• 제목/요약/키워드: Substrate Depth

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Physical habitat simulation system (PHABSIM) 을 이용한 금강의 두드럭조개 (Lamprotula coreana) 서식지 평가 (Habitat assessment of Lamprotula coreana by using physical habitat simulation system (PHABSIM) at the Guem River)

  • 김대희;김경환;이완옥;허준욱
    • 한국패류학회지
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    • 제31권4호
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    • pp.307-314
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    • 2015
  • 본 조사는 2013년 6월부터 8월까지 금강 상류에서 멸종위기야생생물 I급인 두드럭조개 (Lamprotula coreana)의 서식지를 조사하였다. 서식지 평가를 위하여 하천의 물리적 구조인 여울, 소 및 유수역이 모두 포함된 다양한 서식환경에서 서식상태를 조사하였으며, 하천단면, 수심, 유속, 하상재료 및 서식지 유형 등을 현장에서 측정 하였다. 서식 확인된 두드럭조개는 크기, 무게 및 연령을 기록하고 서식지에 재살포하였고, 서식지적합도지수 (Habitat suitability index, HSI)와 PHABSIM (physical habitat simulation system)에 의한 최적 생태유량 산정을 위하여, 각각의 채집 장소에서 수심, 유속 및 하상재료 등을 기록하였다. 서식지 평가는 수위, 유량 및 하천단면의 현장조사 결과와 두드럭조개의 HSI를 PHABSIM에 적용하여 가용서식지면적 (weighted usable area, WUA)과 유량의 관계 곡선을 작성하였다. 금강 상류에서 채집된 두드럭조개는 각장 $73.1{\pm}18.4mm$ 및 전중 $131.6{\pm}72.3g$ 이었으며, 연령은 2-7년생까지 서식하는 것으로 확인되었다. 두드럭조개의 HSI는 수심 0.4-0.5 m, 유속 0.3-0.5 m/s, 하상재료는 모래-호박돌로 나타났다. PHABSIM에 의해 모의된 최적유량은 2.1 cms였으며, WUA는 $3,730m^2$/1000 m로 나타났다. 두드럭조개의 서식지 평가 결과는 최근 각종 하천 공사 및 생태적 교란 등으로 서식 범위가 감소하고 있는 시점에서 서식지 복원 및 관리를 위한 기초자료로 활용될 수 있을 것이다.

옥상녹화용 인공배합토에서 토심 및 관수주기에 따른 몇몇 자생식물의 생육특성 (Effects of Soil Depth and Irrigation Period on Some of the Native Plants in and Artificial Substrate of Roof Garden)

  • 방광자;주진희;김선혜
    • 한국환경복원기술학회지
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    • 제7권6호
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    • pp.75-83
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    • 2004
  • 본 연구는 경량형 옥상조경 소재로 도입가능성이 높은 자생식물을 중심으로 인공배합토에서 토심과 관수주기에 따른 식물의 생육반응을 검증함으로써 경량이면서 저관리형의 옥상조경을 실현하고 자생식물의 활용성을 높이고자 실시하였으며 그 결과는 다음과 같다. 1. 토심과 관수주기에 상관없이 생육이 양호하였던 수종은 애기기린초(Sedum middendorffianum Maxim)와 두메부추(Allium senescens L.)로 고사율 0%로 나타나 토심 5cm의 무관수의 조건에서도 생육이 가능한 저관리 경량형 옥상녹화에 적용 가능한 소재라 판단된다. 또한 두메부추는 토심 5cm에서 건물률이 높아 충실한 생장을 한 것으로 나타났으나 엽록소 측정을 통한 관상가치에서는 토심 10cm에서 양호한 것으로 나타나 관상가치를 고려한다면 토심 10cm 이상의 옥상녹화에 도입하는 것이 바람직한 것으로 판단된다. 2. 한라구절초(Chrysanthemum zawadskii Herb. Subsp. Coreanum (Nakai) Y. Lee Stat.)와 술패랭이(Diauthus superbus L. var. longicalycinus (Maxim) Williams)는 토심 5cm에서 고사율이 높았으며 생육이 저조하였다. 관수는 토심이 5cm인 경우 반드시 필요한 것으로 나타났으며 토심 10cm에서는 무관수에서도 양호한 생장을 하였다. 따라서 무관수의 저관리 경량형 옥상녹화를 조성하기 위해서는 최소 10cm 이상의 토심을 조성하여 식재하는 것이 바람직한 것으로 판단된다. 3. 목본류인 백리향(Thymus quinquecostatus Celak)은 토심 5cm에서 무관수이거나 3주간의 관수주기에서 90% 이상 고사하였으며 최소 1주간격으로 관수하였을 경우 생육상태가 양호하였다. 특히 토심 10cm에서는 무관수일 경우에도 생육이 우수한 것으로 나타났다. 따라서 토심 10cm에서 저관리 옥상녹화의 조성에 도입 가능한 수종으로 판단된다. 결론적으로, 본 연구에서 실험한 수종은 저관리 경량형 옥상녹화에 도입할 경우 최소 토심 10cm가 적정하며 5cm 이하의 토심에서는 최소 2주일에 1회 이상의 관수를 하는 것이 바람직한 것으로 나타났다. 특히 토심 5cm에서도 애기기린초(Sedium middendorffianum)나 두메부추(Allium senescens L.)와 같은 수종을 도입하였을 경우에는 초경량 저관리의 옥상녹화 조성이 가능한 것으로 나타났다. 본 연구는 자생초화류을 중심으로 토심과 관수와의 관계에 대한 기초적인 자료를 제시한데 그 의의가 있다고 하겠다. 이에 앞으로 다양한 토양과 수종에 대한 개발과 연구가 진행되어야 하며 특히 인공배지에서의 적정시비량과 저토심에서의 목본류에 대한 실험과 연구가 이루어져야 할 것이다.

