Metal-halide perovskite (MHP) solar cell is a promising candidate for next-generation flexible devices and the BIPV (Building-integrated photovoltaics) because it can exhibit high power conversion efficiencies over 23%, good bendability and low processing cost. However, MHP solar cells are commonly fabricated by the spin coating that is not a reliable method to produce large-scale commercial solar cells. A shear coating can be one of the potential candidates for the large-scale deposition method of MHP films. In this work, the influences of the process parameters such as solvents of precursor solution, substrate temperature, concentrations of precursor solution, and annealing time on the thin film growth of MHP were investigated for the shear coating process. This study presents the possibility of the shear coating process for large-scaled perovskite film fabrication and reveals the role of process condition in the thin film growth of perovskites.
A Nickel oxide (NiOx) thin films were prepared via sol-gel process on a transparent conductive oxide glass substrate. The NiOx thin films were spin-coated in ambient air and subsequently annealed for 30 minutes at temperatures ranging from 150℃ to 450℃. The structural and optical characteristics of the NiOx thin films annealed at various temperatures were measured using X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, and ultraviolet-visible spectroscopy. After optimizing the NiOx coating conditions, perovskite solar cells were fabricated with p-i-n inverted structure, and its photovoltaic performance was evaluated. NiOx thin films annealed at 350℃ exhibited the most favorable characteristics as a hole transport layer, resulting in the highest power conversion efficiency of 17.88 % when fabricating inverted perovskite solar cells using this film.
We investigated the MoS2 thin film layer by thermolytic deposition and applied it to the silicon solar cells. MoS2 thin films were made by two methods of dipping and spin coating of (NH4)2MoS4 precursor solution. We implemented two types of substrates of microtextured and nano-microtextured 6-in. Si pn junction wafers. The fabricated MoS2 thin film layer was analyzed, and solar cells were fabricated by applying the standard silicon solar cell process. The MoS2 thin film layer of sulfur-deficient form was deposited on the n-type emitter layer, and electrons, which are minority carriers, were well transported at the interface and exhibited photovoltaic solar cell characteristics. The cell efficiencies were achieved at 5% for microtextured wafers and 2.56% for nano-microtextured wafers.
Ti-naphthenate를 출발물질로 사용하여 스핀코팅으로 soda-lime-silica 유리에 $TiO_2$ 박막을 제조하였다. $500^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$의 열처리온도에 따라 제조된 악악의 광학적, 구조적 및 광촉매 특성을 측정하였다. 재조된 $TiO_2$박막의 투과율은 가시광선 영역에서 약 80%정도의 평균투과율을 보였고, 열처리 온도가 높아짐에 따라 흡수밴드가 낮은 UV 파장영역으로 편향하였으며, 전체 광투과율은 소폭 감소하는 경향을 나타냈다. $TiO_2$ 박막의 열처리 온도가 높아짐에 따라 굴절률은 2.16에서 2.63으로 증가하였고, 박막의 두께는 484nm에서 439nm으로 감소하였다. $500^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$의 모든 열처리 온도에서 anatase 결정상을 보였으며, 표면조도는 $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 열처리한 박막에 비하여 $600^{\circ}C$에서 크게 증가하였다. 또한 제조된 $TiO_2$ 박막의 광촉매 특성에 있어서 초기 접촉각은 $600^{\circ}C$의 경우 가장 낮은 값을 보였으며, $550^{\circ}C$와 $500^{\circ}C$로 열처리한 경우 UV광자극에 의해 45분 이내에 친수성박막으로 변이하였고 UVC-UVA-UVB 순으로, $600^{\circ}C$ 의 경우에는 UVA-UVC-UVB의 순으로 높은 광활성을 보였다.
