• The korean journal of orthodontics
• /
• v.1 no.1
• /
• pp.9-14
• /
• 1970

저자는 현재 Light-Wire Technique에서 많이 사용되는 0.016" 및 0.018"의 원형 녹색 "Elgiloy" 교정용 탄선의 Residual Stress가 열처리에 의하여 제거되는 양을 Testing Jig를 사용하여 측정하였다. 그 결과는 다음과 같다. 1. 0.016" 및 0.018"의 원형 녹색 "Elgiloy" 교정용 탄선은 열처리 시 온도의 증가에 따라 제거되는 Residual stress의 양도 증가한다. 2. 동일 온도조건에서 시간조건의 변화에 따른 Residual Stress의 제거치는 차이는 있었으나 현저하다고 인정할 수 없다. 3. 통상적 열처리 방법에 의하면 제거된 Residual Stress의 양은 0.016"인 경우 $26.95\%\~38.54\%$, 0.018"인 경우 $27.06\%\~41.05\%$이다. 4. $950^{\circ}F$에서 열처리했을 시 제거된 Residual Stress의 양은 0.016"인 경우 $38.54\%\~43.16\%$, 0.018"인 경우 $41.05\%\~44.56\%$이다.

• Korean Journal of Environmental Agriculture
• /
• v.18 no.4
• /
• pp.361-365
• /
• 1999

This atudy was conducted to determine the growth characteristics and photosynthesis of soybean (Glycine max L. cv. Keumjongkongl) 30 day old seedling to 100mM NaCl concentration containing 1/2 Hoagland`s nutrient solution in sand culture. The nodule formation of root is not found perfectly with NaCl stress. The leaf dry matter weight (g/plant) of stressed plant is more reduction in 77% to control than any other characters. The water content (%) is tend to increase but water potential (MPa) is tend to decrease at NaCl stress. The chlorophyll content (SPAD) is tend to increase at growing leaf age of control but decrease at NaCl stress. The photosynthesis, stomatal conductance and transpiration are tend to decrease sharply at NaCl stress.

• Food Science of Animal Resources
• /
• v.25 no.3
• /
• pp.350-356
• /
• 2005

We examined the enhancement of thermotolerance for storage conferred on Lactobacillus acidophilus 30SC by adaptation to different stresses. The viable cells of Lactobacillus acidophilus 30SC were compared with their viability prior to heating at $45,\;55^{\circ}C\;and\;60^{\circ}C$. Heat-adapted ($45^{\circ}C$ for 15 min) L. acidophilus 30SC in MRS broth exhibited higher survivability at lethal temperature of $55^{\circ}C$ than control. Cellular protein profiles of L. acidophilus 30SC during heat adaptation were examined with SDS-PAGE, and scanning electron microscopy. When L. acidophilus 30SC was heat-adapted at $55^{\circ}C$ for 15min, 5 new protein spots of ca $8\~45\;kDa$ size were observed on 2D SDS-PAGE. It was presumed that new proteins of L. acidophilus 30SC were produced to adapt to the environment of higher growth temperature.

• KSBB Journal
• /
• v.11 no.1
• /
• pp.52-57
• /
• 1996

Bovine aortic smooth muscle cells cultured on the slide glass were exposed to sheared flow up to 120 hours in flow chamber to see the effect of shear stress on cell growth in wall shear stresses of 0 to 26dyn/$cm^2$. From lactate dehydrogenase concentration measurement of the circulating medium, it was shown that sheared flow in the shear stress range did not remove additional smooth muscle cells from the slide glass compared with cells in stationary condition. According to smooth muscle cell counting per$cm^2$ of the surface, smooth muscle cells grew fastest in the stationary condition. As the wall shear stress increased, the growth of cells became slower. When the wall shear stress increased over 17dyn/$cm^2$, cell growth was not observed throughout the experiment.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2014.11a
• /
• pp.272-272
• /
• 2014