저서성 대형무척추동물의 서식 특성에 따른 미소서식처 유형화 (Classification of Microhabitats based on Habitat Orientation Groups of Benthic Macroinvertebrate Communities)

  • 김정우;김아름;공동수
    • 한국물환경학회지
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    • 제33권6호
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    • pp.728-735
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    • 2017
  • Many restoration projects are underway to revive disturbed streams. In order to achieve successful stream restoration, a variety of microhabitats should be created to promote biological diversity. Research on biological classification of microhabitats is essential for biological diversity. However, research on classification using only physical environmental factors has been carried out. The purpose of this study is to classify and quantify the microhabitat of the stream by using macroinvertebrates systematically. In this study, eight wadeable streams and four non-wadeable streams were surveyed to identify the benthic macroinvertebrates in these various microhabitats. Among the physical environmental factors (current velocity, water depth, substrate), the particle size of the substrate was the most influential factor in the emergence of the Habitat Orientaion Groups. Among the HOGs, clinger and burrower were highly correlated with physical environment factors and showed the opposite tendency. The distribution of clinger and burrower according to the physical environmental factors showed two tendencies based on the current velocity (0.3 m/s) and water depth (0.4 m). In addition, the particle size of the substrate showed three trends (${\leq}-5.0$, -5.0 < mean diameter ${\leq}-2.0$, > -2.0). Based on the abundance tendency of these two HOGs, the microhabitats were classified into nine types, from a eupotamic microhabitat to a lentic microhabitat. Classification of the microhabitats using HOGs can be employed for creating microhabitats to promote biological diversity in future stream restoration plans.

기판온도와 열처리온도의 변화에 따른 Au/Cr, Au/Ni/Cr 및 Au/Pd/Cr 다층박막의 AES 분석 (AES Analysis of Au, Au/Cr, Au/Ni/Cr and Au/Pd/Cr Thin Films by the Change of Substrate Temperature and Annealing Temperature)

  • 유광수;정형진
    • 분석과학
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    • 제6권2호
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    • pp.217-223
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    • 1993
  • 저항가열식 진공중착기를 이용하여 실온(ambient temp.)과 $250^{\circ}C$에서 알루미나 기판 위에 Au/Cr, Au/Ni/Cr 및 Au/Pd/Cr 박막을 제조하였으며, 공기 중에서 $300^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $600^{\circ}C$의 온도로 각각 1시간 동안 열처리하였다. Au, Ni(또는 Pd) 및 Cr 박막의 두께는 각각 $1000{\AA}$, $300{\AA}$, 및 $50{\AA}$이었다. 박막 제조시 기판의 온도와 박막 제조 후 열처리 온도는 각 층의 상호확산으로 인하여 박막의 면저항값에 영향을 주었다. Auger depth profile 분석결과, Au/Cr 시스템에서는 기판의 온도는 $250^{\circ}C$로 하여 박막을 제조할 때 이미 Cr은 Au 표면으로 확산되었으며, 열처리 후에는 Au의 분포도만 변화하였다. Au/Ni/Cr과 Au/Pd/Cr 시스템의 경우 Ni와 Pd 모두 확산현상이 발견되었으며, 특히 Ni(약 45 at.%)는 Au 박막 표면으로 확산되어 산화되었다.

