• 대한치과교정학회지
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• 제1권1호
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• pp.9-14
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• 1970

저자는 현재 Light-Wire Technique에서 많이 사용되는 0.016" 및 0.018"의 원형 녹색 "Elgiloy" 교정용 탄선의 Residual Stress가 열처리에 의하여 제거되는 양을 Testing Jig를 사용하여 측정하였다. 그 결과는 다음과 같다. 1. 0.016" 및 0.018"의 원형 녹색 "Elgiloy" 교정용 탄선은 열처리 시 온도의 증가에 따라 제거되는 Residual stress의 양도 증가한다. 2. 동일 온도조건에서 시간조건의 변화에 따른 Residual Stress의 제거치는 차이는 있었으나 현저하다고 인정할 수 없다. 3. 통상적 열처리 방법에 의하면 제거된 Residual Stress의 양은 0.016"인 경우 $26.95\%\~38.54\%$, 0.018"인 경우 $27.06\%\~41.05\%$이다. 4. $950^{\circ}F$에서 열처리했을 시 제거된 Residual Stress의 양은 0.016"인 경우 $38.54\%\~43.16\%$, 0.018"인 경우 $41.05\%\~44.56\%$이다.

• 한국환경농학회지
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• 제18권4호
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• pp.361-365
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• 1999

본 연구는 우리 나라 콩 장려품종인 검정콩1호를 대상으로 100mM NaCl 처리에 따른 30일묘의 생육특성 및 광합성 반응을 조사하여 다음과 같은 결과를 얻었기에 보고하는 바이다. NaCl stress에 의한 콩 유묘는 뿌리혹이 전혀 형성되지 않았으며, 잎의 건물중이 77.3% 감소로 염해가 가장 크게 나타났으며, 경직경의 감소는 가장 적었다. 그러나 수분함량은 NaCl stress로 증가하였는데 잎이 가장 많은 수분함량을 보였다. 또한 엽위별 엽두께는 NaCl stress로 두꺼워졌으며, 잎의 수분포텐셜은 낮아졌다. 엽록소함량은 NaCl stress로 감소하였으며 생육이 진전됨에 따라 감소되었지만 무처리는 증가하는 경향을 보였다. 광합성, 기공전도도, 증산량 모두 NaCl stress로 감소하였으며 NaCl stress에 의한 엽의별 차이는 적은 것을 알 수 있었다.

• 한국축산식품학회지
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• 제25권3호
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• pp.350-356
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• 2005

Probiotics로서의 활성이 높은 Lactobacillus acidophilus 30SC의 생존성을 증진시키기 위한 기초 자료를 얻고자, heat shock stress를 가한 후 생균수를 측정하고, 생존율의 변화를 통해 고온 처리에 의한 고온 및 냉동 내성의 증진 효과를 평가하였다. 또한 열처리 동안 새로이 발현되는 단백질을 1차원 및 2차원 전기영동을 이용하여 확인하였으며, 주사전자현미경을 사용하여 세포 모양을 관찰하였다. L. acidophilus 30SC는 $55^{\circ}C$의 heat shock stress를 받았을 때 생존 균수가 감소하는 것으로 나타났다. 나머지 처리구는 $37^{\circ}C$에서 계속 배양한 것과 별다른 차이를 나타내지 않았다. 특히 $45^{\circ}C$로 heat shock stress를 준 경우 $37^{\circ}C$에서 배양한 것과 거의 동일하였다. L. acidophilus 30SC에 $45^{\circ}C$로 heat shock stress를 가한 뒤 추가로 55 및 $60^{\circ}C$에 노출시켰을 때 가장 높은 생존율을 나타냈고, 치사 수준인 $55^{\circ}C$의 heat shock stress를 받은 후 $55^{\circ}C$ 및 $60^{\circ}C$에 노출되었을 때 생존율이 급격히 감소하는 경향을 보였다. L. acidophilus 30SC에 $55^{\circ}C$로 15분 Heat shock stress를 준 경우 약 22와 25 kDa의 단백질들이 새로이 발현된 것으로 나타났으나, 24와 27 kDa로 추정되는 단백질의 발현 정도는 낮았음을 확인하였다. 2차원 전기영동을 실시한 결과, $37^{\circ}C$에서 배양한 대조구와 비교할 때 $55^{\circ}C$로 heat shock stress를 준 경우 새로이 5개의 protein spot을 발견할 수 있었다. 주사전자현미경으로 세포의 형태를 관찰한 결과 heat shock stress를 준 경우에는 세포의 길이가 신장되는 경향을 나타내었다.

