• 제목/요약/키워드: Spin-on method

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선형적 위상배열 코일구조의 시뮬레이션을 통한 민감도지도의 공간 해상도 및 필터링 변화에 따른 MR-SENSE 영상재구성 평가 (Evaluation of MR-SENSE Reconstruction by Filtering Effect and Spatial Resolution of the Sensitivity Map for the Simulation-Based Linear Coil Array)

  • 이동훈;홍철표;한봉수;김형진;서재준;김소현;이춘형;이만우
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제32권3호
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    • pp.245-250
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    • 2011
  • Parallel imaging technique can provide several advantages for a multitude of MRI applications. Especially, in SENSE technique, sensitivity maps were always required in order to determine the reconstruction matrix, therefore, a number of difference approaches using sensitivity information from coils have been demonstrated to improve of image quality. Moreover, many filtering methods were proposed such as adaptive matched filter and nonlinear diffusion technique to optimize the suppression of background noise and to improve of image quality. In this study, we performed SENSE reconstruction using computer simulations to confirm the most suitable method for the feasibility of filtering effect and according to changing order of polynomial fit that were applied on variation of spatial resolution of sensitivity map. The image was obtained at 0.32T(Magfinder II, Genpia, Korea) MRI system using spin-echo pulse sequence(TR/TE = 500/20 ms, FOV = 300 mm, matrix = $128{\times}128$, thickness = 8 mm). For the simulation, obtained image was multiplied with four linear-array coil sensitivities which were formed of 2D-gaussian distribution and the image was complex white gaussian noise was added. Image processing was separated to apply two methods which were polynomial fitting and filtering according to spatial resolution of sensitivity map and each coil image was subsampled corresponding to reduction factor(r-factor) of 2 and 4. The results were compared to mean value of geomety factor(g-factor) and artifact power(AP) according to r-factor 2 and 4. Our results were represented while changing of spatial resolution of sensitivity map and r-factor, polynomial fit methods were represented the better results compared with general filtering methods. Although our result had limitation of computer simulation study instead of applying to experiment and coil geometric array such as linear, our method may be useful for determination of optimal sensitivity map in a linear coil array.

DNA 기반 곰팡이 평가기법을 활용한 주택의 실내 곰팡이 노출수준 평가 (Evaluation of Indoor Mold Exposure Level in dwelling Using DNA-Based Mold Assessment Method)

  • 황은설;서성철;이주영;류정민;권명희;정현미;조용민;이정섭
    • 한국산업보건학회지
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    • 제28권4호
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    • pp.382-392
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    • 2018
  • Objective: Allergic diseases such as asthma due to fungal exposure in houses have increased, and proper management is urgent. Mold can grow in the air, floor, walls, and other areas according to environmental conditions, and there are many limitations to the conventional methodology for examining fungal exposure. For this reason, the degree of fungal contamination is being evaluated by ERMI (Environmental Relative Moldiness Index), a quantitative analysis method proposed by the EPA. In this study, we compared ERMI values between water-damaged dwellings and non-damaged ones to evaluate the effectiveness of Korean ERMI values. We also explored the association of ERMI values with the level of airborne mold and characteristics of dwellings. Methods: Floor dust was collected after installing a Dustream collector on the suction port of a vacuum cleaner. The collected samples were filtered to remove only 5 mg of dust, and DNA was extracted using the FastDNA SPIN KIT protocol. Results: The ERMI values were found to be 19.6 (-6.9-58.8) for flooded houses, 7.5 (-29.2-48.3) for leaks/condensation, and 0.8 (-29.2-37.9) for non-damaged dwellings. The airborne concentration of mold for flooded, leakage or condensed, and non-damaged houses were $684CFU/m^3$, $566CFU/m^3$, and $378CFU/m^3$, respectively. The correlation between ERMI values and the levels of airborne mold was low (R = 0.038), but a weakly significant association of the ERMI values with the concentration of particulate matter ($PM_{10}$) was observed as well(R=0.231,P<0.05). Conclusions: Our findings show that the reference value using ERMI can be used to distinguish water-damaged and non-damaged dwellings. It is believed that ERMI values could be a promising tool for assessing long-term fungal exposure in dwellings.

