본 연구에서는 복합막의 제조공법으로 가장 광범위하게 쓰이는 계면중합법을 이용하여 나노복합막을 제조하였다. Monomer의 농도 및 조성, curing 조건, 후처리 조건과 같은 복합막 제조조건과, 운전압력, 공급액의 농도와 같은 운전인자에 의한 막성능 변화를 조사하였고, 계면중합 과정중에 첨가제를 사용하여 막의 유효면적을 확대하여 투과유속을 증가시키고자 하였다. Monomer의 농도가 증가함에 따라 배제능은 일정하였지만 투과유속이 감소하였고, curing 온도가 증가함에 따라서는 오히려 안정적인 박막층의 형성이 저해되어서 배제능과 투과유속이 모두 감소하였고, curing 시간에 따른 막성능의 변화는 나타나지 않았다. Test solution의 농도가 올라감에 따라서 투과유속과 배제능 모두 감소하였으며, 운전압력이 증가함에 따라서는 배제능과 투과유속 모두 향상하는 경향을 보였다. 계면중합과정중에 사용하는 아민단량체(amine monomer) 중 방향족 다이아민(aromatic amine)인 MPD의 함량을 높임에 따라서 배제능은 증가하였지만 투과유속은 현저하게 떨어졌다. 첨가제의 농도에 따른 표면 거칠기 증가 경향은 MPD가 포함된 amine 조성일 때가 더 높았지만 투과유속은 piperazine만 단독으로 사용하였을 때보다 떨어졌다.
PMMA 판재를 생산하기 위한 두 가지 형태의 방법이 있는 데 셀 주형 방법과 벨트 주형 방법이다. 그러나 이 방법들은 생산성이나 생산 단가 면에서 각각의 단점을 갖고 있다. 그러므로 고분자 가공연구자들은 플라스틱 필름을 주형으로 이용하여 PMMA 판재를 생산하는 새로운 가공 방법기 개발에 많은 관심을 갖게 되었는데 그 이유는 이러한 새로운 가공 방법이 벨트 주형 방법의 생산 단가를 낮출 수 있을 뿐만 아니라 셀 주형 방법의 생산성을 향상시킬 수 있기 때문이다. 그러한 새로운 주형 방법의 개발에 대한 하나의 해결책을 주기 위하여 본 연구에서는 MMA 배합물의 조성 및 경화 조건 PMMA 판재의 가공성 및 기계적 강도에 미치는 영향을 조사하였다. 폴리(비닐 아세테이트) 필름이 PMMA 판재의 생산을 위한 플라스틱 필름 주형으로 사용되었다. 우수한 가공성 및 경화 후 우수한 기계적 특성을 나타내는 MMA 배합물을 결정하기 위하여 성분 및 그들의 조성이 단계적으로 최적화 되었다. 결합제 및 개질제로 작용하는 아크릴산이 PMMA 판재의 기계적 특성의 향상에 중요한 역할을 하는 것으로 나타났다.
휴대용기기에 대한 경박단소 및 빠른 속도에 대한 요구는 반도체 패키징 기술에도 변화를 가져왔다. 이에 대한 대응의 하나로 stacked chip scale package(SCSP)가 업계에서 사용되고 있다. SCSP를 구현하기 위한 핵심소재 중의 하나가 die attach film(DAF)이다. 특히, 다이와 기판을 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 경우, DAF의 접착필름은 기판의 단차나 본딩 와이어 사이를 기공의 발생 없이 채우기 위해 우수한 고온 유동성이 요구된다. 그러나 이 경우 경화 크랙의 발생을 최소화하기 위해 2단계 경화가 종종 요구되나, 공정시간 단축을 위해서는 1단계 경화가 바람직하다. 본 연구에서는 DAF 접착필름의 조성물을 경화 성분(에폭시 수지), 유연 성분(고무성분), 딱딱한 성분(페녹시수지, 실리카), 3개 군으로 분류하고, 조성물의 변화에 따른 1단계 경화시 경화 크랙, 고온 유동성, die attach (DA) 기공발생에 대한 영향을 혼합물 실험 설계법를 통해 살펴보았다. 경화 크랙은 딱딱한 성분 함량에 가장 크게 영향을 받았으며, 함량이 증가할수록 경화 크랙이 감소하였다. DA 기공의 발생은 딱딱한 성분의 함량이 감소할수록 감소하였으며, 특히, 딱딱한 성분의 함량이 적은 경우는 경화 성분의 함량이 감소할수록, 기공의 발생이 억제되었다. 고온 유동성은 100℃ 저장탄성 계수와 120℃에서의 블리드 아웃(BL-120)으로 평가되었다. 100℃의 고온 저장탄성률은 딱딱한 성분의 감소가 중요하였고, 유동성 지표인 BL-120의 경우는 경화 성분의 함량의 증가와 딱딱한 성분의 감소가 동시에 중요하였다.
