The properties of $2^{nd}$ generation high temperature superconducting wire, coated conductor strongly depend on the quality of superconducting oxide layer and property of metal substrate is one of the most important factors affecting the quality of coated conductor. Good mechanical and chemical stability at high temperature are required to maintain the initial integrity during the various process steps required to deposit several layers consisting coated conductor. And substrate need to be nonmagnetic to reduce magnetization loss for ac application. Hastelloy and stainless steel are the most suitable alloys for metal substrate. One of the obstacles in using stainless steel as substrate for coated conductor is its difficulties in making smooth surface inevitable for depositing good IBAD layer. Conventional method involves several steps such as electro polishing, deposition of $Al_2O_3$ and $Y_2O_3$ before IBAD process. Chemical solution deposition method can simplify those steps into one step process having uniformity in large area. In this research, we tried to improve the surface roughness of stainless steel(SUS310). The precursor coating solution was synthesized by using yttrium complex. The viscosity of coating solution and heat treatment condition were optimized for smooth surface. A smooth amorphous $Y_2O_3$ thin film suitable for IBAD process was coated on SUS310 tape. The surface roughness was improved from 40nm to 1.8 nm by 4 coatings. The IBAD-MgO layer deposited on prepared substrate showed good in plane alignment(${\Delta}{\phi}$) of $6.2^{\circ}$.
The abilities of metabolic substrates, glucose, pyruvate, and acetate to produce a maximal increase in the force of contraction of substrate-depleted atria from fed rats were compared to those from starved rats, in order to observe the effect of starvation on substrate utilization of the myocardium. Starvation results in a marked loss of body weight in rats. In contrast to the starved rats, the body weight of fed rats increased with time. When placed in substrate-free medium, atria from fed rats showed marked decline in contractile force. In contrast to the atria from fed rats, the substrate-depleted atria from starved rats showed much less decline of the force of contraction. In the substrate-free medium, abilities of glucose, pyruvate, and acetate to produce a maximal increase in the force of contraction of atria from fed rats were much greater than those from starved rats. The data from these studies indicate that in the substrate-free medium atria from starved rats utilize much less exogenous substrates than those from fed rats. These results suggest that starvation has no deleterious effect on contractile activity of the myocardium, and the starvation increase the storage of readily metabolizable endogenous substrstes useful for the functional activity of the isolated heart.
In this paper, a band pass filter with a rejection band is proposed for UWB(Ultra Wide Band) communication system. First, low pass filter accessed cut off frequency of 10.2 GHz was designed using structure stepped impedance. And high pass filter accessed cut of frequency of 3.2 GHz was designed using parallel short-stub. There was implemented composite connection of designed low pass filter and high pass filter. The relative dielectric constant, the height, the loss tangent of the PCB substrate were ${\varepsilon}_r$=2.2, h=0.508 mm and loss tangent = 0.0009 respectively. The fabricated band pass filter shows a compact size of 3 cm. The fabricated band pass filter was characterized using 37169A VNA(Vector Network Analyzer). And measured result were obtained 7.5 GHz of bandwidth and -10 dB of return loss and -3 dB of insertion loss from pass band. The result of the research can be used for the UWB communications and MIC/MMIC, RFIC system.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.222-222
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2007
