• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2233-2235
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• 2000

We present the characteristics of microwave and mechanical behavior for the electrostatically actuated z-shaped laterally driven micriomachined CPW SPST(Single Pole Single Throw) Switch, which is for the application of the microwave communication systems. In this paper, we have aimed to maintain advantages. such as low insertion loss and low power consumption that the previously developed RF MEMS Switch has and minimize also stiction problem. enhance the microwave characteristics by etching of substrate beneath the switch, realize the pull-in voltage of below 30V. The optimized design parameters of the MEMS Switch can be selected by the analysis of the mechanical behavior and the use of ANSYS simulation method.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
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• 제50권2호
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• pp.79-85
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• 2001

In this paper, a novel Zero-Current-Transition (ZCT) technique, which provides Zero-Current-Switching (ZCS) turn-off of the main switch, the main diode and the auxiliary switch, is presented. The proposed auxiliary circuit consists of minimum elements only one auxiliary switch, resonant inductor and resonant capacitor. Also the reduced di/dt, which is obtained by resonant inductor, helps soft turn-on of the main switch. Besides, to eliminate the additional conduction loss and current stress on main switch, a topological variation was performed. The theoretical analysis and the operation principle of the new ZCT techniques are described in detail with a boost converter as an example. To verify the validity of the proposed ZCT techniques, the simulation and the experiment were performed under 1kW output power and 100kHz switching frequency.

• 한국통신학회논문지
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• 제30권10A호
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• pp.965-970
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• 2005

본 연구에서는 IEEE 802.11a 표준 무선랜 단말기에 활용 가능한 SPDT Tx/Rx 스위치 MMICs를 설계 및 제작하였다. 이를 위하여 먼저 핵심이 되는 pHEMT 스위치 소자의 에피구조를 설계하였으며, 한국전자통신연구원(ETRI의 $0.5{\mu}m$ pHEMT 스위치 공정을 이용하였다. 제작된 SPDT형 Tx/Rx 스위치 MMIC는 주파수 5.8 GHz, 동작전압 0/-3V에서 삽입손실 0.68 dB, 격리도 35.64 dB, 그리고 반사손실 13.4dB의 특성을 보였으며, 전력전송능력인 P1dB는 약 25dBm, 그리고 선헝성의 척도인 IIP3는 42 dBm 이상으로 평가되었다. 제작된 스위치 회로의 성능은 상용제품과 비교 분석한 결과 반사손실은 약간 부족하였으나 삽입손실은 비슷한 수준이며, 특히 격리도는 동작전압 ${\pm}$ 3V/0Vv, 주파수 5.8GHz에서 약 8 dB 이상 우수하였다. 이와 같은 여러 가지의 스위치 회로의 성능은 본연구에서 개발된 pHEMT SPDT 스위치는 IEEE802.11a 표준 5GHz 대역 무선랜에 충분히 할용할수 있을 것으로 생각된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제3권4호
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• pp.274-279
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• 2002

광대역 ISDN 서비스를 위한 ATM 패킷 스위칭 구조 설계 기술을 위한 접근은 주로 비교적 하드웨어의 복잡성이 낮은 병렬 네트워크의 Self-Routing 함수를 주로 이용하므로 피할 수 없는 패킷의 충돌로 인한 패킷의 손실을 줄이기 위하여 여러 가지 형태로 연구가 진행되어 왔다. 따라서, 본 연구과제에서는 비교적 하드웨어의 복잡성보다는 효율적인 Routing 알고리즘을 통하여 스위칭 네트워크의 성능을 향상시킬 수 있는 Sort-Banyan을 기본으로 한 스위칭 구조를 근간으로 하여 하드웨어 구조의 개선과 그에 맞는 최적의 Routing 알고리즘을 개발한다. 이러한 스위치 네트워크를 구현하기 위해 두 단계의 패킷 분배 결정 알고리즘 따라 분배를 결정하여 패킷이 전송될 때 출력 단에서 충돌이 발생하지 않도록 미리 선택적으로 전송함으로서 패킷의 손실을 방지하는 패킷 Distributor 및 Multiplane의 구성을 제안한다. 이는 Self-Routing 함수로 인하여 발생되는 내부 Blocking을 해결하기 위한 방법으로, 패킷의 손실을 최소로 하여, 전송에 있어서 지연을 줄이는 효과가 있는 중요한 스위치 네트워크로 구성될 것이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제10권2호통권19호
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• pp.149-155
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• 2006