Objectives: In this study, we evaluated the antibacterial activity of self-etching adhesive systems against Streptococcus mutans using the agar diffusion method. Materials and Methods: Three 2-step systems, Clearfil SE Bond (SE, Kuraray), Contax (CT, DMG), and Unifil Bond (UnB, GC), and three 1-step systems, Easy Bond (EB, 3M ESPE), U-Bond (UB, Vericom), and All Bond SE (AB, BISCO) were used. 0.12% chlorhexidine (CHX, Bukwang) and 37% phosphoric acid gel (PA, Vericom) were used as positive controls. Results: The antibacterial activity of CHX and PA was stronger than that of the other groups, except SE. After light activation, the inhibition zone was reduced in the case of all 2-step systems except CT. However, all 1-step systems did not exhibit any inhibition zone upon the light activation. Conclusions: SE may be better than CT or UnB among the 2-step systems with respect to antibacterial activity, however, 1-step systems do not exhibit any antibacterial activity after light curing.
Device performance for the 45 and 32 nm node CMOS technology requires the integration of ultralow-k materials. To lower the dielectric constant for PECVD and spin-on materials, partial replacement of the solid network with air (k=1.01) appears to be more intuitive and direct option. This can be achieved introducting of second "labile" phase during depositoin that is removed during a subsequent UV curing and annealing step. Besides, with shrinking line dimensions the resistivity of barrier films cannot meet the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) requirements. To solve this issue self-forming diffusion barriers have drawn attention for great potential technique in meeting all ITRS requirments. In this present work, we report a Cu-V alloy as a materials for the self-forming barrier process. And we investigated diffusion barrier properties of self-formed layer on low-k dielectrics with or without UV curing treatment. Cu alloy films were directly deposited onto low-k dielectrics by co-sputtering, followed by annealing at various temperatures. X-ray diffraction revealed Cu (111), Cu (200) and Cu (220) peaks for both of Cu alloys. The self-formed layers were investigated by transmission electron microscopy. In order to compare barrier properties between V-based interlayer on low-k dielectric with UV curing and interlayer on low-k dielectric without UV curing, thermal stability was measured with various heat treatment temperature. X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed that chemical compositions of self-formed layer. The compositions of the V based self-formed barriers after annealing were strongly dominated by the O concentration in the dielectric layers.
In order to achieve an oriental lacquer (OL) film with a thick consistency, UV-curable silicone acrylate (SA) was added to OL by a dual curing process. The addition of 5 wt% UV-curable SA to the OL fomulation enabled the preparation via a single drying step of a $77{\mu}m-thick$ film exhibiting excellent surface properties. FTIR-ATR was used to investigate the effect of UV-curable SA on the behavior of film formation during curing, and the relaxation behavior of the produced films was investigated by dielectric spectroscopy. Dielectric properties were measured in the frequency range $10^{-2}-10^5\;Hz$ at various temperatures between -100 and $200^{\circ}C$. The results demonstrated that OL modified by UV-curable SA has a higher glass transition temperature and stronger secondary relaxation at a lower temperature than the conventional OL system. The OL film modified with UV-curable SA was presumed to be harder at the surface and tougher than conventional OL film.
본 연구는 광중합 충전 재료의 적층 방법에 따른 중합수축 양상을 스트레인 게이지를 이용하여 측정하고, 이를 응력으로 환산하여 치면에 미치는 영향을 평가하였다. 발거된 영구치 70개의 치경부에 가로 3 mm, 세로 3 mm, 높이 1.5 mm의 와동을 형성하고, 일회 충전, 수평 적층법, 사면적층법으로 나누어 수복 재료를 충전하였다. Plasma arc lamp(PAL)를 사용한 고출력 광중합기를 광원으로 사용하였으며, 수복 재료는 Filtek $Z-250^{(R)}$ 복합레진, $Dyract^{(R)}$ AP 컴포머 그리고 $Tetric^{(R)}$ Flow 유동성 복합레진을 사용하였다. 중합과정동안 스트레인 게이지를 이용하여 치면에 발생된 스트레인을 측정하였고, 이를 응력으로 환산하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. Strain 값은 광중합 개시와 함께 급격히 증가하였으며, 시간이 지남에 따라 서서히 감소하는 양상을 보여 주었다. 2. $Z-250^{(R)}$의 수축응력이 $Dyract^{(R)}$ AP와 $Tetric^{(R)}$ Flow에 비해 상대적으로 높게 나타났으나 통계학적 유의차는 없었다(p>0.05). 3. $Z-250^{(R)}$과 $Dyract^{(R)}$ AP에서 3가지 와동 충전 방법 간에는 수축응력의 차이가 없었다(p>0.05). 4. 와동 충전 방법에 따른 충전 재료 간에도 수축응력의 유의차는 없었다(p>0.05). 이상의 결과를 종합해보면 $Dyract^{(R)}$ AP는 광중합 과정과 자가 중합 과정이 함께 일어남으로 인해 $Z-250^{(R)}$보다 상대적으로 중합 수축이 적게 나타난 것으로 판단되었다. $Tetric^{(R)}$ Flow는 한 번에 충전을 완료할 수가 있어 시간 소모가 적고 치질에 대한 중합수축력도 적어 유치 와동 충전 시 유용한 충전 방법이라고 판단되었다. 향후 와동 충전 방법의 방향과 광중합 시간 간격이 광중합수축에 미치는 영향 등에 대한 추가 연구가 필요하다고 사료되었다.