RF circuit을 구현하는데 있어서 기판의 전기적 특성을 정확하게 아는 것은 원하는 결과를 추출하기 위해 매우 중요하다. 본 연구에서는 현재 사용되고 있는 PI 기판의 전기적인 특성인 유효 유전율과 loss tangent 값을 T-resonator률 이용해 정확하게 측정하고자 했다. T-resonator는 microstrip 구조로 구현 되었으며 conductor material은 Cu를 사용하였다. PI 기판의 두께는 25um, Cu의 두께는 PI 기판의 종류에 따라 12um 와 18um, T-resonator line width는 50um로 구현하였다. 또한 공진 주파수에 따라 stub 길이가 다른 10개의 T-resonator를 제작하였다. PI 기판의 유효 유전율을 구하기 위해 stub 길이의 open-end effect와 T-junction effect를 고려하였으며 수식을 통해 정확한 유효 유전률을 추출하였다. 또한 PI 기판의 loss tangent 추출에 필요한 dielectric loss를 추출하기 위해 unload quality factor를 분석하였다. Unload quality factor는 dielectric loss, conductor loss, radiation loss를 구성되며 conductor loss와 radiation loss를 수식에 의해 구하고 dielectric loss를 추출 하였다. 추출 된 dielectric loss를 통해 각각의 T-resonator의 loss tangent 값을 구하였다. T-resonator를 이용한 PI 기판의 측정은 비교적 복잡한 수식에 의해 이루어지지만 정확한 data를 얻을 수 있고 다른 재료의 전기적 특성을 추출하는데 응용이 가능하다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.210-210
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2007
RF circuit을 구현하는데 있어서 기판의 전기적 특성을 정확하게 아는 것은 매우 중요하다. 왜냐하면 초고주파로 갈수록 기판의 전기적인 특성이 circuit에 많은 영향을 미치고 이러한 영향을 고려한 circuit를 설계해야 원하는 결과를 얻을 수 있기 때문이다. 본 연구에서는 현재 사용되고 있는 PI 기판의 전기적인 특성인 유효 유전율과 loss tangent 값을 캐패시터를 이용해 정확하게 측정하고자 했다. 캐패시터의 conductor material은 Cu를 사용하였고 PI 기판의 투께는 25um 를 이용하였다. PI 기판의 유효 유전율은 캐패시터 측정에 의한 data률 EM simulation tool 을 통해 분석한 후 간단한 수식에 의해 구했다. 또한 PI 기판의 loss tangent 값을 구하기 위해 캐패시터의 dissipation factor를 분석하였다. 캐패시터의 dissipation factor는 dielectric loss, AC 저항에 의한 loss, DC 저항에 의한 loss를 포함한다, DC 저항에 의한 loss는 dissipation factor에 차지하는 비율이 낮기 때문에 생략이 가능하다. 하지만 AC 저항에 의한 loss는 주파수에 비례하여 값이 커지게 된다. 따라서 주파수가 올라 갈수록 dissipation factor도 상승하게 되는데 주파수의 전 대역에서 AC 저항에 의한 loss를 보정해주면 dielectric loss를 얻을 수 있다. 추출된 dielectric loss를 통해 PI 기판의 loss tangent 값을 구하였다. 캐패시터를 이용한 PI 기판의 전기적 특성 추출은 간단한 구조를 통해 얻을 수 있기 때문에 다른 재료의 기판의 전기적 특성을 추출하는데도 이용이 용이하다.
Oxygen adsorption on the single crystal NbC(111) surface was studied by high-resolution electron energy loss and ultraviolet photoelectron spectroscopy. On the NbC(111) surface, oxygen molecules as well as oxygen atoms were adsorbed. Oxygen atoms were located at the 3-fold hollow site of the NbC(111) surface with the frequency of 548c$m^{-1}$. It was found that oxygen molecules had vibrational frequency of 968c$m^{-1}$which was much lower than that of the free oxygen molecule. Also the work function of the NbC(111) surface has increased by adsorption of oxygen molecule. These suggest electron tranfer from the NbC(111) substrate to the 2p${pi}_g$ substrate of the oxygen molecule.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.9
s.351
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pp.64-68
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2006
Novel system-on-package (SOP) - D technology to improve the mechanical and thermal properties of a MCM-D substrate was suggested. Based on this investigation, the two types of band pass filters for the V-band application with unique structure were designed and implemented using 2-metals, 3-BCB layers. The first type using distributed resonator had the insertion loss below 2.6 dB at 55 GHz and group delay was below 0.06 ns. For the second type with edge coupled structure, the insertion loss and group delay were 3 dB and 0.1 ns, respectively. Suggested MCM-D substrate with band pass filter can be used to evaluate mm-Wave system including flip-chip bonded MMIC.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.192-192
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2009
We have successfully demonstrated the inkjet printing process to fabricate $Al_2O_3$ thick films without a high temperature sintering process. A single solvent system had a coffee ring pattern after printing of $Al_2O_3$ dot, line and area. In order to fabricate the smooth surface of $Al_2O_3$ thick film, we have introduced a co-solvent system which has nano-sized $Al_2O_3$ powders in the mixture of Ethylene glycol monomethyl ester and Di propylene glycol methyl ether. This co-solvent system approached a uniform and dense deposition of $Al_2O_3$ powders on the substrate. The packing density of inkjet-printed $Al_2O_3$ films is more than 70% which is very high compared to the value obtained from the films synthesized by other conventional methods such as casting processes. The characterization of the inkjet-printed $Al_2O_3$ films has been implemented to investigate its thickness and roughness. Also the dielectric loss of the films has been measured to understand the feasibility of its application to 3D integration package substrate.
