Lead zirconate titanate (PZT) thin fills were deposited onto the Pt/Ti/SiO2/Si substrate by the pulsed laser deposition with the second harmonic wavelength (532 nm) of Nd:YAG laser. In order to determine the optimum conditions for the film deposition, the phase of the films were investigated as functions of ambient oxygen pressure, substrate temperature, and laser fluence. Also the chemical composition analysis was conducted for the PZT films deposited under various ambient oxygen pressure. When the distance between substrate and bulk PZT target is set to 20 mm, the optimum conditions have been determined to be 3 torr of oxygen pressure, 1.5 J/cm2 of laser fluence, and 823-848(±10) K range of substrate temperature. At these conditions, perovskite phase PZT films were obtained on platinized silicon. The chemical composition of the films is very similar to that of PZT bulk target. The physical structure of the deposited films analyzed by scanning electron microscopy shows a columnar morphology perpendicular to the substrate surface. Capacitance-Voltage hysteresis loop measurements show also a typical characteristics of ferroelectric thin film. The dielectric constant is found to be 528 for the 0.48 μm thickness of PZT thin film.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.55
no.2
/
pp.96-101
/
2022
The effects of the growth temperature on the structural, optical, and morphological properties of BaWO4:Sm3+ phosphor thin films were investigated. The BaWO4:Sm3+ thin films were grown on quartz substrates at several growth temperatures by radio-frequency magnetron sputtering. All the thin films crystallized in a tetragonal structure with a main BaWO4 (112) diffraction peak. The 830 nm-thick BaWO4:Sm3+ thin films grown at 300 ℃ exhibited numerous polygon-shaped particles. The excitation spectra of BaWO4:Sm3+ thin films consisted of a broad excitation band in the 200-270 nm with a maximum at 236 nm due to the O2--Sm3+ charge transfer and two small bands peaked at 402 and 463 nm, respectively. Under 236 nm excitation, the BaWO4:Sm3+ thin films showed an intense red emission peak at 641 nm due to the 4G5/2→6H9/2 transition of Sm3+, indicating that the Sm3+ ions occupied sites of non-inversion symmetry in the BaWO4 host lattice. The highest emission intensity was observed for the thin film grown at 300 ℃, with a 51.8% transmittance and 5.09 eV bandgap. The average optical transmittance in the wavelength range of 500-1100 nm was increased from 53.2% at 200 ℃ to 60.8% after growing at 400 ℃. These results suggest that 300 ℃ is the optimum temperature for growing redemitting BaWO4:Sm3+ thin films.
Seo, Dong-Wan;Gwon, O-Hyeong;Lee, U-Hyeon;Kim, Ji-Won;Hwang, Gi-Ung
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2013.02a
/
pp.507-507
/
2013
유리기판으로 투과되는 빛들 중에는 내부 전반사나 wave-guided mode로 인하여 손실이 일어나 일반적으로 20%의 광추출 효율을 가진다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 연구에는 Photonic Crystal과 같은 주기적인 나노 구조물이 있는데 이러한 구조물을 제작하기 위한 마스크 공정 과정은 대부분 복잡하거나 비싼 단점이 있다. 이에 본 발표에서는 마스크 없이 비정질소다라임 유리의 구조물 생성으로 광 추출 효율이 상승하는지 보고자 하였다. M-ICP (Magnetized-Induced Coupled Plasma)란 용량 결합형 플라즈마와 유도 결합형 플라즈마 두 가지 방식의 플라즈마를 이용한 것인데 용량 결합형 플라즈마를 이용해 이온이 sheath에 의해 가속되어 유리표면에 부딪히고 그에 따라 유리가 식각되는 물리적 식각을 이용하였다. 또한 이온의 밀도를 조절하기 위해 유도결합형 플라즈마 방식을 이용하여 식각률을 높였다. 화학적 식각을 위해서는 CF4와 O2혼합 가스를 이용해 F가 Si와 결합하여 SiF4가 되어 사라지고 탄소잔여물인 C는 O2와 반응하여 제거하였다. 그 결과, 랜덤한 분포를 가지는 미세한 구조물(stochastic sub-wavelength structure)을 유리 표면에 형성할 수 있었고, 또한 다양한 가스 종류와 압력, source power와 bias power, 그리고 시간을 바꿔가며 미세 구조물들을 관찰하였다. 실험 결과, 가시광선 파장 이하의 높이를 갖고 수 마이크로미터의 너비를 갖는 구조물이 전반사되는 빛을 효율적으로 추출하는 것을 산란되는 빛의 정도인 diffusive transmittance 가 기존 0%에서 15% 정도로 증가하는 것으로 스펙트로포토미터 측정을 통해 확인하였다. 이러한 유리 기판 위 구조물 생성방법을 OLED에 적용한다면 적은 비용으로 소자의 효율을 크게 향상 시킬 수 있을 것이다. 또한 본 처리 과정의 장점은 기존의 방법에 필요한 스퍼터링이나 RTA 처리 과정이 필요 없어 공정 단가 절감과 제조 공정의 단순화로 높은 생산성을 얻을 수 있으며 대면적화에도 유리하다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.4