니켈-텅스텐 합금은 hydrogen evolution reaction의 electrocatalytic으로 이용가능하다. 니켈-텅스텐 합금 도금은 니켈에 비해 큰 텅스텐의 원자 부피에 의해 큰 internal stress를 갖는다. 니켈-텅스텐 합금과 낮은 adhesion을 갖는 물질에 도금을 하여 외부에서 stress를 가하면 큰 표면적을 갖는 니켈-텅스텐 편상 합금을 얻을 수 있다. 도금 시간 및 외부의 stress를 이용하여 다양한 크기의 니켈-텅스텐 편상 합금 분물을 얻을 수 있었다.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.18-25
• /
• 1978

가토뇨중(家兎尿中) Vanillylmandelic Acid(VMA)배설양(排泄量)의 변화(變化)에서 약물반응(藥物反應)과 circadian rhythm을 추구(追求)하기 위(爲)하여 가토(家兎)에 대(對)해 각종(各種) stress를 가(加)하고, 이에 의(依)한 VNA치(値) 증가(增加)에 대(對)한 유효성(有?性)을 몇가지 약제(藥劑)에서 찾기 위(爲)해 전기(電氣) stress를 미리 가(加)한 가토(家兎)에 대(對)하여 투여(投與)하고 이들 뇨중(尿中) VMA치(値)를 측정(測定)해 하였다. 정상상태(正常狀態)의 가토(家兎) 1일뇨중(日尿中)의 VMA치(値)는 평균(平均) $19.17{\times}10^{-2}mg/24hrs$였다. 전기(電氣) stress를 가(加)한 가토뇨중(家兎尿中)의 VMA치(値)는 평균(平均) $28^{\cdot}87{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 가장크게 증가(增加)하였고, 소음(騷音) stress를 가(加)하였더니 평균(平均) $27.39{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 증가(增加)하였으며, 조명(照明) stress를 가(加)했을때는 평균(平均) $19.10{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 거의 변화(變化)가 없었다. 전기(電氣) stress를 가(加)한 가토(家兎)에 reserpine을 투여(投與)했더니 평균(平均) VMA치(値)가 $18.90{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 배설억제효과(排泄抑制?果)가 가장 좋았고, 산조인탕(酸棗仁湯)을 투여(投與)했을때 평균(平均) $25.76{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 억제(抑制)되었으며, 인삼(人蔘)엑기스를 투여(投與)했을때 평균(平均) $28.14{\times}10^{-2}mg/24hrs$로 효과(效果)가 거의 없었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.45 no.4
• /
• pp.57-63
• /
• 2008

In this paper, the dependence of MOSFET performance on the channel stress is characterized in depth. The tensile and compressive stresses are applied to CMOSFET using a nitride film which is used for the contact etch stop layer (CESL). Drain current of NMOS and PMOS is increased by inducing tensile and compressive stress, respectively, due to the increased mobility as well known. In case of NMOS with tensile stress, both decrease of the back scattering ratio ($\tau_{sat}$) and increase of the thermal injection velocity ($V_{inj}$) contribute the increase of mobility. It is also shown that the decrease of the $\tau_{sat}$ is due to the decrease of the mean free path ($\lambda_O$). On the other hand, the mobility improvement of PMOS with compressive stress is analyzed to be only due to the so increased $V_{inj}$ because the back scattering ratio is increased by the compressive stress. Therefore it was confirmed that the device performance has a strong dependency on the channel back scattering of the inversion layer and thermal injection velocity at the source side and NMOS and PMOS have different dependency on them.

