• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.269-275
• /
• 2003

저전압 프로그래밍이 가능한 플래시메모리를 실현하기 위하여 0.35$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정 기술을 이용하여 터널링산화막, 질화막 그리고 블로킹산화막의 두께가 각각 2.4nm, 4.0nm, 2.5nm인 SONOS 트랜지스터를 제작하였으며, SONOS 메모리 셀의 면적은 1.32$\mu$$m^2$이었다. 질화막의 두께를 스케일링한 결과, 10V의 동작 전압에서 소거상태로부터 프로그램상태로, 반대로 프로그램상태에서 소거상태로 스위칭 하는데 50ms의 시간이 필요하였으며, 최대 메모리윈도우는 1.76V이었다. 그리고 질화막의 두께를 스케일링함에도 불구하고 10년 후에도 0.5V의 메모리 윈도우를 유지하였으며, 105회 이상의 프로그램/소거 반복동작이 가능함을 확인하였다. 마지막으로 부유게이트 소자에서 심각하게 발생하고있는 과도소거현상이 SONOS 소자에서는 나타나지 않았다.

• 한국정보처리학회논문지
• /
• 제3권1호
• /
• pp.9-32
• /
• 1996

본고는 분산 멀티미디어 시스템 환경에서 여러가지 응용 서비스를 지원하기 위한 범용 멀티미디어 데이타 처리 모델을 제시하고 그것을 구현하기 위한 객체지 향, 클 라이언트 서버 구조에 대하여 기술하였다. 이 모델은 분산 멀티미디어 시스템에서 필 요한 원격 데이타의 이용을 위한 통신망 투명성과 실시간 멀티미디어 입출력, 그리고 미디어의 통합이나 동기화 등의 멀티미디어 처리를 지원하는 범용 모델이다. 이 모델 은, 스트립 계층, 멀티미디어 프리젠테이션 계층, 하이퍼 프리젠테이션 계층등으로 구 성된다. 본 고는 이 모델의 각 계층에 해당되는 추상적인 데이타개념을 정의하고 이것 이 각 계층의 서비스와 실재로 객체지향 기법으로 제공되는 AP(Application Programming Interface)가 어떻게 연결되는지 기술하였다. 그리고 실제 구현하기 위한 구체적인 문제 를 예를 들면서 다루었고 마지막에 추후 연구해야 할 방향을 제시하며 결론을 맺었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제37권1호
• /
• pp.121-126
• /
• 2013

교류기기의 속도 및 토크 제어시스템에서 전력변환장치로 사용되는 싸이클로컨버터는 저속에서 토크가 크고 제어가 간단한 장점을 가지고 있다. 또한, 정류기, 직류링크부, 인버터가 설치되지 않으므로 시스템이 간단하고 대전력 시스템에 적합하다. 현재 사용되고 있는 대형선박의 추진전동기의 구동용 전력변환장치를 싸이클로컨버터로 변경하면 시스템이 간단해지므로 설치비용을 크게 감소시킬 수 있다. 하지만 기존의 싸이클로컨버터는 전력 반도체소자의 고속 스위칭에 의한 손실이 크고 출력 전압파형이 왜곡되어서 고조파 성분이 증가하게 된다. 본 논문에서는 이러한 단점을 개선하기 위해서 1차측에 위상이 다른 2개의 입력단과 2차측에 1개의 출력단으로 구성되는 상천이 필터를 설치한다. 위상이 다른 2개의 전압파형이 더해져서 2차측으로 변압됨으로써 전압파형이 정현파에 가깝게 출력된다. 그로 인해 추진전동기에 입력되는 전압파형이 개선되고 총고조파왜형율도 크게 감소한다.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제20권8호
• /
• pp.36-41
• /
• 2006

컴퓨터 부하는 현대사회 전반에 널리 사용되고 있다. 개인용 컴퓨터의 스위칭 모드 전원공급 장치는 고조파 전류를 발생시키는 주된 발생원이다. 고조파 전류는 컴퓨터 오동작등 많은 고조파 장해를 일으킨다. 직렬동조필터는 개인용 컴퓨터의 고조파 저감에 매우 효과적이다. 순간전압강하는 전압의 크기가 짧은 시간동안 감소하는 것으로, 순간전압의 변동원인은 주로 계통의 고장, 급격한 부하변동 등으로 발생한다. 컴퓨터 부하는 전압강하에 민감한 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 개인용 컴퓨터 부하에 직렬동조필터를 적용하였을 때 고조파 저감효과를 IEC 61000-3-2로 평가하였고, 순간전압강하 영향을 ITI 곡선으로 심도있게 분석하였다.