본 논문은 캐리어의 이동도 및 전도도를 개선하고, 흡수된 빛의 이동 경로를 증가시켜 광흡수도를 높이기 위하여 정공 수송층 재료에 금 나노입자를 첨가하여 유기태양전지를 제작하였다. 광활성층으로는 P3HT와 PCBM의 bulk-heterojunction 구조를 사용하였다. 유기태양전지에서 금 나노입자를 첨가한 정공 수송층의 효과를 관찰하기 위하여 금 나노입자의 첨가량(0, 0.5, 1.0 wt% Au)과 열처리온도(상온, $110^{\circ}C$, $130^{\circ}C$, $150^{\circ}C$)에 따른 광학적 전기적 특성을 조사하였다. 최대전력변환효율을 갖는 유기태양전지는 0.5 wt% 금 나노입자 첨가한 소자와 $130^{\circ}C$에서 열처리한 소자에서 관찰되었다. 이때 유기태양전지의 전기적 특성은 금 나노입자를 0.5 wt% 첨가한 경우, 단락전류밀도, 곡선인자 및 전력변환효율은 각각 10.2 $mA/cm^2$, 55.8% 및 3.1%로 나타났으며, $130^{\circ}C$에서 열처리한 경우, 12.0 $mA/cm^2$의 단락전류밀도와 64.2%의 곡선인자를 가지며, 4.0%의 전력변환효율이 관찰되었다.
Due to the rapidly diminishing energy sources and higher energy production cost, the interest in dye-sensitized solar cells (DSSCs) has been increasing dramatically in recent years. A typical DSSC is constructed of wide band gap semiconductor electrode such as $TiO_2$ or ZnO that are anchored by light-harvesting sensitizer dyes and surrounded by a liquid electrolyte with a iodide ion/triiodide ion redox couple. DSSCs based on one-dimensional nano-structures, such as ZnO nanorods, have been recently attracting increasing attention due to their excellent electrical conductivity, high optical transmittance, diverse and abundant configurations, direct band gap, absence of toxicity, large exiton binding energy, etc. However, solar-to-electrical conversion performances of DSSCs composed of ZnO n-type photo electrode compared with that of $TiO_2$ are not satisfactory. An important reason for the low photovoltaic performance is the dissolution of $Zn^{2+}$ by the adsorption of acidic dye followed by the formation of agglomerates with dye molecules which could block the I-diffusion pathway into the dye molecule on the ZnO surface. In this paper, we prepared the DSSC with the ZnO electrode using the chemical bath deposition (CBD) method under low temperature condition (< $100^{\circ}C$). It was demonstrated that the ZnO seed layers played an important role on the formation of the ZnO nanostructures using CBD. To achieve truly low-temperature growth of the ZnO nanostructures on the substrates, a two-step method was developed and optimized in the present work. Firstly, ZnO seed layer was prepared on the FTO substrate through the spin-coating method. Secondly, the deposited ZnO seed substrate was immersed into an aqueous solution of 0.25M zinc nitrate hexahydrate and 0.25M hexamethylenetetramine at $90^{\circ}C$ for hydrothermal reaction several times.
The new approaches for silicon solar cell of new concept have been actively conducted. Especially, solar cells with wire array structured radial p-n junctions has attracted considerable attention due to the unique advantages of orthogonalizing the direction of light absorption and charge separation while allowing for improved light scattering and trapping. One-dimenstional semiconductor nano/micro structures should be fabricated for radial p-n junction solar cell. Most of silicon wire and/or pillar arrays have been fabricated by vapour-liquid-solid (VLS) growth because of its simple and cheap process. In the case of the VLS method has some weak points, that is, the incorporation of heavy metal catalysts into the growing silicon wire, the high temperature procedure. We have tried new approaches; one is electrochemical etching, the other is noble metal catalytic etching method to overcome those problems. In this talk, the silicon pillar formation will be characterized by investigating the parameters of the electrochemical etching process such as HF concentration ratio of electrolyte, current density, back contact material, temperature of the solution, and large pre-pattern size and pitch. In the noble metal catalytic etching processes, the effect of solution composition and thickness of metal catalyst on the etching rate and morphologies of silicon was investigated. Finally, radial p-n junction wire arrays were fabricated by spin on doping (phosphor), starting from chemical etched p-Si wire arrays. In/Ga eutectic metal was used for contact metal. The energy conversion efficiency of radial p-n junction solar cell is discussed.