• KSBB Journal
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• 제11권1호
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• pp.52-57
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• 1996

평활근 세포에 대한 shear stress의 영향을 알아보기 위해 슬라이드 글라스위에 배양된 牛 대통맥의 평활근 세포를 120시간 동안 0~26 dyn/$cm^2$의 각기 다른 일정한 shear stress의 유체에 노출하였다. 실험 장치를 순환하는 배지의 lactate dehydrogen­a ase의 농도측정 결과, 본 연구에서 적용된 shear stress 범위에서는 유체의 흐름으로 인하여 세포가 슬라이드 글라스 표면으로부터 이탈되는 현상은 없었다. 표면 $cm^2$ 당 존재하는 세포의 수를 측정한 결과, 평활근 세포는 정체배양시 가장 빨리 성장하였다. 표변에서의 shear stress가 증가할수록 i영활근 세포의 성장은 늦었으며, shear stress가 17 dyn/$cm^2$ 이상에서는 세포의 성장이 관찰되지 않았다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.272-272
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• 2014

니켈-텅스텐 합금은 hydrogen evolution reaction의 electrocatalytic으로 이용가능하다. 니켈-텅스텐 합금 도금은 니켈에 비해 큰 텅스텐의 원자 부피에 의해 큰 internal stress를 갖는다. 니켈-텅스텐 합금과 낮은 adhesion을 갖는 물질에 도금을 하여 외부에서 stress를 가하면 큰 표면적을 갖는 니켈-텅스텐 편상 합금을 얻을 수 있다. 도금 시간 및 외부의 stress를 이용하여 다양한 크기의 니켈-텅스텐 편상 합금 분물을 얻을 수 있었다.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제8권2호
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• pp.18-25
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• 1978

가토뇨중(家兎尿中) Vanillylmandelic Acid(VMA)배설양(排泄量)의 변화(變化)에서 약물반응(藥物反應)과 circadian rhythm을 추구(追求)하기 위(爲)하여 가토(家兎)에 대(對)해 각종(各種) stress를 가(加)하고, 이에 의(依)한 VNA치(値) 증가(增加)에 대(對)한 유효성(有?性)을 몇가지 약제(藥劑)에서 찾기 위(爲)해 전기(電氣) stress를 미리 가(加)한 가토(家兎)에 대(對)하여 투여(投與)하고 이들 뇨중(尿中) VMA치(値)를 측정(測定)해 하였다. 정상상태(正常狀態)의 가토(家兎) 1일뇨중(日尿中)의 VMA치(値)는 평균(平均) $19.17{\times}10^{-2}mg/24hrs$였다. 전기(電氣) stress를 가(加)한 가토뇨중(家兎尿中)의 VMA치(値)는 평균(平均) $28^{\cdot}87{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 가장크게 증가(增加)하였고, 소음(騷音) stress를 가(加)하였더니 평균(平均) $27.39{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 증가(增加)하였으며, 조명(照明) stress를 가(加)했을때는 평균(平均) $19.10{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 거의 변화(變化)가 없었다. 전기(電氣) stress를 가(加)한 가토(家兎)에 reserpine을 투여(投與)했더니 평균(平均) VMA치(値)가 $18.90{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 배설억제효과(排泄抑制?果)가 가장 좋았고, 산조인탕(酸棗仁湯)을 투여(投與)했을때 평균(平均) $25.76{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 억제(抑制)되었으며, 인삼(人蔘)엑기스를 투여(投與)했을때 평균(平均) $28.14{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 효과(效果)가 거의 없었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권4호
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• pp.57-63
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• 2008

본 논문에서는 Contact Etch Stop Layer (CESL)인 nitride film의 mechanical stress에 의해 인가되는 channel stress가 소자 특성에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 잘 알려진 바와 같이 NMOS는 tensile stress와 PMOS에서는 compressive stress가 인가되었을 경우 drain current가 증가하였으며 그 원인을 체계적으로 분석하였다. NMOS의 경우 tensile stress가 인가됨으로써 back scattering ratio ($\tau_{sat}$)의 감소와 thermal injection velocity ($V_{inj}$)의 증가로 인해 mobility가 개선됨을 확인하였다. 또한 $\tau_{sat}$, 의 감소는 온도에 따른 mobility의 감소율이 작고, 그에 따른 mean free path ($\lambda_O$)의 감소율이 작기 때문인 것으로 확인되었다. 한편 PMOS의 compressive stress 경우에는 tensile stress에 비해 온도에 따른 mobility의 감소율이 크기 때문에 channel back scattering 현상은 심해지지만 source에서의 $V_{inj}$가 큰 폭으로 증가함으로써 mobility가 개선됨을 확인 할 수 있었다. 따라서 CES-Layer에 의해 인가된 channel stress에 따른 소자 특성의 변화는 inversion layer에서의 channel back scattering 현상과 source에서의 thermal injection velocity에 매우 의존함을 알 수 있다.