• 유통과학연구
• /
• 제16권4호
• /
• pp.67-74
• /
• 2018

Purpose - Most of the amendments to the law on the improvement of the distribution structure of mobile communication terminal equipment, the fully self-sufficient system of terminals, and the separated disclosure system on the terminals are aimed at securing transparency of the distribution structure by eliminating or reducing handset subsidies. This study investigates what items are important for the purchase of mobile phones in various and rapidly changing mobile phone markets from the consumer's point of view and tries to make a strategic suggestion for future mobile distribution strategies. Research design, data, and methodology - The procedure of this study takes place in four steps. In step 1, only the SF type respondents selected for this study were extracted through MBTI analysis. In step 2, they were divided into three hierarchies for the AHP analysis and each element was arranged. In step 3, the AHP analysis was converted to a Fuzzy-AHP number using the trigonometric centroid method. This was to eliminate the ambiguity of the response by converting into a fuzzy number even if data consistency was maintained with CI value below 0.1. In step 4, the number of converted 2-layer and 3-layer was combined to derive the priority when the final handset is selected. Results - First, the highest importance among the four items in the second tier was the terminal function item, followed by brand, price, and design item. Second, in the third tier, the highest importance was level of after-sales service, followed by device price, processing speed, ease of use, usefulness, and rate system. Third, the arithmetic average of the determinant of the fuzzy function showed that processing speed, ease of use and usefulness in the function item, level of after-sales service in the brand item, and device price in the price item were the five most important factors among 16 choice factors. Conclusions - First, there will be a change in the consumption patterns of consumers who have compared distributors and dealers to purchase handsets with more subsidies. Second, it is highly likely that people will purchase new handsets only when they need to change their devices because they can not receive subsidies by switching phone brands any more.

• Journal of Power Electronics
• /
• 제18권2호
• /
• pp.558-572
• /
• 2018

In addition to its modular nature, a Hybrid Modular Multilevel Converter (HMMC) assembled from half-bridge and full-bridge sub-modules, is able to block DC faults with a minimum number of switching devices, which makes it attractive for high power applications. This paper introduces a control strategy based on the Root-Least Square (RLS) algorithm to estimate the capacitor voltages instead of using direct measurements. This action eliminates the need for voltage transducers in the HMMC sub-modules and the associated communication link with the central controller. In addition to capacitor voltage balancing and suppression of circulating currents, a fault tolerant control unit (FTCU) is integrated into the proposed strategy to modify the parameters of the HMMC controller. On advantage of the proposed FTCU is that it does not need extra components. Furthermore, a fault detection unit is adapted by utilizing a hybrid estimation scheme to detect sub-module faults. The behavior of the suggested technique is assessed using PSCAD offline simulations. In addition, it is validated using a real-time digital simulator connected to a real time controller under various normal and fault conditions. The proposed strategy shows robust performance in terms of accuracy and time response since it succeeds in stabilizing the HMMC under faults.

• 전자공학회논문지
• /
• 제50권7호
• /
• pp.131-139
• /
• 2013

기존 전기적 상호 연결을 사용한 네트워크-온-칩(Network-on-Chip, NoC)의 전력 및 성능 한계를 보완하고자 광학적 상호연결을 이용하는 하이브리드 광학 네트워크-온-칩(HONoC)이 등장하였다. 하지만 HONoC에서는 광학적 소자 특성으로 인해 서킷 스위칭을 사용함으로써 경로 충돌이 빈번하게 발생하며 이로 인해 지연 시간 불균형의 문제가 심화되어 전체적인 시스템 성능에 악영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 경로 충돌을 최소화 시켜 지연 시간을 최적화 할 수 있는 새로운 태스크 매핑 알고리즘을 제안하였다. HONoC 환경에서 태스크를 각 Processing Element (PE)에 할당하고 경로 충돌을 최소화하며, 부득이한 경로 충돌의 경우 워스트 케이스 (worst case) 지연 시간을 최소화 할 수 있도록 하였다. 모의실험 결과를 통해 무작위 매핑 방식, 대역폭 제한 매핑 방식과 비교하여, 제안된 알고리즘이 $4{\times}4$ 메시 토폴로지에서는 평균 43%, $8{\times}8$ 메시 토폴로지에서는 평균 61%의 지연 시간 단축 효과가 있음을 확인할 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제17권4호
• /
• pp.483-491
• /
• 2017

