• 센서학회지
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• 제30권5호
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• pp.279-285
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• 2021

Recently, cesium tellurium iodine (Cs₂TeI₆) has emerged as an inorganic halide perovskite material with potential application in optoelectronic devices due to its high absorption coefficient, suitable bandgap and because it consists of nontoxic and earth-abundant elements. However, studies on its fabrication process as well as photoresponse characteristics are limited. In this study, a simple and effective method is introduced for the synthesis of Cs₂TeI₆ thin films by a two-step dry process. A Cs₂TeI₆-based lateral photosensor was fabricated, and its photoresponse characteristics were explored under laser illuminations of four different wavelengths in the visible range: 405, 450, 520, and 655 nm. The initial photosensing results suggest potential application and can lead to more promising studies of Cs₂TeI₆ film in optoelectronics.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권1호
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• pp.6-13
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• 2001

수직 Bridgman 방법으로 $Mg_xZn_{1-x}Te(0{\le}X{\le}0.48)$ 단결정을 성장하였다. 성장된 단결정의 결정구조는 X = 0~ 0.48 범위내에서는 zincblende 이었고, 성분이 증가함에 따라 격자 상수 값이 6.103$\AA$(X = 0.0)으로부터 6.239$\AA$(X = 0.48)까지 a(X)=6.103 + (0.33)X 를 만족하며 선형적으로 증가하였으며, 외사법에 의해 얻어진 zincblende MgTe의 격자상수는 6.433$\pm$0.002$\AA$로 주어졌다. 광전류 스펙트럼 측정 결과 $Mg_xZn_{1-x}Te$(X=0) 단결정의 에너지 띠 간격은 4.2K와 294K에서 각각 2.380 eV와 2.260eV 이었다. X 값에 따른 광전류 스펙트럼은 성분이 증가함에 따라 피크가 단파장 쪽으로 이동하였으며, X 값에 따른 에너지 띠 간격의 변화는 $E_g$(X)=b+(0.8)X를 만족하는 선형적인 변화를 보였다. 외사법으로부터 구한 zincblende MgTe의 에너지 띠 간격은 4.2K와 297K에서 각각 3.18ev와 3.06eV로 주어졌다. 또한 광전류 peak는 온도가 상승함에 따라 장파장 쪽으로 이동하였으며, 100K 이상의 온도에서 온도계수 $dE_g$/dT=-(5.6~$6.1){\times}10^{-4}$eV/K 이었다.

• 생물환경조절학회지
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• 제32권3호
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• pp.242-248
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• 2023

본 연구는 퍼레니얼 라이그래스에서 생장조정제 trienexapacethyl과 prohexadione-calcium을 처리하였을 때 생육 시기별 잔디 품질과 생육 억제 효과를 조사하였다. 처리구는 대조구(Control), TE 처리구(0.01 a.i. g·m^-2·100mL^-1) 및 PC 처리구(0.01 a.i. g·m^-2·100mL^-1)으로 설정하였다. 생장조정제 처리 후 퍼레니얼 라이그래스의 엽색 지수 및 엽록소 함량은 대조구와 통계적으로 유의적인 차이를 나타내지 않았다. TE와 PC처리구에서 잔디의 초장은 각각 8.9-12.4%와 6.7-13.6%씩 감소하였고, 잔디 예지물량은 44.4-45.8%와 40.6-40.9%씩 감소하였다. 생장조정제 처리 후 경과 일수와 초장의 변화를 이용하여 약효 지속 기간을 조사하였을 때, TE와PC처리구는 1차 조사(7월 29일-8월 26일)에서 각각 43.6일과 37.9일, 2차 조사(9월 30일-10월 28일)에서는 38.3일과 39.5일이었다. 상기 결과들을 종합할 때, TE와 PC의 처리는 퍼레니얼 라이그래스의 초장 및 생육을 억제하였고, 약효 지속 기간은 약 40 ±3일 정도를 나타냈다. 또한 생장조정제 처리시 계절별 잔디 생육과 품질에 영향을 미치지 않았으며, 약해는 발생하지 않았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.114-115
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• 2007

In this study, low temperature sintering property of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramics with sintering adds were investigated for LTCC application which enable to cofiring with Ag electrode. $TiTe_3O_8$ mixed with $MgTiO_3$ to improve the temperature property. In the X-ray diffraction patterns, the columbite structure of $TiTe_3O_3$ phase and ilmenite structure of $MgTiO_3$ phase were coexisted in all specimens. In the case of $H_3BO_3$ addition, the bulk density and dielectric constant were decreased but quality factor was increased with amount of $H_3BO_3$ additions. The TCRF of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3+xwt%H_3BO_3$ ceramics were moved to positive direction. In another case, SnO addition, the bulk density and dielectric constant were increased but Quality factor was decreased with amount of SnO additions. The TCRF of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$+ywt%SnO ceramics were shifted to negative direction. The dielectric constant, quality factor and TCRF of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramics with $2wt%H_3BO_3$ and 2.5wt%SnO sintered at $830^{\circ}C$ for 1h, were 28.5, 39,570GHz, $+9.34ppm/^{\circ}C$ and 29.86, 35,80000z, $-0.58ppm/^{\circ}C$, respectively.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.440-448
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• 2004

