This study shows that catalytic activity of bimetallic RhPt nanoparticle arrays under CO oxidation can be tuned by varying the size and composition of nanoparticles. The tuning of size of RhPt nanoparticles was achieved by changing concentration of rhodium and platinum precursors in one-step polyol synthesis. Two-dimensional RhPt bimetallic nanoparticle arrays in different size and composition were prepared through Langmuir-Blodgett thin film technique. CO oxidation was carried out on these two-dimensional nanoparticle arrays, revealing higher activity on the smaller nanoparticles compared to the bigger nanoparticles. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results indicate the preferential surface segregation of Rh compared to Pt on the smaller nanoparticles, which is consistent with the thermodynamic analysis. Because the catalytic activity is associated with differences in the rates of $O_2$ dissociative adsorption between Pt and Rh, this paper suppose that the surface segregation of Rh on the smaller bimetallic nanoparticles is responsible for the higher catalytic activity in CO oxidation. This result suggests a control mechanism of catalytic activity via synthetic approaches of colloid nanoparticles, with possible application in rational design of nanocatalysts.
Park, Jae-Hoon;Kang, Sung-In;Jang, Seon-Pil;Kim, Hyun-Suck;Choi, Hyoung-Jin;Choi, Jong-Sun
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1301-1305
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2005
The performance of OTFT with $PVP-TiO_2$ composite, as a gate insulator, is reported, including the effect of surfactant for synthesizing the composite material. According to our investigation results, it was one of critical issues to prevent the aggregation of $PVP-TiO_2$ particles during the synthesis process. From this point of view, $PVP-TiO_2$ particles were treated using Tween80, as a surfactant, and we could reduce the aggregated $PVP-TiO_2$ clusters. As a result, the OTFT with the composite insulator showed the threshold voltage of about -8.3 V and the subthreshold slope of about 1.5 V/decade, which are the optimized properties compared to those of OTFTs with bare PVP, in this study. It is thought that these characteristic improvements are originated from the increase in the dielectric constant of the PVP-based insulator by compositing with high-k particles.
The polyamide-amide-imide (PAAI) was synthesized by reacting 4,4'-diaminobenzanilide (DBA) with trimellitic anhydride chloride using a two-stage heating. The precursor of polyamide-acids was formed at first stage and followed by the formation of imide of PAAI. Two polyamide-imides (PAIs) were prepared from benzidine (BZ) or 4,4'-diaminodiphenylether (DPE) with trimellitic anhydride chloride. These three polymers had glass transition temperature in the temperature range of $240-250^{\circ}C$. X-ray data were obtained on thin film specimens cured at $250^{\circ}C$. There was a minimal kind of short-range order consisting of the most probable distances between neighboring chains. The average segmental spacing of short-range order decreased in the order of polymers obtained from 4,4'-diaminobenzanilide (DBA), polyamide-imide, and 4,4'-diaminodiphenylether (DPE). The imidization of three polyamide-imides was confirmed by $^{15}N$ MAS NMR and FT-IR spectroscopy. $^{15}N$ NMR spectrum of cured polyamide-imide showed imide $^{15}N$ peak, thereby providing an evidence for the imidization of three polyamide-imides.
Growth mechanism of carbon nanotubes(CNTs) synthesized by chemical vapor deposition is abided by two growth modes. These growth modes are classified by the position of activated catalytic metal particle in the CNTs. Growth mode can be also affected by interaction between substrate and catalytic metal and induced energy such as thermal and plasma. We studied the reaction of catalytic metal to the substrate and growth mode of CNTs. Various substrates such as Si(100), graphite plate, coming glass, sapphire and AAO membrane are used to study the relation between catalytic metal and substrate in the synthesis of CNTs. For catalytic metal, thin film was deposited on various substrate via sputtering technique with a thickness of ∼20nm and magnetic fluids with none-sized particles were dispersed on AAO membrane. After laying process on AAO membrane, it was dried at 80$^{\circ}C$ for 8 hour. Synthesizing of CNTs was carried out at 900$^{\circ}C$ in NH3/C2H2 mixture gases flow for 10minutes.
The conjugated oligomers with rigid and fused-ring structures are of interest for the solution-processable organic thin film transistors (OTFTs) due to their well defined structure and high purity. In this study, alkyl substituted benzothiophene based oligomers were synthesized by a novel route, the key point of which is the acid-induced intermolecular cyclization reaction of aromatic methyl sulfoxides, and were confirmed by $^1H$-NMR and FT-IR studies. The obtained oligomers showed the good solubility in common organic solvents such as hexane, chloroform, and dimethylchloride at room-temperature, which is due to the introduced alkyl chain. The physical and optical properties of the oligomers were studied using differential scanning scalorimetry (DSC), cyclic-voltammetry (CV), UV-visible and PL spectra studies. Solution processed OTFT device based on synthesized oligomers show a high hole mobility of up to $0.01\;cm^2V^{-1}s^{-1}$, $I_{on}/I_{off}$ of $10^5$ and threshold voltage of -14V.