아르곤 상압플라즈마를 이용한 CNT 코팅 공정 기술 개발 (Development of CNT Coating Process using Argon Atmospheric Plasma)

  • 김경보;이종필;김무진
    • 산업융합연구
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    • 제20권10호
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    • pp.33-38
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    • 2022
  • 본 논문에서는 용액 기반의 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nano-tube)를 전자기기의 전도성 소재로 사용하기 위하여 쉽고 빠르게 형성하는 방법에 대해 연구하였다. 이를 위해 스핀 코팅 방법 및 아르곤 상압플라즈마 공정을 적용하여 글라스 위에 CNT 박막 코팅을 진행하였다. 코팅 횟수에 따른 전기적, 물리적 특성 변화를 관찰하기 위하여 1회부터 5회까지 동일한 방법으로 형성된 샘플을 제작하였고, 각 샘플에 대해 표면 형상, 반사도, 투과도, 흡수율 및 표면 저항을 측정하였다. 현미경을 이용하여 관찰했을 때 횟수가 늘어날 때 글라스 상에 검은 형상이 더 잘 관찰되며, 특히 스핀코팅에 의해 가운데 영역이 더 검게 관찰되는 것을 알 수 있다. 코팅 수가 증가함에 따라 측정 파장의 전 영역에서 투과도는 감소, 반사도 및 흡수율은 증가하였다. 또한, 파장이 감소함에 따라 투과율은 감소, 반사도 및 흡수율은 증가한다. 전기적인 특성의 경우, 2번 코팅했을 때 전도도가 상당히 향상됨을 확인할 수 있었으며, 추가 코팅에 의해서 전도도 감소가 관찰되지만, 큰 변화를 보이지는 않았다. 결론적으로 CNT를 투명전극으로 대체하기 위해서는 반사도 및 전기전도도를 함께 고려하여 코팅 횟수를 고려해야 하며, 2회가 최적임을 알 수 있다.

서미스터로의 응용을 위한 La0.7Sr0.3MnO3 박막의 구조적, 전기적 특성 (Structural and Electrical Properties of La0.7Sr0.3MnO3 Thin Films for Thermistor Applications)

  • 임정은;박병준;이삼행;이명규;박주석;김병철;김영곤;이성갑
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제35권5호
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    • pp.499-503
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    • 2022
  • La0.7Sr0.3MnO3 precursor solution were prepared by a sol-gel method. La0.7Sr0.3MnO3 thin films were fabricated by a spin-coating method on a Pt/Ti/SiO2/Si substrate. Structural and electrical properties with the variation of sintering temperature were measured. All specimens exhibited a polycrystalline orthorhombic crystal structure, and the average thickness of the specimens coated 6 times decreased from about 427 nm to 383 nm as the sintering temperature increased from 740℃ to 830℃. Electrical resistance decreased as the sintering temperature increased. In the La0.7Sr0.3MnO3 thin films sintered at 830℃, electrical resistivity, TCR, B-value, and activation energy were 0.0374 mΩ·cm, 0.316%/℃, 296 K and 0.023 eV, respectively.

$Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_3$ 박막 형성에 미치는 공정변수의 영향 (Effect of the processing variables on the formation of $Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_3$ thin layers)

  • 박경봉;권승협;김태희
    • 한국결정성장학회지
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    • 제19권2호
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    • pp.70-74
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    • 2009
  • Sol-gel 법으로 제조한 $Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_3$(이하 PSN) sol을 이용하여 스핀 코팅법으로 Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 제조한 박막의 제조 공정에 따른 영향을 연구하였다. Pt 기판위에 PSN sol을 증착, 건조한 후에 $370^{\circ}C$에서 5분간 열처리를 행한 후 $10^{\circ}C/sec$의 급속 가열로 $600{\sim}700^{\circ}C$에서 최종 열처리한 경우에 박막은 (111)면으로 우선 배향하는 것으로 나타났다. 그러나 중간 열처리를 거치지 않고, 급속가열에 의한 최종 열처리만을 행한 경우에는 (100)면으로 우선 배향하는 것으로 나타났다. 한편, 중간 열처리 후 $4^{\circ}C/min$의 승온속도로 관상로에서 최종 열처리를 행한 경우에는 (111)면과 (100)면이 동시에 나타나는 것으로 나타났다. 동일한 조건하에서 박막의 두께는 모두 300로 중간 열처리 공정이 어떠한 영향도 미치지 않는 것으로 나타났다.