• 생명과학회지
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• 제19권8호
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• pp.1159-1163
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• 2009

ER stress에 관련된 유전자의 기능변화와 전사조절인자 분석하기 위해 ER stress를 유도한 간세포에서 expression microarray로 유전자 발현을 확보한 후 GSECA로 분석하였다. ER stress가 유도되면, ER에 주어지는 과도한 부하를 감소시키는 기능들이 증가하는 반면, ER stress가 더 증가함에 따라 ATP 생성이나 DNA repair, 더 나아가 세포분열의 기능이 감소하는 등 세포가 damage을 받음을 알 수 있었다. ER stress에 관련된 전사조절인자로는 FOX04, AP-1, FOX03, HNF4, IRF-1, GATA 등의 전사조절인자들이 ER stress에 의해 발현이 증가하는 유전자들의 promoter에 공통적으로 존재하였으며, E2F, Nrf-1, Elk-1, YY1, CREB, MTF-1, STAT-1, ATF 등의 전사인자들이 발현이 감소하는 유전자들의 promoter에서 공통적으로 존재하여, 이들의 전사인자들이 ER stress에 의한 유전자의 발현조절에 중요한 역할을 하는 전사조절인자임을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.411-412
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• 2012

대부분의 상용 LED는 사파이어기판에 성장된 GaN를 기반으로 사용한다. GaN는 $1,000^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 성장이 이루어지는데 이 경우 GaN과 사파이어 기판과의 높은 열팽창 계수로 인하여 compressive stress를 받게 된다. 이 compressive stress로 인하여 성장된 GaN wafer에 bowing이 일어나게 되고 이는 기판의 대면적화에 커다란 문제로 작용한다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 방법이 고안되고 있지만 [1,2], 근본적으로 wafer bowing 문제의 해결은 이루어지고 있지 않다. 한편, 일반적으로 박막을 성장할 때 columnar structure를 가지는 박막이 coalescence되면 박막에 tensile stress가 걸린다는 사실이 알려져 있으며 [3], GaN를 저온에서 성장할 경우 columnar structure를 갖는다는 사실이 보고되었다 [4]. 본 연구에서는 이런columnar structure를 갖는 GaN을 이용하여 wafer bowing 문제가 해결된 GaN 박막 성장을 연구하였다. 본 실험에서는, c-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 nano-columnar structure를 갖는 저온 GaN layer을 성장하였다. 그 후 columnar structure를 유지하면서 $1,040^{\circ}C$까지 annealing한 후 고온에서 flat 한 GaN 박막을 nano-columnar structure GaN layer위에 성장 하였다. 우선 저온 GaN layer가 nano-columnar structure를 갖고, 고온에서도 nano-columnar structure가 유지되는 것을 scanning electron microscopy (SEM)과 transmission electron microcopy (TEM)을 통해 확인하였다. 또한 이런 columnar structure 위에 고온에서 성장시킨 flat한 GaN 박막이 성장된 것을 관찰할 수 있었다. 성장된 GaN박막의 wafer bowing 정도를 측정한 결과, columnar structure를 갖고 있는 고온 GaN 박막이 일반적인 GaN에 비해 확연하게 wafer bowing이 감소된 것을 확인할 수 있었다. Columnar structure가 coalescence가 되면서 생기는 tensile stress가 GaN박막의 성장시 발생하는 compressive stress를 compensation하여 wafer bowing이 줄어든 것으로 보인다. 본 발표에서는 이 구조에 대한 구조 및 stress 효과에 대해서 논의할 예정이다.

• 동의신경정신과학회지
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• 제4권1호
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• pp.19-26
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• 1993

1. Stressor 는 한의학에서의 발병원인인 내인, 외인, 불내외인을 모두 지칭하고, 특히 심인적 stressor는 칠정으로 설명 될 수 있다. 2. 질병의 발생은 병인작용이 과도하거나 생체자체의 저항력이 약해졌거나 혹은 이들의 복합적인 원인으로 말미암아 발생하는 데, 한의학에서는 이를 정기와 사기의 관계로 설명하였다. 3. 칠정은 오장과 연관된 정신상태가 감정의 형태로 밖으로 표출되는 것인데, 칠정이 지나치면 정신상 과도한 자극이 되어 질병을 발생하게 된다. 4. Stress로 유발되는 질환은 직접 오장을 상하거나 또는 장부기기의 이상을 초래 하여 발생하는데 전. 광. 간, 탈영. 실정, 중기증, 심풍증,기울증, 기통증등의 질환이 언급되었음을 볼 수 있다. 5. Stress에 대처함에 있어서는 자연환경에의 조화, 허심합도, 정의 보존, 음식유절, 기기조절법 등으로 심신의 균형을 이룸이 필요하다.