In this study, the design of low voltage DC-DC converter with low triggering ESD (Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. The purpose of this paper is design optimization for low voltage(2.5V to 5.5V input range) DC-DC converter using CMOS switch. In CMOS switch environment, a dominant loss component is not switching loss but conduction loss at 1.2MHz switching frequency. In this study a constant frequency PWM converter with synchronous rectifier is used. And zener Triggered SCR device to protect the ESD phenomenon was designed. This structure reduces the trigger voltage by making the zener junction between the lateral PNP and base of lateral NPN in SCR structure. The triggering voltage was simulated to 8V.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.177-182
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• 2002

This paper presents the loss analysis of Three Level Converter. Three Level DC/DC Converter presented in this paper used a phase shift control with a flying capacitor in the primary side to achieve ZVS for the outer switch. This converter reduces the voltage stress across the main switch to half of input voltage. This paper analyses the loss of each component and the various losses in the circuit assessed. The result of the analysis are verified using 2.5kW prototype.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권5호
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• pp.225-230
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• 2013

This paper presents a novel shunt radio frequency microelectromechanical system switch on a quartz substrate with stiff ribs around the membrane. The buckling effects in the switch membrane and stiction problem are the primary concerns with RF MEMS switches. These effects can be reduced by the proposed design approach due to the stiffness of the ribs around the membrane. A lower mass of the beam and a reduction in the squeeze film damping is achieved due to the slots and holes in the membrane, which further aid in attaining high switching speeds. The proposed switch is optimized to operate in the k-band, which results in a high isolation of -40 dB and low insertion loss of -0.047 dB at 21 GHz, with a low actuation voltage of only 14.6 V needed for the operation the switch. The membrane does not bend with this membrane design approach. Finite element modeling is used to analyze the stress and pull-in voltage.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.1003-1009
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• 2005

본 논문에서는 결함접지구조(Defected Ground Structure: DGS)의 전파 지연 특성을 이용하여 소형으로 구현한 휴대 인터넷용 고전력 Single Pole Double Throw(SPDT) 스위치의 특성이 제공되며 1/4 파장 전송선을 이용하여 제작된 일반적인 방식의 스위치와 그 특성이 비교된다. DGS를 활용하여 제작된 스위치는 높은 격리도를 확보하기 위해 병렬구조의 다이오드를 사용하여 구성되었으며 2.3 GHz에서 0.8 dB의 삽입 손실과 50 dB 이상의 격리도 특성을 보였고 50 W 이상의 전력을 다룰 수 있었다. DGS를 활용한 스위치는 기존의 전송선 방식의 스위치와 거의 동일한 스위칭 특성을 보이면서도 $50\%$ 가까운 회로의 크기 감소를 달성할 수 있었다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2006년도 하계학술대회
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• pp.67-70
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• 2006

This paper deals with a single crystalline silicon (SCS) RF MEMS switch for telecommunication system applications. The proposed SCS switch was fabricated using a silicon-on-glass (SiOG) process and its performances in terms of RF responses, switching time, lifetime were characterized. The proposed SCS switch consists of movable plates, mechanical spring structures, which are composed of robust SCS, resulting in mechanically good stability, The measured actuation voltage was 30 V, and with this applied voltage, the insertion loss and isolation characteristics were measured to be 0.05 and 44.6 dB at 2 GHz respectively. The measured switch ON and OFF time were 13 and $9{\mu}s$, respectively. The lifetime of the fabricated switch was tested. Even after over 1 billion cycles repeated ON/OFF actuations, the switch maintained its own characteristics.

• 정보처리학회논문지C
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• 제10C권4호
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• pp.485-492
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• 2003

본 논문에서는 ATM 스위치에서 복수개의 입력버퍼를 사용하는 경우 HOL 블록킹에 의한 성능 저하의 영향을 최소화하기 위하여 입력버퍼 방식을 개선한 그룹형 버퍼 방식의 새로운 스위치구조를 제안한다. 스위치 내부 구조는 네트워크의 구조적 특성에 따라 분할된 서브 네트워크들을 단계별로 재귀적 방법으로 그룹화하여 구성된다. 이것은 블록된 셀을 전송하기 위하여 그룹간에 추가적인 경로와 버퍼를 제공하게 함으로써 HOL 블록킹에 의한 영향을 감소시킬수 있으며, 따라서 스위치의 성능이 향상되는 결과를 나타낸다. 처리율, 셀 손실율, 지연, 시스템 파워 등의 척도를 고려한 시뮬레이션을 통하여 기존의 모델과 비교, 분석하였다.