Electrical Properities of MOCVD-$TaO_X$ $N_y$ as a storage capacitor material for next generation devices
(MOCVD법으로 증착한 $TaO_X$ $N_y$ 의 전기적 성질에 대한 연구)
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- Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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- 1999.11a
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- pp.82-82
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- 1999