[ $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ ] phosphor was synthesized using the impregnation method, and its photoluminescence and long-afterglow properties were investigated, A mixture of $Sr(NO_3)_2,\;Al(NO_3)_2\;9H_2O,\;EuCl_3\;6H_2O,\;DyCl_3\;6H_2O,\;NdCl_3\;6H_2O$ salts were dissolved in distilled water and impregnating into the polymer precursor. After drying, the impregnated mixture was heat treated at $900-1400^{\circ}C$ for 2h in a $N_2-H_2$ reduction atmosphere. The microstructure and crystal structure of the $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ powders were examined by scanning electron microscopy and X-ray diffraction, respectively. The photoluminescence spectra showed an excitation band along over wide wavelength of 250-450nm, and a broaden emission with a maxima peak at 360nm. In addition, the spectra also showed a good long after glow that decayed over a 1000sec period after 10 min excitation illumination.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권1호
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pp.92-95
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2014
In this work we have synthesized ZnS:Mn nanocrystals (NCs) using a simple one step thermochemical method. $Zn(NO_3)_2$ and $Na_2S_2O_3$ were used as the precursors and $Mn(NO_3)_2$ was the source of impurity. Thioglycolic acid (TGA) was used as the capping agent and the catalyst of the reaction. The structure and optical property of the NCs were characterized by means of X- ray diffraction (XRD), HRTEM, UV-visible optical spectroscopy and photoluminescence (PL). X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) analyses demonstrated cubic phase ZnS:Mn NCs with an average size around 3 nm. Synthesized NCs exhibited band gap of about 4 eV. Photoluminescence spectra showed a yellow-orange emission with a peak located at 585 nm, demonstrating the Mn incorporation inside the ZnS particles.
$CaWO_4:Sm_x$(x = 0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0 mol%) white phosphors with different concentrations of $Sm^{3+}$ ions were synthesized using the hydrothermal method. The crystal structure, surface, and optical properties of the $CaWO_4:Sm_x$ phosphors were investigated using X-ray diffraction(XRD), field-emission scanning electron microscopy(FE-SEM), photoluminescence(PL) and photoluminescence excitation(PLE). From the XRD results, the crystal structure of the $CaWO_4:Sm$ phosphors was found to be tetragonal. The $CaWO_4:Sm$ phosphors became more cohesive with increasing $Sm^{3+}$-ion concentration. The photoluminescence excitation(PLE) peak of the phosphors, at around 250 nm, was ascribed to the transition from the 1A1 ground-state to the high-vibration level of 1T2 in the $WO{_4}^{2-}$ complex. The maximum emission spectra of the phosphors were observed when the $Sm^{3+}$ concentration was 0.5 mol%. The luminescence intensity of the $CaWO_4$ phosphors was decreased for $Sm^{3+}$ concentrations greater than 0.5 mol%.
Y2O3:Eux (x = 0.005, 0.01, 0.02, 0.03, 0.05, 0.1 mol) phosphors are synthesized with different concentrations of Eu3+ ions by solvothermal method. The crystal structure, surface and optical properties of the Eu doped Y2O3 phosphors are investigated using X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) analyses. From X-ray diffraction (XRD) results, the crystal structure of the Eu doped Y2O3 phosphor is found to be cubic. The maximum emission spectra of the Eu doped Y2O3 phosphors are observed at 0.05 mol Eu3+ concentration. The photoluminescence of 615 nm in the Eu doped Y2O3 phosphors is associated with 5D0 → 7F2 transition of Eu3+ ions. The decrease in emission intensity of 0.1 mol Eu doped Y2O3 is interpreted by concentration quenching. The International Commission on Illumination (CIE) coordinates of 0.05 mol Eu doped Y2O3 phosphor are X = 0.6547, Y = 0.3374.
본 논문에서는 ZnO와 $Ga_2O_3$ 분말을 1:1의 mole비로 혼합하고 여기에 Mn을 첨가하여 Ar이나 진공 분위기에서 $ZnGa_2O_4$ : Mn을 합성하였다. 제작된 $ZnGa_2O_4$ : Mn의 발광 스펙트럼, 표면 사진 및 성분비를 측정하여 산소의 성분 변화가 발광 특성에 미치는 영향을 규명하고자 하였다. 또한 저온의 Photoluminescence(PL) 스펙트럼으로부터 Mn의 site symmetry가 발광 스펙트럼에 미치는 영향을 설명하였다.