The interdigitated germanium (Ge) meta-lsemiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with and without an $SiO_2$ anti-reflection (AR) layer was fabricated, and the effect of $SiO_2$ AR layer on their optoelectronic response properties were investigated in detail. The lowest reflectance of 15.6% at the wavelength of 1550 nm was obtained with a $SiO_2$ AR layer with a thickness of 260 nm, which was in a good agreement with theoretically calculated film thickness for minimizing the reflection of Ge surface. The Ge MSM PD with 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer exhibited enhanced device performance with the maximum values of responsivity of 0.65 A/W, the quantum efficiency of 52.2%, and the detectivity of $2.49{\times}10^9cm\;Hz^{0.5}W^{-1}$ under the light illumination with a wavelength of 1550 nm. Moreover, time-dependent switching analysis of Ge MSM PD with 260 nm- thick $SiO_2$ AR layer showed highest on/off ratio with excellent stability and reproducibility. All this investigation implies that 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer, which is effective in the reduction in the reflection of Ge surface, has a great potential for Ge based optoelectronic devices.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제21권12호
• /
• pp.3205-3214
• /
• 1996

In this paper, the microstrip phased array antennas with coupling-slots for the base station of mobile communication is proposed and anlyzed with accurate analysis method which is based on both reciprocity principle and full-wave analysis. The basis functions used for the numerical analysis are determined depending upon the accuracy, convergence properties of the solution, and the computation time. The patch uses 3 EB mode and the slot uses IPWS mode. The designed phased array antenna has 8 slot-coupled microstrip patch array elements and the beam scanning capability is obtained by using the 4-bit PIN-diode phase shifters as switching devices which are consisted of the loaded line phase shifters for 30.deg. and 60.deg. and the reflection type phase shifters for 90.deg. and 180.deg. repectively. The 4-bits phase shifters which aremade by connecting each phase shifter have about 2.deg.-3.deg. phase errors and their insertion loss are about 3dB for each phase state. The fabricated 8-element phased array antenna with 4-bits phase shifters provides 12.deg.-14.deg. beamwidths depending on the scanning angle and is capable of scanning its beam to .+-.45.deg. with 9.deg. intervals, and the gain 12dBi. The overall results show that the slot-coupled phased array antenna has great advantages of wideband, high gain and reduced spurious radiation. Also, the antenna can be made small and thin. Furthermore, the scanning property of this antenna allows for its application in several areas, such as mobile communication system and PCS.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제23권3호
• /
• pp.190-193
• /
• 2010

Various power semiconductor devices have been developed and evolved since 1950s. Among them, IGBT is the most developed power semiconductor device which has high breakdown voltage, high current conduction and suitable switching speed which perform trade-offs between each other. In other words, there are trade-offs between a breakdown voltage and on-state voltage drop, and between on-state voltage drop and turn-off time. In this paper, the new structure is proposed to improve a trade-off between a breakdown voltage and on-state voltage drop. The proposed structure has a trench collector and this trench collector induces an accumulation layer at the bottom of an n-drift region during off-state. And this accumulation layer prevents expansion of depletion layer so that trapezoidal electric field distribution is performed in the n-drift region. As a result of this, breakdown voltage is increased without increasing on-state voltage drop. The electrical characteristics of the proposed IGBT is analyzed and optimized by using representative device simulator, TSUPREM4 and MEDICI. After optimization, the electrical characteristics of the proposed IGBT is compared with NPT IGBT which have the same device thickness. As a result of this, it can be confirmed that the proposed structure increases the breakdown voltage of 800 V than that of the conventional NPT IGBT without increasing the on-state voltage drop.