no.1
/
pp.7-10
/
2003
Single phase CuInS$_2$ thin film with the strongest diffraction peak (112) at diffraction angle (2$\theta$) of 27.7$^{\circ}$ and the second strongest diffraction peak (220) at diffraction angle (2$\theta$) of 46.25$^{\circ}$was well made with chalcopyrite structure at substrate temperature of 70$^{\circ}C$. annealing temperature of 250$^{\circ}C$, annealing time of 60 min. The CuInS$_2$ thin film had the greatest grain size of 1.2 Um when the Cu/In composition ratio of 1.03, where the lattice constant of a and c were 5.60${\AA}$ and 11.12${\AA}$, respectively. The Cu/In stoichiometry of the single-phase CuInS$_2$thin films was from 0.84 to 1.3. The film was p-type when tile Cu/In ratio was above 0.99 and was n-type when the Cu/In was below 0.95. The fundamental absorption wavelength, absorption coefficient and optical band gap of p-type CuInS$_2$ thin film with Cu/In=1.3 were 837nm, 3.OH 104 cm-1 and 1.48 eV, respectively. The fundamental absorption wavelength absorption coefficient and optical energy band gap of n-type CuInS$_2$ thin film with Cu/In=0.84 were 821 nm, 6.0${\times}$10$^4$cm$\^$-1/ and 1.51 eV, respectively.
Red phosphors of $Gd_{1-x}Al_3(BO_3)_4:{Eu_x}^{3+}$ were synthesized by using the solid-state reaction method. The phase structure and morphology of the phosphors were measured using X-ray diffraction (XRD) and field emission-scanning electron microscopy (FE-SEM), respectively. The optical properties of $GdAl_3(BO_3)_4:Eu^{3+}$ phosphors with concentrations of $Eu^{3+}$ ions of 0, 0.05, 0.10, 0.15, and 0.20 mol were investigated at room temperature. The crystals were hexagonal with a rhombohedral lattice. The excitation spectra of all the phosphors, irrespective of the $Eu^{3+}$ concentrations, were composed of a broad band centered at 265 nm and a narrow band having peak at 274 nm. As for the emission spectra, the peak wavelength was 613 nm under a 274 nm ultraviolet excitation. The intensity ratio of the red emission transition ($^5D_0{\rightarrow}^7F_2$) to orange ($^5D_0{\rightarrow}^7F_1$) shows that the $Eu^{3+}$ ions occupy sites of no inversion symmetry in the host. In conclusion, the optimum doping concentration of $Eu^{3+}$ ions for preparing $GdAl_3(BO_3)_4:Eu^{3+}$ phosphors was found to be 0.15 mol.
Lee, Jung Bok;Ahn, Nam Jun;Ahn, Hyung Soo;Kim, Kyung Hwa;Yang, Min
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.32
no.2
/
pp.45-50
/
2022
Ga2O3 thin films were grown on n-type Si substrates at various growth temperatures of 500, 550, 600, 650 and 700℃. The Ga2O3 thin films grown at 500℃ and 550℃ were characterized as featureless flat surface. Grown at higher temperatures (600, 650, and 700℃) showed very rough surface morphology. To figure out the annealing effect on the thin films grown at relatively low temperatures (500, 550, 600, 650 and 700℃), the Ga2O3 films were thermally treated at 900℃ for 10 minutes. Crystal structure of the Ga2O3 films grown at 500 and 550℃ were changed from amorphous to polycrystalline structure with flat surface. Ga2O3 film grown at 550℃ was chosen for the fabrication of a Schottky barrier diode (SBD). Electrical properties of the SBDs depend on the thermal treatment were evaluated. A MSM type photodetector was made on the low temperature grown Ga2O3 thin film. The photocurrent for the illumination of 266 nm wavelength showed 5.32 times higher than dark current at the operating voltage of 10 V.