본 논문에서는 II-Vl족의 ZnTe 화합물반도체 태양전지를 제작하기 위하여 투명전극(AZO) 및 Buffer layer(ZnO)의 특성과 태양전지의 효율에 가장 큰 영향을 미치는 광흡수층의 에너지밴드갭을 줄이는 연구를 하였다. ZnTe박막은 Zn(Zinc)과 Te(Tellurium)를 co-sputtering법을 이용하여 증착하였다. ZnTe 박막은 Zn과 Te의 RF power를 각각 50W, 30W로 하여 10mTorr의 Ae 분위기에서 20$0^{\circ}C$의 기판온도로 제작되었으며, 이때의 에너지밴드갭은 1.73eV였다. 이렇게 제작된 박막을 진공상태에서 $400^{\circ}C$의 온도로 10초간 열처리하여 1.67eV의 에너지밴드갭을 얻을 수 있었고, 이때의 Zn과 Te의 비율은 32%:68%였다. 최적의 조건에서 태양전지는 6.85% (Voc:0.69V, Jsc:21.408㎃/$cm^2$, Fill Factor (FF):0.46)의 효율을 얻을 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.298-299
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• 2012

현재 반도체 나노구조는 단전자 트랜지스터, 레이저, LED, 적외선 검출기 등과 같은 고효율 광전자 소자에서의 응용을 위해 활발한 연구가 진행 되고 있다. 이러한 응용 분야를 위한 다양한 종류의 나노구조 성장이 광범위하게 시도 되고 있지만 주로 III-V 족 화합물 반도체에 대한 연구가 주를 이룬 반면 II-VI 족 화합물 반도체에 대한 연구는 아직 미흡하다. 하지만 II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 CdTe 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 본 연구에서는 분자 선속 에피 성장법(molecular beam epitaxy; MBE)과 원자 층 교대 성장법(atomic layer epitaxy; ALE)으로 CdTe 두께에 따른CdTe/ZnTe 나노구조의 광학적 특성을 연구하였다. 광루미네센스(photoluminescence; PL)를 통해 CdTe/ZnTe 나노구조에서 CdTe 두께에 따른 에너지 밴드와 열적 활성화 에너지를 관찰하였다. 또한 시분해 광루미네센스(Time-resolved PL)를 통해 CdTe 두께에 따른 CdTe/ZnTe 나노구조의 운반자 동역학을 조사하였다. 저온 광루미네센스 측정 결과 CdTe 두께가 증가할수록 각 샘플의 피크는 더 낮은 에너지 영역대로 이동하는 것을 관찰할 수 있다. 1.2 에서 2.0 ML로 증가할 때 광 루미네센스의 작은 적색편이를 관찰할 수 있는데, 이는 CdTe 양자우물에서 양자점으로의 구조적인 전이가 일어남에 따라 구속효과가 증가하였기 때문이다. 또한 2.0 에서 3.6 ML까지 CdTe 두께가 증가할 때 측정된 적색편이 현상은 양자점의 사이즈 증가함에 따른 것이다. 마지막으로 3.6 에서 4.4 ML로 CdTe 두께가 증가할 때 큰 적색편이 현상을 볼 수 있는데 이는 CdTe 양자점에서 양자세선으로의 구조적 전이에 따라 구속효과가 증가하였기 때문이다. 온도 의존 광루미네센스(Temperature-dependent PL) 측정 결과 1.2 와 3.0 ML 두께의 CdTe/ZnTe 나노구조에서 구속된 전자의 열적 활성화 에너지가 18 과 35 meV로 관찰되었다. 3.0 ML CdTe/ZnTe 나노구조에서 가장 큰 열적 활성화 에너지를 갖는 것은 양자점의 균일도가 좋아지고 저차원 나노구조로의 구조적 전이가 일어나면서 운반자 구속효과에 다른 쿨롱 상호작용이 증가하였기 때문이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.297.1-297.1
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• 2014