The isoform 1 of cyclodextrin glycosyltransferase (CGTase, EC 2.4.1.19) from Paenibacillus sp. A11 was purified by a preparative gel electrophoresis. The importance of histidine, tryptophan, tyrosine, and carboxylic amino acids for isoform 1 activity is suggested by the modification of the isoform 1 with various group-specific reagents. Activity loss, when incubated with diethylpyrocarbonate (DEP), a histidine modifying reagent, could be protected by adding 25 mM methyl-$\beta$-cyclodextrin substrate prior to the modification. Inactivation kinetics of isoform 1 with DEP resulted in second-order rate constants ($k_{inactivation}$) of $29.5\;M^{-1}s^{-1}$. The specificity of the DEP-modified reaction for the histidine residue was shown by the correlation between the loss of isoform activity and the increase in the absorbance at 246 nm of N-carbethoxyhistidine. The number of histidines that were modified by DEP in the absence and presence of a protective substrate was estimated from the increase in the absorbance using a specific extinction coefficient of N-carbethoxyhistidine of $3,200\;M^{-1}cm^{-1}$. It was discovered that methyl-$\beta$-CD protected per mole of isoform 1, two histidine residues from the modification by DEP. To localize essential histidines, the native, the DEP-modified, and the protected forms of isoform 1 were digested by trypsin. The resulting peptides were separated by HPLC. The peptides of interest were those with $R_t$ 11.34 and 40.93 min. The molecular masses of the two peptides were 5,732 and 2,540 daltons, respectively. When the data from the peptide analysis were checked with the sequence of CGTase, then His-140 and His-327 were identified as essential histidines in the active site of isoform 1.
The dielectric properties of $(Ba_{0.5}Sr_{0.5})TiO_3$ ferroelectric thin films have been investigated according to the substrates in order to optimize the their properties. MgO, r-plane sapphire, and poly-crystalline sapphire (Alumina) substrates have been used to deposite $(Ba_{0.5}Sr_{0.5})TiO_3$ ferroelectric thin films by RF magnetron sputtering. The BST thin films deposited on the single crystal (100)MgO substrates have high tunability and low dielectric loss. These results are caused by a low misfit between the lattice parameters of the BST films and the substrate. The BST films deposited on r-plane sapphire have relatively high misfit, and the tunability of 17% and dielectric loss of 0.0007. To improve the dielectric properties of the BST films, the post-annealing methods has been introduced. The BST films deposited on (100)MgO, (1102)r-plane sapphire, and poly-crystalline sapphire substrates have best properties in post-annealing conditions of $1050^{\circ}C$, $1100^{\circ}C$, and $1150^{\circ}C$, respectively. The different optimal post-annealing conditions have been found according to the different misfits between the films and substrates, and thermal expansion coefficients. Moreover, the films deposited on alumina substrate which is relatively cheap have a good tunability properties of 23% by the post-annealing.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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