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성 (Growth and Characterization of AgGa$Se_2$ Single Crystal Thin Films by Hot Wall Epitaxy)

  • 홍광준;이관교;박진성
    • 한국재료학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.419-426
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    • 2001
  • AgGaSe$_2$ 단결정 박막은 수평 전기로에서 합성한 $AgGaSe_2$ 다결정을 증발원으로 하여, hot wall epitaxy (HWE) 방법으로 증발원과 기판 (반절연성-GaAs(100)) 의 온도를 각각 $630^{\circ}C$, $420^{\circ}C$로 고정하여 박막 결정 성장을 하였다. 10K에서 측정한 광발광 excition 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선 (DCRC) 의 반치폭 (FWHM )을 분석하여 단결정 박막의 최적 성장 조건을 얻었다. Hall효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293k에서 각각 4.89$\times$$10^{ 16}$/㎤, 129$\textrm{cm}^2$/V.s였다. 광전류 봉우리의 10K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐 (splitting)에 의해서 측정된 $\Delta$C$_{r}$ (crystal field splitting)은 0.1762eV, $$\Delta$S_{o}$ (spin orbit splitting)는 0.2494eV였다 10K의 광발광 측정으로부터 고풍질의 결정에서 볼 수 있는 free excitors과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound excitors등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound ekciton의 반치폭과 결합에너지는 각각 BmeV와 14.1meV였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 141meV였다.rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 141meV였다.

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정공 주입층 및 수송층에 따른 고분자 유기발광다이오드의 특성 연구 (The Properties of Hole Injection and Transport Layers on Polymer Light Emitting Diode)

  • 신상배;장호정
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.37-42
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    • 2007
  • 본 연구에서는 ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al의 구조를 갖는 고분자 유기발광다이오드를 제작하여 정공 주입층으로 사용되는 PEDOT:PSS의 두께 변화와 PVK 정공 수송층을 도입하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 고분자 유기발광 다이오드를 제작하여 정공수송층이 유기발광다이오드의 전기 광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사, 비교하였다. 실험에 사용된 모든 유기물은 플라즈마 처리된 ITO/glass 기판위에 스핀 코팅법으로 도포하였다. 정공 주입층인 PEDOT:PSS 두께를 약 80 nm에서 50 nm로 감소한 경우 PLED 소자의 휘도는 약 $220cd/m^2$ 에서 $450cd/m^2$으로 크게 증가하였다. 이러한 결과는 정공 주입층의 두께가 감소할수록 ITO 전극에서 발생한 정공이 보다 쉽게 발광막으로 전달되기 때문이다. 또한 PVK 정공 수송층을 도입한 PLED소자에서 최대 전류밀도와 휘도는 $268mA/cm^2$$540cd/m^2$ (at 12V)의 값을 각각 나타내었다. PVK 정공 수송층이 도입되지 않은 소자에 비해 전류밀도는 약 14%, 휘도는 약 22%의 특성개선을 나타내었다.

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ITO/Glass 기판위에 PFO-poss 유기 발광층을 가지는 고분자 발광다이오드의 제작 (Preparation of Polymer Light Emitting Diodes with PFO-poss Organic Emission Layer on ITO/Glass Substrates)

  • 유재혁;장호정
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.51-56
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    • 2006
  • ITO(Indium tin oxide)glass 기판 위에 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly (styrene sulfonate)]와 PVX[poly(N-vinyl carbazole)] 고분자 물질을 정공 주입 및 수송층으로, 발광층으로 PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with poss]를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 발광다이오드를 제작하였다. 이때 스핀코팅을 위한 발광 유기재료의 농도와 열처리 온도가 소자의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 동일한 PFO-poss 농도에서 열처리 온도가 $100^{\circ}C$에서 $200^{\circ}C$로 증가할 경우 PLED 소자의 전류밀도와 휘도특성이 증가하는 경향을 나타내었다. 1.0 wt% 농도를 갖는 PFO-poss 유기물 발광충을 $200^{\circ}C$ 온도로 열처리 할 경우 $958\;cd/m^{2}$의 최대 휘도를 나타내었으며 발광파장은 523 nm 녹색계통의 파장이 크게 증가하여 청백색에 가까운 발광을 나타내었다. PFO-poss 농도증가(0.5 wt%에서 1.0 wt%)와 함께 PLED 소자의 열처리 온도를 $100^{\circ}C$에서 $200^{\circ}C$로 증가할 경우 CIE 색좌표는 청색 (x, y : 0.17, 0.14)에서 청백색 (x, y = 0.29, 0.41)발광으로 천이하는 경향을 나타내었다.

