Science and Technology Park (STP) is perceived to be a vehicle in promoting innovation-based economic growth within the framework of regional and national innovation systems. STP is a tool to encourage regional innovation and competitiveness in increasing contribution of science and technology in economic development. STP can also be a leading sector in creating conducive environment for local community's technopreneurship. In relation to the vision outlined in the 2025 Indonesian Master Plan of Acceleration and Expansion of Indonesia's Economic (MP3EI), STP is stated to be an important element in creating innovation within the framework of Special Economic Zone among six Economic Corridors. Hence, the government of Indonesia continues to encourage the development of STPs in Indonesia by involving local governments, universities, business players and stakeholders surround the area. Ultimately, STP is a platform in developing National Innovation System (NIS) and Regional Innovation System (RIS).
131I is a fission product produced in a nuclear reactor by irradiating tellurium dioxide, with a half-life of 8.02 day. The most important and widely used method for making 131I is irradiation using a nuclear reactor and post-irradiation followed by dry distillation. The advantage of the dry distillation process is that the process and the equipment are relatively simple, namely TeO2 (m.p. 750 ℃), which can withstand heating during reactor irradiation. Based on TeO2 irradiation by neutron following the technique of dry distillation was explained for production of 131I on a large scale. A dry distillation followed the radioisotope production operation using the 30 MW GA Siwabessy nuclear reactor to meet national demand. TeO2 targets are 25 and 50 g irradiated for 87-100 h. The resulting 131I activity is 20.29339-368.50335GBq. According to the requirements imposed on the radionuclide purity of the preparation, the contribution of 131I training in the resulting preparation was not less than 99.9 %
W. Y. Uhm;T. S. Kang;D. An;Lee, B. H.;Y. S. Chae;Park, H. M.;J. K. Rhee
Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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2002.11a
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pp.69-73
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2002
We have designed and fabricated a low-cost, V-band CPW receiver chip set using GaAs PHEMT technology for the application of millimeter-wave wireless communication systems. Low noise amplifiers and down-converters were developed for this chip set. The fabricated low noise amplifier showed an S$\sub$21/ gain of 14.9 ㏈ at 60 ㎓ and a noise figure of 4.1 ㏈ at 52 ㎓. The down-converter exhibited a high conversion gain of 2 ㏈ at the low LO Power of 0 ㏈m. This work demonstrates that the GaAs PHEMT technology is a viable low-cost solution for V-band applications.
본 논문은 밀리미터파 대역 무선통신 시스템 송신부의 응용을 위해 CPW 구조를 이용하여 V-band용 상향 주파수 혼합기와 2단 구동증폭기를 설계$\cdot$제작하였다. 능동소자는 본 연구실에서 제작한 $0.1{\mu}m$ 게이트 GaAs Pseudomorphic HEMTs(PHEMTs)를 사용하였으며 입$\cdot$출력단은 CPW를 사용해 정합 회로를 설계하였다. 제작된 상향 주파수 혼합기는 LO power 5.4 dBm, 2.4 GHz IF 신호를 -10.25 dBm으로 입력하였을 때 Conversion Loss 1.25 dB, LO-to-RF Isolation은 58 GHz에서 13.2 dB의 특성을 나타내었다 2단 구동 증폭기는 측정결과 60 GHz에서 S21 이득 13 dB, $58\;GHz\;\~\;64\;GHz$ 대역에서 S21 이득 12 dB 이상을 유지하는 광대역 특성을 얻었고 증폭기의 Pl dB는 3.8 dBm, 최대 출력전력은 6.5 dBm의 특성을 얻었다.