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MBE에 이한 GaAs 에피택셜층 성장 (GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecuar Beam Epitaxy)

  • 정학기;이재진
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제22권6호
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    • pp.34-40
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    • 1985
  • 분자선 에퍼택시 (MBE)방법을 이용하여 (100) GaAs웨이퍼 위에 GaAs에퍼충을 성장시켜 성장된 충에 대한 여러가지 특성을 조사 ·분석하였다. 분자선 에피택시 방법을 이용하여 CaAs에퍼층을 만들 때에는 기판온도와 As와 Ca의 분자선 밀도비 (As/Ga)가 가장 큰 영향을 미친다. 본 실험에서는 좋은 표면상태를 얻기 위해 480℃∼650℃로 유지시키고 As cell의 온도를 230℃, Ga eel함 온도를 917℃로 고정시켜 As와 Ga의 분자선 밀도비를 5∼10 이상으로 유지시켰다. 제작된 GaAs에피층의 표면상태를 SIMS (Seconde,y ion Mass ipectoscopy), AES(Auger Electron Spectroscopy) , SEM (Scanning Elect.on Mic,oscopy) , RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) 등으로 조사한 결과 기판온도가 540℃일 때 가장 좋은 표면상태를 얻을 수 있었다. 또한 RH-EED관찰 결과 As 안정화된 표면을 관측할 수 있었으며 SIMS로 depth-Profile을 해 본 곁과, Ca 보다 As가 불안정함을 알았다. 또한 반선 회절 검사결과에서 기판온도가 520℃일때와 540℃일때 (400), (200)면에 단결정이 형성되었음을 알 수 있었다.

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루테늄 삽입층에 의한 니켈모노실리사이드의 안정화 (Thermal Stability of Ru-inserted Nickel Monosilicides)

  • 윤기정;송오성
    • 대한금속재료학회지
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    • 제46권3호
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    • pp.159-168
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    • 2008
  • Thermally-evaporated 10 nm-Ni/1 nm-Ru/(30 nm or 70 nm-poly)Si structures were fabricated in order to investigate the thermal stability of Ru-inserted nickel monosilicide. The silicide samples underwent rapid thermal anne aling at $300{\sim}1,100^{\circ}C$ for 40 seconds. Silicides suitable for the salicide process were formed on the top of the single crystal and polycrystalline silicon substrates mimicking actives and gates. The sheet resistance was measured using a four-point probe. High resolution X-ray diffraction and Auger depth profiling were used for phase and chemical composition analysis, respectively. Transmission electron microscope and scanning probe microscope(SPM) were used to determine the cross-sectional structure and surface roughness. The silicide, which formed on single crystal silicon and 30 nm polysilicon substrate, could defer the transformation of $Ni_2Si $i and $NiSi_2 $, and was stable at temperatures up to $1,100^{\circ}C$ and $1,100^{\circ}C$, respectively. Regarding microstructure, the nano-size NiSi preferred phase was observed on single crystalline Si substrate, and agglomerate phase was shown on 30 nm-thick polycrystalline Si substrate, respectively. The silicide, formed on 70 nm polysilicon substrate, showed high resistance at temperatures >$700^{\circ}C$ caused by mixed microstructure. Through SPM analysis, we confirmed that the surface roughness increased abruptly on single crystal Si substrate while not changed on polycrystalline substrate. The Ru-inserted nickel monosilicide could maintain a low resistance in wide temperature range and is considered suitable for the nano-thick silicide process.

나노급 Ir 삽입 니켈실리사이드의 미세구조 분석 (Microstructure Characterization for Nano-thick Ir-inserted Nickel Silicides)

  • 송오성;윤기정;이태헌;김문제
    • 한국재료학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.207-214
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    • 2007
  • We fabricated thermally-evaporated 10 -Ni/(poly)Si and 10 -Ni/1 -Ir/(poly)Si structures to investigate the microstructure of nickel monosilicide at the elevated temperatures required for annealing. Silicides underwent rapid at the temperatures of 300-1200 for 40 seconds. Silicides suitable for the salicide process formed on top of both the single crystal silicon actives and the polycrystalline silicon gates. A four-point tester was used to investigate the sheet resistances. A transmission electron microscope(TEM) and an Auger depth profile scope were employed for the determination of vertical section structure and thickness. Nickel silicides with iridium on single crystal silicon actives and polycrystalline silicon gates shoed low resistance up to 1000 and 800, respectively, while the conventional nickle monosilicide showed low resistance below 700. Through TEM analysis, we confirmed that a uniform, 20 -thick silicide layer formed on the single-crystal silicon substrate for the Ir-inserted case while a non-uniform, agglomerated layer was observed for the conventional nickel silicide. On the polycrystalline silicon substrate, we confirmed that the conventional nickel silicide showed a unique silicon-silicide mixing at the high silicidation temperature of 1000. Auger depth profile analysis also supports the presence of thismixed microstructure. Our result implies that our newly proposed iridium-added NiSi process may widen the thermal process window for the salicide process and be suitable for nano-thick silicides.