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ICP 스퍼터를 이용한 NiFe/CoFe/AlO/CoFe/Ta TMR 소자 제작에 있어서의 자기저항 균일성 연구 (A Study on Magnetoresistance Uniformity of NiFE/CoFe/AlO/CoFe/Ta TMR Devices Prepared by ICP Sputtering)

  • 이영민;송오성
    • 한국자기학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.189-195
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    • 2001
  • ICP 마그네트론 스퍼터를 이용하여 2.5$\times$2.5 $\textrm{cm}^2$ 넓이의 열산화막이 형성된 실리콘 기판에 총 14개의 동일한 간격으로 NiFe(170 )/CoFe(48 )/Al(13 )-O/CoFe(500 )/Ta(50 ) 구조의 junction을 형성하여 자기저항비의 균일성을 알아보았다. 각 층은 ICP 마그네트론 스퍼터를 이용하여 만들고 특히 절연층은 플라즈마 산화법으로 제작하여 TMR 소자를 만들었다. 완성된 각 소자를 외부자기장을 변화시키면서 4단자 측정법으로 기준저항, 자기저항비, 자화반전자장을 측정하였다. 균일한 박막형성에 적합한 ICP스퍼터라도 같은 공정하에서 자기저항비의 표준편차가 2.72 정도의 분포가 있었으며, 위치에 따른 각 기준저항, 자기저항비, 자화반전자장의 유의차는 없었다. 또한 기준저항이 증가함에따라 자기저항비와 자화반전자장이 증가하는 경향이 있었으며, 이러한 현상은 균일하지 못한 절연막의 형성에 기인하는 것으로 판단되었다. 균일한 성막이 가능한 ICP 스퍼터로도 위치별로 절연막층 상태의 국부적 분산에 따라 표준편차가 기준저항의 경우 64.19, 자기저항비의 경우 2.72의 변화가 발생하여 실제적인 소자의 양산을 위해서는 산화막 형성공정의 개선이나 후열처리 등에 의한 균일화 공정이 필요할 것으로 생각되었다.

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ITO 투명전극의 $O_2$ 플라즈마 처리가 고분자 유기발광다이오드의 전기.광학적 특성에 미치는 영향 (Dependence of $O_2$ Plasma Treatment of ITO Electrode on Electrical and Optical Properties of Polymer Light Emitting Diodes)

  • 공수철;백인재;유재혁;임현승;양신혁;신상배;신익섭;장지근;장호정
    • 한국표면공학회지
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    • 제39권3호
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    • pp.93-97
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    • 2006
  • Polymer light emitting diodes (PLEDs) are expected to be commercialized as next generation displays by advantages of the fast response time, low driving voltage and easy manufacturing process for large sized flexible display. Generally, the electrical and optical properties of PLEDs are affected by the surface conditions of transparent electrode. The PLED devices with ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al structures were prepared by using the spin coating method. For this, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)) Al 4083 and PVK(N-vinylcabozole) were used as hole injection and transport layers. The PFO-poss(poly(9,9-dioctylfluorene)) was used as the emitting layer. The dependence of $O_2$ plasma treatment of ITO electrode on the electrical and optical properties of PLEDs were investigated. The sheet resistances increased slightly with an improved surface roughness of ITO electrode as the RF power increased during $O_2$ plasma treatment. The PLED devices prepared on the ITO/Glass substrates, which were plasma-treated at 40 watt in RF power for 30 seconds under 40 mtorr $O_2$ pressure, showed the maximum external emission efficiency of 0.86 lm/W and the maximum luminance of $250\;cd/m^2$, respectively. The CIE color coordinates are ranged $X\;=\;0.13{\sim}0.18$ and $Y\;=\;0.10{\sim}0.16$, showing blue color. emission.