Sagong, Myung;Choi, Il Yoon;Lee, Jun S.;Cho, Chung-sik
Geomechanics and Engineering
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제21권2호
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pp.207-213
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2020
Umbrella Arch Method (UAM) often employed in the tunnel construction under poor rock mass conditions in Korea. Insertion of steel pipes at the periphery of the tunnel and infiltration of grouts along the pipes into the rock masses increases tunnel stability. There are two major effects of grouts expected at the tunnel face: 1) increase of face stability by enhancing the frictional resistance of discontinuities and 2) decrease of permeability along the rock masses. Increase of resistance and decrease of permeability requires a certain curing time for the grout. In Korea, we require 24 hours for curing of grout, which means no progress of excavation for 24 hours after infiltration of grouts. This step delays the tunnel construction sequences. To eliminate such inefficiency, we propose MTG (Method for Tunnel construction using Grouting technology), which uses extended length of steel pipes (14 m) compared to conventional pipe roof method (12 m). The merit of MTG is the reduction of curing time. Because of the approximately 2 m extension of the length of steel pipe, blasting can be done after infiltration of grouting. For this paper, we conducted experiments on the shear strength behaviors of grout infilled rock joint with elapsing of curing time and blasting induced vibration. The results show that blasting induced vibration under MTG does not influence the mechanical features of grout material, which indicates no influence on the mechanical behaviors of grout, contributing to the stability of tunnels during excavation. This result indicates that MTG is a cost effective and fast construction method for tunneling in Korea.
Ni, Minxuan;Tang, Xiaobin;Chai, Hao;Zhang, Yun;Chen, Tuo;Chen, Da
Nuclear Engineering and Technology
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제48권6호
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pp.1396-1403
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2016
In this study, fast-curing shielding materials were prepared with a two-component polyurethane matrix and a filler material of PbO through a one-step, laboratory-scale method. With an increase in the filler content, viscosity increased. However, the two components showed a small difference. Curing time decreased as the filler content increased. The minimum tack-free time of 27 s was obtained at a filler content of 70 wt%. Tensile strength and compressive strength initially increased and then decreased as the filler content increased. Even when the filler content reached 60 wt%, mechanical properties were still greater than those of the matrix. Cohesional strength decreased as the filler content increased. However, cohesional strength was still greater than 100 kPa at a filler content of 60 wt%. The ${\gamma}$-ray-shielding properties increased with the increase in the filler content, and composite thickness could be increased to improve the shielding performance when the energy of ${\gamma}$-rays was high. When the filler content was 60 wt%, the composite showed excellent comprehensive properties.
LED 광중합기(Elipar FreeLight, 3M-ESPE)와 할로겐 광중합기(VIP Bisco)로 광조사한 수종의 상아질 접착제에 대해서 상아질 전단접착강도를 비교하였다 또한 이번 연구의 광학적 근거를 얻기 위해 두 광중합기의 파장에 따른 광강도와 스펙트럼을 비교하였다. 이번 연구에서 사용된 상아질 접착제는 Scotchbond Multipurpose (3M ESPE), Single Bond (3M ESPE). One-Step (Bisco), Clearfil SE Bond (Kuraray), Adper Prompt (3M ESPE) 이다. VIP는 487 nm에서 최대정점을 가지는 넓은 스펙트럼의 분포를 보이는 반면에, Elipar FreeLight는 465 nm에서의 최대정점을 중심으로 좁은 스펙트럼의 분포를 보였다. Clearfil SE bond를 제외하고 할로겐과 LED로 광조사 한 각 상아질 접착제에서 상아질 전단접착강도값의 유의성 있는 차이는 보이지 않았다 (P > 0.05). 이러한 결과는 camphoroquinone의 흡수스펙트럼과 LED의 좁은 영역의 스펙트럼사이에 강한 연관성으로 설명할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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