The photoluminescence (PL) emission of Si nanocrystals synthesized by 400 keV Si ion implanted in $SiO_2$ is studied as a function of ion dose and annealing time. The formation of nanocrystals at around 600 nm from the surface was confirmed by RBS and HRTEM, and the Si nanocrystals showed a wide and very intense PL emission at 700-900 nm. The intensity of this emission showed a typical behaviour with a fast transitory increase to reach a saturation with the annealing time, however, the red shift increased continuously because of the Ostwald ripening. The oversaturation of dose derived a decrease of PL intensity because of the diminishment of quantum confinement. A strong enhancement of PL intensity by H passivation was confirmed also, and the possible mechanism is discussed.
Graphene quantum dots (GQDs) have attracted much attention because of various advantages such as cost-effectiveness of synthesis, low toxicity, and photostability. The origins of photoluminescence (PL) in GQDs were suggested as the intrinsic states for localized sp2 carbon domains and the extrinsic states formed by oxygen-functional groups.[1,2] Nevertheless, it is still unclear to understand the information of electric band structure in GQD. Here, we observed excitation energy induced S-shaped PL behavior. The PL peak energy position shows an S-shaped shift (redshift-blueshift-redshift) as function of the excitation wavelengths. From various samples, we only observed S-shaped PL shift in the GQDs with both luminescent origins of intrinsic and extrinsic states. Therefore, this S-shaped PL shift is related to different weight of intrinsic and extrinsic states in PL spectrum depending on the excitation wavelengths. This would be the key result to understand the electric band structure of the GQDs and its derivatives.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권5호
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pp.263-267
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2013
New random copolymers of phenylsilyl- and alkoxy-substituted phenylenevinylene, DMPS(9)-MEH(1)-PPV, DMPS(5)- MEH(5)-PPV and DMPS(1)-MEH(9)-PPV, have been synthesized by the Gilch dehydrohalogenation route, and the light-emitting properties of these polymers have been studied. The synthesized polymers were completely soluble in common organic solvents, and exhibited good thermal stability, almost up to $380^{\circ}C$. They showed UV-visible absorbance and photoluminescence (PL) in the ranges of 422-510 and 513-590 nm, respectively, according to their feed ratios. Electroluminescent devices were fabricated with these polymers as emitting layers, and ITO and Al as anode and cathode, respectively. DMPS(1)-MEH(9)-PPV, DMPS(5)-MEH(5)-PPV and DMPS(9)-MEH(1)-PPV exhibited EL emission maxima at 575 nm, 565 nm, and 541 nm, respectively.
Poly[bis (3,5-di-t-butyl-1,2-phenylene-1,2-thenylene)-1,4-phenylene-bis(11-oxyundecanylphenyl urethane)] (PV-PU) consisting of alternating a confined phenylenevinylene and a nonconjugated urethane segment in the main chain was synthesized by multistep, photoluminescence of PV-PU is emitted in the blue region with a maximum intensity at about 337 nm.
Gray-colored materials were synthesized from ball-milled ZnO powders under a thermal annealing at 1380$^{\circ}C$ with an argon carrier gas for 3 hours. The synthesized materials were identified to be wurtzitic hexagonal structured ZnO nanowires by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The ZnO nanowires have the long cylinder-like shape of which cross-section is a circle, and these nanowires are in the range 15∼40 nm width and 10-70 $\mu\textrm{m}$ length, respectively. Transmission electron microscopy revealed that these nanowires are single-crystalline and grow along [110] direction. The optical properties of the ZnO nanowires were investigated with photoluminescence. The analytic results revealed that ZnO nanowires have the singly ionized oxygen vacancies in the surface lattices, as they emit strong green light in room temperature PL. In addition, the growth mechanism of the ZnO nanowires can be described by the vapor-solid procedures.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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