• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.156-163
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• 1994

A new circuit simulator for submicron MOS desings was developed by enhancing SPICE3. The minimum conductance stepping, source stepping and pseudo transient methods are applied to improve the convergence. and SECSPICE uses the variation rate of the node volgage in the timestep algorithm. The modified BSIM model was implemented in SECSPICE for submicron MOS designs. And it gives the powerful user environments such as graphic user environments. As the results of test using real measured device data and circuits used in real production desing, we found it gave more accurage results than BSIM and the execution speed was 1.5~2.8 times faster than SPICE3.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권7호
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• pp.45-55
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• 1997

Electircal characteristics of HgCdTe photodiodes with a heterostructure to achieve high performance are analyzed numerically. A two-dimensional device simulator which can handle a HgCdTe heterostructure, was developed for this work. The effects of band nonparabolicity, carrier degeneracy, and band-offset of heterointerace are included in a carrier transport model. A unified generation-recombination model includes simultaneously phonon-assisted tunneling and pure tunneling of carriers via traps is newly employed for describing the electric field and temperature dependency of dark current effectively. Furthermore, to accurately predict the effect mole fraction variations on genration rates, ray-trace algorithm is incorporated in the our simulator. Under the various circumstances such as dark, illumination, and surface states, electrical properties of planar heterostructure photodiode are presented and those of homojunction are compared. These results serve as a explanation of cap layer's role on performance.

• 전자공학회논문지S
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• 제34S권9호
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• pp.118-125
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• 1997

This paper proposed a new partial resonant 3.PHI. AC-DC boost converter of high efficiency using lossless snubber. The proposed converter, DCM (Discontinuous Current Mode) has a merit of simple controlled circuit because the input current control discontinuously. But turned off switching loss and stress of the switching device increase when the switch turned off at the peak of current. Therefore, the paper improves efficiency by adopting the PRS$^{2}$(Partial Resonant Soft Switching) in 3.PHI. AC-DC boost converter and makes the unity power factor. The PRS$^{2}$ is reduced a current/voltage stresses of switching devices. Also, a DCMPRS$^{2}$M(Discontinuous Conduction Mode Partial Resonant Soft Switching Method) appear the current and voltage equation of this circuit. The paepr examine in a 3.PHI. AC-DC boost converter and show the result of that.

• 대한전자공학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.86-92
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• 1980

다단스위칭 회로를 구성하고 있는 트랜지스터의 스위칭 동작을 베이스전압과 단위 스텝 응답함수의 특성을 고려하여 해석 하였으며 트랜지스터의 축적시간을 고려하면 트랜지스터를 시간지연소자로 간주할 수 있다고 보고 이를 이용하여 IC화 할 수 있는 시간지연 회로 및 발진회로를 제시하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.23-33
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• 1974

이 논문은 종래의 자자 Display에서 문자의 종류가 많으면, 입력부분이 방대해지고, character generator가 극히 복잡해지는 두가지 문제점을 동시에 해결을 주는 새로운 방식을 제안하였다. 이 방식은 동일한 기량요소가 조합되는 이자에 따라 크기와 위치문희이 자동적으로 가변되어 조합되어 나오는 것으로서, 입력기본요소의 특징 code의 추출로써 조합되는 문우의 form을 예측하고, 그들 form 특징으로써, 기본요소를 control한다. 그 결과, 24기본요소로서 14,364우가 발생되며, 장치가 극히 간단하고, 조합문자의 품질이 양호하다. 이 장처는 종래의 방법으로 했을때와 비교하면 장치가 약 500분 지 1로 적어진다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.25-31
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• 1984

본 논문에서는 시간제한신호에 있어서 종래의 반복외삽법의 전 과정을 단일한 연산으로 나타낼 수 있는 외삽행렬을 이용한 신호재생방법에 관한 알고리즘을 고안하고 또한 컴퓨터를 이용한 모의실험을 통하여 제안된 알고리즘을 초음파 진단장치에 적용, 정확성과 고속적인 측면에서 그 효용성을 입증하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.7-12
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• 1984

본 논문에서는 저잡음 BJT를 만들기 위하여 HCI gettering oxidation 방법을 적용하였다. HCI 양의 변화에 따른 플리키 잡음 spectral intensity의 변화를 측정한 결과 BJT의 플리키 잡음이 표면 상태에 의존하고 있음과 저잡음 BJT를 만들기 위한 oxidation 공정의 gettering 조건은 HCI 양이 2%일 때 최적임을 알 수 있었다. 또 에미터 광산 공정에서 형성된 PSG층의 gettering 효과는 HCI gettering 결과에 비해 미약함도 알게 되었다.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
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• 한국IT서비스학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.506-506
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• 2007

유비쿼터스 환경 하에서 새로운 첨단 핵심기술 및 서비스가 하나의 제품 안에 집중되어가는 시대적 요구가 대두되고 있다. 이에 부응하여 탄생한 컨버전스 제품인 텔레매틱스의 전망 역시 두드러지고 있다. 본 연구는 Davis[14]가 제안한 기술수용모델(Technology Acceptance Model:TAM)을 통하여 텔레매틱스 사용의도에 관한 수용모형을 제시하였다. 기술수용모델의 내부 요인인 사용의도, 인지된 유용성과 인지된 이용용이성 외에도 업체 신뢰도, 정황 인식성, 자기 효능감의 외부 요인으로 확장하여 요인 간의 구조적 관계를 위한 모형을 개발하였다. 실증분석을 한 결과 정황 인식성, 자기 효능감이 각각 인지된 유용성과 이용용이성에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이러한 결과를 토대로 텔레매틱스의 이용자에게 중요시 되는 특성에 대해 논의하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권2호
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• pp.120-129
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• 1995

A new nethod, namely multi-gain-levering, is proposed to improve FM response of the single frequency semiconductor lasers and applied to 1.55$\mu\textrm{m}$ InGaAsP/InP MGL(multi-gain-levered)-MQW-DFB-LD. This device consists of three sections with different bandgap energy and can be easily realized by selective MOVPE growth. Our analysis based on Green function showed that a flat, red-shifted, high FM efficiency of aove 15GHz/mA can be extected by novel gain-levering scheme.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권1호
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• pp.74-80
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• 1990

The transconductance of short channel LDD MOSFETs in the saturation region (high Vd)has shown different characteristics from that of conventional device. The transconductance in saturation regime of short channel LDD MOSFETs is reduced from maximum value at higher gate voltage. This decline is analyzed as the velocity saturation effects of carrier at LDD region but accurate analytical expressions for the drain current Idsat and the transconductance Gmsat in the saturation regime are still not in existence. Recently the drain current dependence of parasitic source resistance Rs has been modeled from the velocity saturation of carriers in LDD region. In this study, we approximate that Rmsat that Rs is linearly dependent on the applied gate voltage. Analytical expressions for Idsat and Gmsat obtained from this approximation show the same general behavior as experimental results of short channel LDD NMOSFETs.