Recently, many studies on growth of single crystal diamond using MPECVD have been conducted. The heteroepitaxial method is one of the methods for growing diamonds on a large-area substrate, and research on synthesis of single crystal diamonds using SrTiO3, MgO, and sapphire substrates has been attempted. In addition, research is being conducted to reduce the internal stress generated during diamond growth and to improve the crystallinity of the diamond. The compressive stress generated therein causes peeling and bowing from the substrate. This study aimed to synthesize heteroepitaxial single crystal diamonds with high crystallinity by surface modification. A diamond thin film was first grown on a sapphire/Ir substrate by MPECVD, and then etched with H2 gas to modified the morphology and roughness of the surface. A secondary diamond layer was grown on the surface, and the internal stress, crystallinity of the diamond were investigated. As a result, the fabrication of single crystal diamonds with improved crystallinity was confirmed.
Ambient drying sol-gel processing was used for monolithic silica ambigels in the temperature range of $130-250^{\circ}C$. A new method of mesopore ambigels, which mean the aerogels prepared by ambient pressure drying process synthesis, is suggested at first. This method includes two important approaches. The first point is that $SiO_{2}$ surface modification of wet gel was performed by trimethylchlorosilane in n-butanol solution. This procedure is provided the silica gel mesopore structure formation. The second point is a creation of the ternary azeotropic mixture water/n-butanol/octane as porous liquid, which is effectively provided removing of water such a low temperature by 2 step drying condition under ambient pressure. The silica aerogels, which were prepared by ambient pressure drying from azeotropic mixture of water/n-butanol/octane, are transparent, crack-free and mesoporous (pore size ${\sim}$ 5.6 nm) with surface area of ${\sim}$$923{\;}m^2/g$, bulk density of $0.4{\;}g/cm^3$ and porosity of 85 %.
Cho Jae Young;Oh Hwan Sool;Yoon Seok Beom;Kang Myung Koo
대한전자공학회:학술대회논문집
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대한전자공학회 2004년도 학술대회지
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pp.675-679
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2004
The existing conjugated blue emitting material polymer which has been used for the two-wavelength method white-emission has good stability and low operating voltage as merits, but the imbalanced carrier transport has been indicated as problem area. We have introduced a novel blue emitting material having perylene moiety unit with hole transporting ability and blue emitting property and triazine moiety unit with electron transporting ability into the same host chain. We have synthesized N-[p-(perylen-3-y1)pheny1]methacry1 amide (PPMA) monomer and [N-(2,4-dipheny1-1,3,5-triazine)pheny1 methacry1 amide] (DTPM) monomer having blue light-emitting unit and electron transport unit, respectively by three steps. A novel non-conjugated blue emitting material Poly[N -[p(perylene-3-y1) pheny1] methacry1 amide-co-N-[P-(4,6-dipheny1-1,3,5-triazine-2-y1]pheny1]methacry1 amide] (PPPMA-co-DTPM) copolymer having electron transporting unit was synthesized by the solution polymerization of PPMA and DTPM monomers with an AIBN initiator and showed high yield of $75{\%}$. It was very soluble in common organic solvents, and the fabrication of the thin film using a spin coating method was very simple. The PPPMA exhibited a good thermal stability.
The sol-gel method has been widely used to synthesize the $TiO_2$ for dye sensitized solar cells and has advantages of easily fabrication process, controlling the $TiO_2$ phase and getting transparent thin-film composed of the $TiO_2$. In this paper, we synthesized the crystalline $TiO_2$ by sol-gel method controlled by the quantity ratio of Nitric acid and Ammonium hydroxide additives. The best efficiency result was obtained by 0.05 M Ammonium hydroxide and that results of Voc, Jsc, FF, and efficiency were 0.68 V, 3.28 mA/$cm_2$, 58.14 and 5.21%, respectively.
Nowadays, research and development on quantum dot have been intensively and comprehensively pursued worldwide in proportion to concurrent breakthrough in the field of nanotechnology. At present, quantum dot technology forms the main interdisciplinary basis of energy, biological and photoelectric devices. More specifically, quantum dot semiconductor is quite noteworthy for its sub-micro size and possibility of photonic frequency modulation capability by controlling its size, which has not been possible with conventionally fabricated bulk or thin film devices. This could lead to realization of novel high performance devices. To further understand related background knowledge of semiconductor quantum dot at somewhat extensive level, a review paper is presently drafted to introduce basics of (semiconductor) quantum dot, its properties, applications, and present and future market trend and prospect.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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