In spray pyrolysis, the effects of the preparation temperature, flow rate of the carrier gas and concentration of the spray solution on characteristics such as the morphology, size, and emission intensity of $Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu^{2+}$ phosphor powders under long-wavelength ultraviolet light were investigated. The phosphor powders obtained post-treatment had a range of micron sizes with regular morphologies. However, the composition, crystal structure and photoluminescence intensity of the phosphor powders were affected by the preparation conditions of the precursor powders. The $Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu^{2+}$ phosphor powders prepared at temperatures that were lower and higher than $700^{\circ}C$ had low photoluminescence intensities due to deficiencies related to the of Cl component. The phosphor powders with the deficient Cl component had impurity peaks of $Ca_2SiO_4$. The optimum flow rates of the carrier gas in the preparation of the $Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu^{2+}$ phosphor powders with high photoluminescence intensities and regular morphologies were between 40 and 60 l/minute. Phosphor powders prepared from a spray solution above 0.5 M had regular morphologies and high photoluminescence intensities.
Nitrogen-doped $TiO_2$ ($TiO_2$:N) nano-particles with a pure anatase crystalline structure were successfully synthesized through the hydrolysis of $TiCl_4$ in an ammonia aqueous solution. The samples were characterized using X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), $N_2$-sorption, and UV-vis diffuse reflectance spectra (UV-vis DRS) techniques. The absorption edge of nitrogen-doped $TiO_2$ shifted into the visible wavelength region. The photoelectrochemical (PEC) performances were investigated for the $TiO_2$ mesoporous electrodes doped with different nitrogen concentrations. The $TiO_2$:N electrodes exhibited much higher PEC responses compared to the pure $TiO_2$ electrode because of the significantly enhanced visible-photoresponsibility of the $TiO_2$:N electrodes.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.36
no.6
/
pp.582-587
/
2023
The effects of the annealing temperature on the structural, morphological, and luminescent properties of SrWO4:Sm3+ thin films grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering were investigated. The thin films were annealed at various annealing temperatures for 20 min in a rapid thermal annealer after growing the thin films. The experimental results showed that the annealing temperature has a significant effect on the properties of the SrWO4:Sm3+ thin films. The crystal structure of the as-grown SrWO4:Sm3+ thin films was transformed from amorphous to crystalline after annealing at 800℃. The preferred orientation along (112) plane and a significant increase in average grain size by 820 nm were observed with increasing the annealing temperature. The average optical transmittance in the wavelength range of 500~1,100 nm was decreased from 72.0% at 800℃ to 44.2% at an annealing temperature of 1,000℃, where the highest value in the photoluminescence intensity was obtained. In addition to the red-shift of absorption edge, a higher annealing temperature caused the optical band gap energy of the SrWO4:Sm3+ thin films to fall rapidly. These results suggest that the structural, morphological, and luminescent properties of SrWO4:Sm3+ thin films can be controlled by varying annealing temperature.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.19
no.5
/
pp.437-441
/
2006
The red emitting OLEDs using $Alq_3$:Rubrene-GDI4234 phosphors have been fabricated and characterized . In the device fabrication, 2- TNATA [4,4',4' - tris (2- naphthylphenyl - phenylamino ) - tripheny lamine] as the hole injection material and NPB [N,N'-bis (1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] as the hole transport material were deposited on the ITO(indium tin oxide)/glass substrate by vacuum evaporation. And then, red color emissive layer was deposited using $Alq_3$ as the host material and Rubrene(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene)-GDI4234 as the dopants. finally, small molecule OLEDs with structure of ITO/2-TNATA/NPB/$Alq_3$:Rubrene-GDI4234/$Alq_3$/LiF/Al were obtained by in-situ deposition of $Alq_3$, LiF and Al as the electron transport material, electron injection material and cathode, respectively. Red OLEDs fabricated in our experiments showed the color coordinate of CIE(0.65, 0.35) and the maximum power efficiency of 2.1 lm/W at 7 V with the peak emission wavelength of 632 nm.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.