칼코겐화합물은 주기율표 6족에서 산소를 제외한 칼코겐 원소가 하나 이상 포함되는 화합물 반도체 소재로 상변화 및 광전변환 특성을 가지고 있다. 이와 같은 칼코겐화합물의 장점을 이용하여 집적회로의 로직 블록 간의 신호 전달을 제어하는 프로그래머블 스위치를 구현 할 수 있다. 본 연구에서는 프로그래머블 스위치에 적용 가능한 칼코겐화합물로 널리 알려진 GeSbTe 및 GeTe 박막의 도핑에 따른 전기적, 구조적 특성 변화를 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 doped GST 및 doped GeTe 박막을 증착하고 도핑에 따른 전기적, 구조적 특성을 관찰하였다. GST 박막의 경우 도핑에 의해 면저항 값이 증가하고 결정화 온도가 상승하는 것을 확인하였다. 반면 GeTe 박막에서는 도핑에 의해 면저항 값이 감소하고 결정화 온도가 낮아지는 것을 확인하였다. 이러한 결과로부터 GeSbTe 및 GeTe 박막의 전기적 특성은 도핑에 따라 변화하며, 도핑 조건을 적절히 조절함으로써 프로그래머블 스위치에 적용 가능한 칼코겐화합물의 확보가 가능하다는 결론을 내릴 수 있다.

• 한국분말재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.6-11
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• 2000

Two kinds of Bi2Te3 powders, pure Bi2Te3/2vol.%ZrO2, have been prepared by a mechanical grinding process process. Effect of mixing of the powders on thermoelectric of the sintered body has been investigated by measuring Seebeck Coeffcient, specific electric resistivity and thermal conductivity. With an increase in the weight fraction of the Bi2Te3/2vol.%ZrO2 powder from 0 to 40wt.%. Especially, the figure of merit of the mixedBi2Te3 sintered body increases and thereafter dedreases above 40wt.%. Especially. the figure of merit of the mixed Bi2Te3 sintered bodies with mixing of Bi2Te3/2vol.%ZrO2 powder increased about 1.3time in comparison with the value of the specimen before mixing. Mixing of two kinds of Bi2Te3 powders which have different theramal and electric propertries with each other seemed to be useful methob to increase the figure of merit of Bi2Te3 sintered body.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권6호
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• pp.1082-1085
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• 2012

CdTe 나노입자로부터 형성된 나노리본은 독특한 광학적 특성을 나타낸다. 용액 내 CdTe의 $Te^{2-}$ 이온의 산화는 나노입자에 불규칙적인 결함을 유발하며 이때 여러 층의 나노결정으로 구성된 나노리본을 형성하게 된다. 본 연구에서는 자기조립 된 CdTe 나노입자가 나노리본을 형성하는 과정에서 빛을 조사하였다. 빛은 용액 내 CdTe 나노입자의 표면에 위치한 $Te^{2-}$의 산화를 촉진시키는 촉매 역할을 수행한다. 합성된 3차원 나노리본의 형태와 특성을 투과전자현미경(TEM)으로 조사하였다. TEM 결과 안정제가 완전히 제거된 부분에서 부분적으로 접힌 꼬인 형태의 다결정 나노리본을 관찰할 수 있었다. Photoluminescence (PL) 측정 결과 550 nm에서 544 nm로 나노입자가 나노리본으로 형성될 때 Blue shift 되었음을 확인하였다. 본 연구에서 제안된 새로운 합성법은 나노물질을 합성하는 새로운 대안을 제시한다.

• 센서학회지
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• 제15권6호
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• pp.379-385
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• 2006

Single crystal of p-$CdIn_{2}Te_{4}$ was grown in a three-stage vertical electric furnace by using Bridgman method. The quality of the grown crystal has been investigated by x-ray diffraction and photoluminescence measurements. From the photoluminescence spectra of the as-grown $CdIn_{2}Te_{4}$ crystal and the various heat-treated crystals, the ($D^{o}$, X) emission was found to be the dominant intensity in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_{2}Te_{4}$:Cd, while the ($A^{o}$, X) emission completely disappeared in the $CdIn_{2}Te_{4}$:Cd. However, the ($A^{o}$, X) emission in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_{2}Te_{4}$:Te was the dominant intensity like in the as-grown $CdIn_{2}Te_{4}$ crystal. These results indicated that the ($D^{o}$, X) is associated with $V_{Te}$ which acted as donor and that the ($A^{o}$, X) emission is related to $V_{Cd}$ which acted as acceptor, respectively. The p-$CdIn_{2}Te_{4}$ crystal was obviously found to be converted into n-type after annealing in Cd atmosphere. The origin of ($D^{o},{\;}A^{o}$) emission and its to phonon replicas is related to the interaction between donors such as $V_{Te}$ or $Cd_{int}$, and acceptors such as $V_{Cd}$ or $Te_{int}$. Also, the In in the $CdIn_{2}Te_{4}$ was confirmed not to form the native defects because it existed in a stable bonding form.