 짧아진 것을 확인하였고, 이는 기계적 물성의 향상에 도움을 준 것으로 나타났다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제12권6호
• /
• pp.288-291
• /
• 2002

We developed a new RF indirect-heating LPE furnace. The thermal gradient of our newly developed furnace is less than that of direct heating, and is as gentle as that of the resistance-heating LPE furnace. With this new furnace, the heating and/or cooling is faster than that of the resistance-heating furnace. Impurity-doped YIG film was grown from a $PbO-B_{2}O_{3}$, based flux on a (111) GGG substrate. To study the effect of the impurities on the MSSW threshold power and the saturation response time, we used two microstrip lines to excite and propagate the MSSW at 1.9 GHz. The MSSW threshold power and saturation response time was found to be related to the $\Delta$H.

• ETRI Journal
• /
• 제28권5호
• /
• pp.555-560
• /
• 2006

A PIN photodiode having a low dark current of 1.35 nA and a high external quantum efficiency of 95.3% fabricated for a passive optical network receiver. As the current was increased under a high voltage of 38 V and a temperature of $190^{\circ}C$, it was observed that there is a threshold current at 11 mA which induces a junction failure. Experimental data suggest that the junction failure occurs due to the crystal breaking at the end facet as a result of thermal heat or energetic carriers. This threshold behavior of junction failure is a valuable observation for the safe treatment of photodiodes. As long as the current is limited below the threshold currents, we have not observed failure events of our photodiodes.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
• /
• pp.498-501
• /
• 2004

In this study, the threshold voltage and the response time of thermal stressed TN-LCDs showed the same performances on no thermal stressed TN-LCDs. There was little change of value in TN cells. Also, the transmittances of TN-LCDs on the rubbed PI surface were almost same while increasing thermal stress time. However, the thermal stability of TN cell was decreased by the high thermal stress for the long duration. Residual DC was decreased as the thermal stress increases. Especially, when TN cell was stressed more and more by heating, residual DC was changed a lot. As a result, the residual DC property of LCD in projection TV is affected very much by heating.

• 한국안전학회지
• /
• 제18권4호
• /
• pp.57-63
• /
• 2003

Thermal degradation of Acrylonitrile butadiene rubber(NBR), which is used for O-ring material as elastomeric sealed diaphragm value in the nuclear power plants, is examined. The thermal degradation is accelerated at 130$^{\circ}C$ by Arrhenius exploit method using the activation energy calculated by thermogravimetric analysis. The weight loss temperature and glass transition temperature are verified for thermally aged NBR. The relationship between dynamic mechanical properties and elongation at break are also investigated. The threshold alue of thermally aged NBR is a ten year in the change of elongation at break.

• 폴리머
• /
• 제31권2호
• /
• pp.117-122
• /
• 2007

본 연구에서는 제자리 중합에 의해 합성된 기상성장 탄소나노섬유/폴리이미드(VGCNFs/PI) 복합재료 필름의 기계적, 전기적 특성과 열안정성을 만능재료 시험기와 체적저항기, 열중량분석기를 통해 관찰하였다. 그 결과, VGCNFs 일정량 첨가되었을 때 복합재료 필름의 인장강도가 증가한 것을 관찰할 수 있었다. VGCNFs/PI 복합재료 필름의 체적저항 값은 VGCNFs 첨가량이 증가할수록 감소하였으며, 전기적 percolation threshold는 VGCNFs 함량 1과 3 wt% 형성되었는데, 이는 복합재료 내부에서 VGCNFs 상호간 네트워크의 형성으로 인하여 전기적 경로가 만들어졌기 때문이라 판단된다. VGCNFs가 PI 복합재료 필름의 열안정성은 순수한 이미드 필름보다 VGCNFs가 첨가됨에 따라 향상되었으며, 이는 충전제로 사용한 VGCNFs가 PI 수지에 잘 분간됨에 따라 복합재료의 가교화에 영향을 주어 VGCNFs/PI 복합재료 필름의 열안정성이 향상된 것으로 판단된다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 1997년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.887-890
• /
• 1997