Ju, Yeonkyeong;Kim, Byeong Jo;Lee, Sang Myeong;Yoon, Jungjin;Jung, Hyun Suk
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.416-416
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2016
Organic-inorganic metal halide perovskite solar cells have received attention because it has a number of advantages with excellent light harvesting, high carrier mobility, and facile solution processability and also recorded recently power conversion efficiency (PCEs) of over 20%. The major issue on perovskite solar cells have been reached the limit of small area laboratory scale devices produced using fabrication techniques such as spin coating and physical vapor deposition which are incompatible with low-cost and large area fabrication of perovskite solar cells using printing and coating techniques. To solution these problems, we have investigated the feasibility of achieving fully printable perovskite solar cells by the blade-coating technique. The blade-coating fabrication has been widely used to fabricate organic solar cells (OSCs) and is proven to be a simple, environment-friendly, and low-cost method for the solution-processed photovoltaic. Moreover, the film morphology control in the blade-coating method is much easier than the spray coating and roll-to-roll printing; high-quality photoactive layers with controllable thickness can be performed by using a precisely polished blade with low surface roughness and coating gap control between blade and coating substrate[1]. In order to fabricate perovskite devices with good efficiency, one of the main factors in printed electronic processing is the fabrication of thin films with controlled morphology, high surface coverage and minimum pinholes for high performance, printed thin film perovskite solar cells. Charge dissociation efficiency, charge transport and diffusion length of charge species are dependent on the crystallinity of the film [2]. We fabricated the printed perovskite solar cells with large area and flexible by the bar-coating. The morphology of printed film could be closely related with the condition of the bar-coating technique such as coating speed, concentration and amount of solution, drying condition, and suitable film thickness was also studied by using the optical analysis with SEM. Electrical performance of printed devices is gives hysteresis and efficiency distribution.
Screen printing is commonly used to form the electrode for crystalline silicon solar cells. However, it has caused high resistance and low aspect ratio, resulting in decrease of conversion efficiency. Accordingly, Ni/Cu/Ag plating method could be applied for crystalline silicon solar cells to reduce contact resistance. For Ni/Cu/Ag plating, laser ablation process is required to remove anti-reflection layers prior to the plating process, but laser ablation results in surface damage and then decrease of open-circuit voltage and cell efficiency. Another issue with plating process is ghost plating. Ghost plating occurred in the non-metallized region, resulting from pin-hole in anti-reflection layer. In this paper, we investigated the effect of Ni/Cu/Ag plating on the electrical properties, compared to screen printing method. In addition, phosphoric acid layer was spin-coated prior to laser ablation to minimize emitter damage by the laser. Phosphorous elements in phosphoric acid generated selective emitter throughout emitter layer during laser process. Then, KOH treatment was applied to remove surface damage by laser. At this step, amorphous silicon formed by laser ablation was recrystallized during firing process and remaining of amorphous silicon was removed by KOH treatment. As a result, electrical properties as Jsc, FF and efficiency were improved, but Voc was lower than screen printed solar cells because Voc was decreased due to surface damage by laser process. Accordingly, we expect that efficiency of solar cells could be improved by optimization of the process to remove surface damage.
Ha, Jeong-Hyon;Kim, Min-Sun;Park, Yong-Il;Ryu, Shin-Hyung;Park, Mi-Gnon;Shin, Koo;Kim, Yong-Rok
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제23권2호
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pp.281-285
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2002
The photophysical properties and the singlet oxygen generation efficiencies of meso-tetraphenyl-trithiasapphyrin $(S_3TPS)$ and meso-tetmkis(p-methoxy phenyl)-trithiasapphy rin ((p-MeO)-$S_3TPS$) have been investigated, utilizing steady-state and time-resolved spectroscopic methods to elucidate the possibility of their use as photosensitizers for photodynamic therapy (PDT). The observed photophysical properties were compared with those of other porphyrin-like photosensitizers in geometrical and electronic structural aspects, such as extended ${\pi}$ conjugation, structural distortion, and internal heavy atoms. The steady-state electronic absorption and fluorescence spectra were both red-shifted due to the extended ${\pi}$-conjugation. The fluorescence quantum yields were measured as very small. Even though intersystem crossing rates were expected to increase due to the increment of spin orbital coupling, the triplet quantum yields were measured as less than 0.15. Such characteristics can be ascribed to the more enhanced internal conversion rates compared with the intersystem crossing rates. Furthermore, the triplet state lifetimes were shortened to -1.0 ${\mu}s$ as expected. Therefore, the singlet oxygen quantum yields were estimated to be near zero due to the fast triplet state decay rates and the inefficient energy transfer to the oxygen molecule as well as the low triplet quantum yields. The low efficiencies of energy transfer to the oxygen molecule can be attributed to the lower oxidation potential and/or the energetically low lying triplet state. Such photophysical factors should be carefully evaluated as potential photosensitizers that have extended ${\pi}$-conjugation and heavy core atoms synthesized for red-shifted absorption and high triplet state quantum yields.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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