• Journal of Life Science
• /
• v.19 no.8
• /
• pp.1159-1163
• /
• 2009

It has been postulated that endoplasmic (ER) stress is involved in the development of several diseases. However, the detailed molecular mechanisms have not been fully understood. Therefore, we characterized a genetic network of genes induced by ER stress using cDNA microarray and gene set expression coherence analysis (GSECA), and identified gene function as well as several transcription regulators associated with ER stress. We analyzed time-dependent gene expression profiles in thapsigargin-treated Sk-Hep1 using an oligonucleotide expression chip, and then selected functional gene sets with significantly high expression coherence which was processed into functional clusters according to the expression similarities. The functions related to sugar binding, lysosome, ribosomal protein, ER lumen, and ER to golgi transport increased, whereas the functions with mRNA processing, DNA replication, DNA repair, cell cycle, electron transport chain and helicase activity decreased. Furthermore, functional clusters were investigated for the enrichment of regulatory motifs using GSECA, and several transcriptional regulators associated with regulation of ER-induced gene expression were found.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.411-412
• /
• 2012

대부분의 상용 LED는 사파이어기판에 성장된 GaN를 기반으로 사용한다. GaN는 $1,000^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 성장이 이루어지는데 이 경우 GaN과 사파이어 기판과의 높은 열팽창 계수로 인하여 compressive stress를 받게 된다. 이 compressive stress로 인하여 성장된 GaN wafer에 bowing이 일어나게 되고 이는 기판의 대면적화에 커다란 문제로 작용한다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 방법이 고안되고 있지만 [1,2], 근본적으로 wafer bowing 문제의 해결은 이루어지고 있지 않다. 한편, 일반적으로 박막을 성장할 때 columnar structure를 가지는 박막이 coalescence되면 박막에 tensile stress가 걸린다는 사실이 알려져 있으며 [3], GaN를 저온에서 성장할 경우 columnar structure를 갖는다는 사실이 보고되었다 [4]. 본 연구에서는 이런columnar structure를 갖는 GaN을 이용하여 wafer bowing 문제가 해결된 GaN 박막 성장을 연구하였다. 본 실험에서는, c-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 nano-columnar structure를 갖는 저온 GaN layer을 성장하였다. 그 후 columnar structure를 유지하면서 $1,040^{\circ}C$까지 annealing한 후 고온에서 flat 한 GaN 박막을 nano-columnar structure GaN layer위에 성장 하였다. 우선 저온 GaN layer가 nano-columnar structure를 갖고, 고온에서도 nano-columnar structure가 유지되는 것을 scanning electron microscopy (SEM)과 transmission electron microcopy (TEM)을 통해 확인하였다. 또한 이런 columnar structure 위에 고온에서 성장시킨 flat한 GaN 박막이 성장된 것을 관찰할 수 있었다. 성장된 GaN박막의 wafer bowing 정도를 측정한 결과, columnar structure를 갖고 있는 고온 GaN 박막이 일반적인 GaN에 비해 확연하게 wafer bowing이 감소된 것을 확인할 수 있었다. Columnar structure가 coalescence가 되면서 생기는 tensile stress가 GaN박막의 성장시 발생하는 compressive stress를 compensation하여 wafer bowing이 줄어든 것으로 보인다. 본 발표에서는 이 구조에 대한 구조 및 stress 효과에 대해서 논의할 예정이다.

• Journal of Oriental Neuropsychiatry
• /
• v.4 no.1
• /
• pp.19-26
• /
• 1993

1. Stressor 는 한의학에서의 발병원인인 내인, 외인, 불내외인을 모두 지칭하고, 특히 심인적 stressor는 칠정으로 설명 될 수 있다. 2. 질병의 발생은 병인작용이 과도하거나 생체자체의 저항력이 약해졌거나 혹은 이들의 복합적인 원인으로 말미암아 발생하는 데, 한의학에서는 이를 정기와 사기의 관계로 설명하였다. 3. 칠정은 오장과 연관된 정신상태가 감정의 형태로 밖으로 표출되는 것인데, 칠정이 지나치면 정신상 과도한 자극이 되어 질병을 발생하게 된다. 4. Stress로 유발되는 질환은 직접 오장을 상하거나 또는 장부기기의 이상을 초래 하여 발생하는데 전. 광. 간, 탈영. 실정, 중기증, 심풍증,기울증, 기통증등의 질환이 언급되었음을 볼 수 있다. 5. Stress에 대처함에 있어서는 자연환경에의 조화, 허심합도, 정의 보존, 음식유절, 기기조절법 등으로 심신의 균형을 이룸이 필요하다.