Recently micromachining using DPSSL(Diode Pumped Solid State Laser) with 3rd harmonic wavelength is actively studied in laser machining area. Micromachining using DPSSL have outstanding advantages as UV source comparing with excimer laser in various aspect such a maintenance cost, maskless machining, high repetition rate and so on. In this study micro-drilling of PCB type substrate which consists of Cu-PI-Cu layer was performed using DPSS Nd:YAG laser(355nm, wavelength) in vector scanning method. Experimental and numerical method(Matlab simulation, FEM) are used to optimize process parameter and control machining depth. The man mechanism of this process is laser ablation. It is known that there is large gap between energy threshold of copper and that of PI. Matlab simulation considering energy threshold of material is performed to effect of duplication of pulse and FEM thermal analysis is used to predict the ablation depth of copper. This study could be widely used in various laser micromachining including via hole microdrilling of PCB, and micromachining of semiconductor components, medical parts and printer nozzle and so on.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제39권4호
• /
• pp.313-326
• /
• 2007

In this paper, an algorithm to reconstruct two orthogonal images into a three-dimensional image is developed in order to measure the bubble size and volume in a two-phase boiling flow. The central-active contour model originally proposed by P. $Szczypi\'{n}ski$ and P. Strumillo is modified to reduce the dependence on the initial reference point and to increase the contour stability. The modified model is then applied to the algorithm to extract the object boundary. This improved central contour model could be applied to obscure objects using a variable threshold value. The extracted boundaries from each image are merged into a three-dimensional image through the developed algorithm. It is shown that the object reconstructed using the developed algorithm is very similar or identical to the real object. Various values such as volume and surface area are calculated for the reconstructed images and the developed algorithm is qualitatively verified using real images from rubber clay experiments and quantitatively verified by simulation using imaginary images. Finally, the developed algorithm is applied to measure the size and volume of vapor bubbles condensing in a subcooled boiling flow.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권10호
• /
• pp.2509-2515
• /
• 2014

본 논문에서는, 초고집적 CMOS를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조에서 내부 임계전압과 활성 영역의 스트레스 영향을 개선시키고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이며, 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포와 게이트 바이어스 대 에너지 밴드 형태, 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계를 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 스트레스 인가이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이며, 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 제작한 소자의 결과 분석도 시뮬레이션 결과 데이터와 거의 동일하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제24권3호
• /
• pp.47-52
• /
• 2017

본 연구에서는 멀티 레벨 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 포화영역에서 트랩된 전하 손실 효과에 의한 데이터 보유 특성에 대한 연구를 진행하였다. Incremental Step Pulse Programming(ISPP) 방식에 의한 전압 인가 시 셀의 문턱 전압은 선형적으로 증가하다 일정 수준 이상의 전압에 도달하면 더 이상 증가 하지 않는 현상을 문턱 전압 포화 현상이라고 한다. 이는 프로그램 시 플로팅 게이트에 축적된 전하가 Inter-Poly Dielectric(IPD) 층을 통해 컨트롤 게이트로 빠져 나가는 것에 원인이 있다. 본 연구는 열적 스트레스에 의한 문턱 전압의 보유 특성이 선형 영역에서보다 포화 영역에서 심각하게 저하되는 현상의 원인규명에 대한 연구이다. 이를 평가하기 위해 프로그램 후 데이터 보유(data retention) 특성 평가 및 반복 읽기 측정을 진행하였다. 또한 여러 가지 측정 패턴을 이용한 측정 조건 분리 실험을 통해 검증하였다. 그 결과 포화 영역에서의 문턱 전압 저하 특성의 원인은 포화 시 가해진 높은 전압에 의해 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의 인터 폴리 절연막 IPD 층의 질화막에 트랩된 전자의 손실 효과인 것으로 나타났다. IPD 층의 질화막에 전하 트랩 현상이 발생하고 열적 스트레스가 가해진 후 트랩된 전하가 다시 빠져 나오면서 문턱 전압의 저하가 발생하고 이는 소자의 신뢰성에 나쁜 영향을 미친다. 낸드 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 포화 영역 문턱 전압을 증가시키기 위해서는 질화막에 트랩된 전하의 손실을 고려하여 플로팅 게이트의 전하저장 능력을 향상시켜야 하며 IPD 막에 대한 주의 깊은 설계가 필요하다.