In this paper, high LO-RF isolation 94 GHz MMIC single-balanced mixer was designed and fabricated using a branch line coupler and a ${\lambda}/4$ transmission line. The 94 GHz MMIC single-balanced mixer was designed using the 0.1 ${\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT(MHEMT) diode. The fabricated MHEMT was obtained the cut-off frequency($f_T$) of 189 GHz and the maximum oscillation frequency($f_{max}$) of 334 GHz. The designed MMIC single-balanced mixer was fabricated using 0.1 ${\mu}m$ MHEMT MMIC process. From the measurement, the conversion loss of the single-balanced mixer was 23.1 dB at an LO power of 10 dBm. The LO-RF isolations of single-balanced mixer was obtained 45.5 dB at 94.19 GHz. We obtained in this study a higher LO-RF isolation compared to some other balanced mixers in millimeter-wave frequencies.
Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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2006.11a
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pp.15-41
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2006
The increasing popularity of the concept of technology innovation has been driven by greater international competition in a rapidly globalizing economy. Both countries and enterprises are placing more and more emphasis on it in order to gain competitive advantages. This article gives a general introduction about the research and application of technology innovation in China. At the national level, one obvious fact is that the total R&D expenditure increased rapidly during the year 2001 to year 2005 and reached Y 245 billions, and China made 2,452 international patent applications in 2005 and became the world's 10th largest user of the Patent Cooperation Treaty. At the industry and enterprise level, much progress has also been made in China. This article uses the high-tech industry as an example to introduce the industry and enterprise technology innovation respectively. Corresponding to the practice, scholars also did a great amount of research work related to technology innovation. This article sums up all the work done from the macroscopic aspect (such as national technology innovation strategy, regional innovation system, industry technology innovation) and microcosmic aspect (such as enterprise technology innovation strategy, patterns and evaluation standards). Based on the analysis, this article discusses the limitation of current work and research trend about the technology innovation.
The MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) self oscillating double conversion mixer was designed and fabricated for the V-band transmitter applications. The MMIC self oscillating double conversion mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology. The first self oscillating mixer use PHEMT technology. The first self oscillating mixer use PHEMT for $f_{LO}$ signal generation and $f_{IF}$ signal is applied at gate port and $f_{RF1}$ signal is generated at a drain port of first stage. The second gate mixer use PHEMT for $f_{LO}$ signal and $f_{RF1}$ signal is applied at gate port and $f_{RF2}$ signal is output at a drain port of second stage.
Lee Kyong-Jae;Hwang Doo-Hee;Jung Dong-Duk;Lee Sung-Woo;Cho Sung-Bok
Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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2005.10a
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pp.228-248
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2005
This paper suggests the concept of the innovation management. Above all it is important to make excellent application of the management for the S&T Research Council and Government Sponsored Research Institutes. This paper will discuss three critical issues that is, the first, what makes clear a point of different strategy for the organizational and the technological innovation focused organization. Second, how makes containing the environmental factors and the target of the innovation into the innovation management strategy. Third, how achieves the performance through the managing innovation. We present a modified BSC strategy in order to manage innovation and to set up a platform for sustaining to deal with the innovation.
This paper is to analyze the current status and interdependence of knowledge regarding innovation related research in Korea, based on the four academic journals such as Journal of Korea Technology Innovation Society, Journal of Technology Innovation, The Korean Venture Management Review, and Research Policy. The major contributions of this research are as follows: First, we tried to see the general picture of the innovation research community by extending the boundary of analysis, not limiting to a specific journal. Second, instead of subjective and qualitative analysis relying on an expert review, we quantitatively analyzed various basic statistics on innovation area and confirmed that there exist differences for using key words across the journals. Third, we derived a set of influential papers in terms of the authoritative and hub indexes employing link analysis techniques. Finally we provided some recommendations for facilitating knowledge creation activities of academic journals in this area.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.41
no.4
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pp.45-50
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2004
In this paper, we present the low voltage and high efficiency Q-band MIMIC oscillator using device-level power combined structure. The oscillator was successfully integrated by using 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$ GaAs PHEMTS and the CPW transmission line. We show that the highest efficiency is 19 % with an output power of 2.6 ㏈m at a frequency of 34.56 ㎓. The operating voltage of the oscillator is 2.2 V which is lower voltage than that of previously reported oscillators at Q-band. And the maximum output power of 6.7 ㏈m was obtained at a frequency of 34.56 ㎓.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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