레이저 표면경화공정에서 경화층깊이의 실시간 측정을 위한 와전류 전자기장의 이론적 해석 (A Numerical Analysis of Eddy-Current Electromagnetic Field for the In-Process Measurement of Case Depth in Laser Surface Hardening Processes)

  • 박영준;조형석;한유희
    • 대한기계학회논문집
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    • 제18권3호
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    • pp.529-539
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    • 1994
  • In laser heat treatment process of steels, the thin layer of substrate is rapidly heated to the austenitizing temperature and subsequently cooled at a very fast rate due to the self-quenching effect. Consequently, it is transformed to martensitic structure which has low magnetic permeability. This observation facilitates the use of a sensor measuring the change of electromagnetic field induced by the hardening layer. In this paper, the eddy-current electromagnetic field is analyzed by a finite element method. The purpose of this analysis is to investigate how the electrical impedance of the sensor's sensing coil varies with the change in permeability. To achieve this, a numerical model is formulated, taking into consideration the hardening depth, distance of the sensor from the hardened surface and the frequency driving the sensor. The results obtained by numerical simulation show that the eddy-current measurement method can feasibly be used to measure the changing hardening depth within the frequency range from 10 kHz to 50 kHz.

나노인덴테이션과 주사탐침현미경을 이용한 박막 재료의 특성평가 (Characterization of Thin Film Materials by Nanoindentation and Scanning Probe Microscopy)

  • 김봉섭;윤존도;김종국
    • 한국재료학회지
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    • 제13권9호
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    • pp.606-612
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    • 2003
  • Surface and mechanical properties of thin films with submicron thickness was characterized by nanoindentation with Berkovich and Vickers tips, and scanning probe microscopy. Nanoindention was made in a depth range of 15 to 200 nm from the surface by applying tiny force in a range from 150 to $9,000 \mu$N. Stiffness, contact area, hardness, and elastic modulus were determined from the force-displacement curve obtained. Reliability was first tested by using fused quartz, a standard sample. Elastic modulus and hardness values of fused quartz measured were the same as those reported in the literature within two percent of error. Mechanical properties of ITO thin film were characterized in a depth range of 15∼200nm. As indentation depth increased, elastic modulus and hardness decreased by substrate effect. Ion beam deposited DLC thin films were indented in a depth range of 40∼50 nm. The results showed that the DLC thin film using benzene and bias voltage 0∼-50 V has elastic modulus and hardness value of 132 and 18 GPa respectively. Pure DLC thin films showed roughnesses lower than 0.25 nm, but silicon-added DLC thin films showed much higher roughness values, and the wavy surface morphology.

PbO 완충층을 이용한 Pt/Pb1.1Zr0.53Ti0.47O3/PbO/Si (MFIS)의 미세구조와 전기적 특성 (Microstructure and Electrical Properties of the Pt/Pb1.1Zr0.53Ti0.47O3/PbO/Si (MFIS) Using the PbO Buffer Layer)

  • 박철호;송경환;손영국
    • 한국세라믹학회지
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    • 제42권2호
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    • pp.104-109
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    • 2005
  • PbO 완충층의 역할을 확인하기 위해, r.f. magnetron sputtering법을 이용하여 p-type (100) Si 기판 위에 $Pt/Pb_{1.1}Zr_{0.53}Ti_{0.47}O_{3}$와 PbO target으로 Pt/PZT/PbO/Si의 MFIS 구조를 제조하였다. MFIS 구조에 완충층으로 PbO를 삽입함으로써 PZT 박막의 결정성이 크게 향상되었고, 박막의 공정온도도 상당히 낮출 수 있었다. 그리고 XPS depth profile 분석 결과, PbO 증착시 기판온도가 PbO와 Si의 계면에서 Pb의 확산에 미치는 영향을 확인하였다. PbO 완충층을 삽입한 MFIS는 높은 메모리 윈도우와 낮은 누설전류 밀도를 가지는 추수한 전기적 특성을 나타내었다. 특히, 기판온도 $300^{\circ}C$에서 증착된 PbO를 삽입한 Pt/PZT(200nm, $400^{\circ}C)PbO(80nm)/Si$는 9V의 인가전압에서 2.OV의 가장 높은 메모리 윈도우 값을 나타내었다.