During the liquefaction of hydrogen, the ortho hydrogen is converted into the para form with heat release that evaporates the liquefied hydrogen into the gaseous one backwards. The ortho-para conversion catalysts are usually used during liquefaction to avoid such boil-off. In order to compare and analyze the performance of the ortho-para hydrogen conversion catalysts, in-situ FT-IR device was designed and manufactured to measure the para hydrogen conversion rate in real-time. $LaFeO_3$ and $La_{0.7}Sr_{0.3}Cu_{0.3}Fe_{0.7}O_3$ perovskite catalysts were prepared by the citrate sol-gel method and their spin conversion characteristics from ortho to para hydrogen were investigated by in-situ FTIR spectroscopy at 17K. It was found that the spin conversion was affected by surface area, particle size, and crystallite size of the catalysts. Thus, the $La_{0.7}Sr_{0.3}Cu_{0.3}Fe_{0.7}O_3$ perovskite catalyst that had higher surface area, higher crystallite size, and smaller particle size than $LaFeO_3$ showed the better spin conversion property of 32.3% at 17K in 120min interaction with the perovskite catalysts.
The improved high-performance Fe-based perovskite-type oxides ($La_{0.7}Sr_{0.3}M_xFe_{1-x}O_3$, M = Cu, Cr, Ni) were synthesized by a citrate method and characterized by SEM, EDS, XRD and NMR spectroscopy analyses. The characterization analyses revealed that the stoichiometric amounts of lattice oxygen were existed in all of perovskite samples except for a nickel-doped perovskite. Fe-based perovskites exhibited a surprising result for ortho-para $H_2$ spin conversion reaction, indicating two orders of magnitude higher conversions and conversion rates than commercial $Fe_2O_3$. It was considered that this conversion difference might be attributed to the presence of oxygen vacancies in Fe-based perovskites prepared in this study.
We have investigated the feasibility of spin on glass (SOG) film from polysilazane-type resin as a premetal dielectric (PMD) layer of the next-generation ultra-large scale integrated (ULSI) devices. A commercial polysilazane resin and a polysilazane-type resin with oxidizing agent were spin-coated and cured to form SOG films. In order to study the effect of oxidizing agent and annealing, the SOG films were characterized as cured and after annealing at $400^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. the density and the resistance against wet chemical of the SOG films were improved by the addition of oxidizing agent, because oxidizing agent enhanced the conversion from polysilazane polymer to $SiO_2$. The hole profile issue associated with insufficient curing of polysilazane in narrow gaps was also resolved by oxidizing agent, while the gapfill capability of SOG was not deteriorated by oxidizing agent.
The high cost of crystalline silicon solar cells has been considered as one of the major obstacles to their terrestrial applications. Spin on doping (SOD) is presented as a useful process for the manufacturing of low cost solar cells. Phosphorus (P509) was used as an n-type emitters of solar cells. N-type emitters were formed on p-type EFG ribbon Si wafers by using a SOD at different spin speed (1,000~4,000 rpm), diffusion temperatures ($800^{\circ}C{\sim}950^{\circ}C$), and diffusion time (5~30 min) in $N_2+O_2$ atmosphere. With optimum condition, we were able to achieve cell efficiency of 14.1%.
결정구조는 같은 spinel 구조이나, 자기적으로는 각각 반강자성과 준강자성 특성을 띠고 있는 $Co_3O_4$와 자철광 $Fe_3O_4$의 혼성 Co-ferrite인 $Co_xFe_{1-x}O_4$ 박막을 sol-gel법으로 제조하여, Fe 이온에 대한 Co 이온 치환으로 발생된 양이온 거동이 Co-ferrite 박막의 결정구조 및 자기적 특성에 미치는 효과를 XRB 실험, VSM 측정, 그리고 Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy (CEMS) 실험으로 조사하였다. 그 결과 $Co^{3+}$ 이온이 주로 $Fe^{3+}$ 이온을 치환하여 단위정의 크기가 감소를 가져오며, 결정구조는 inverse spinel 구조에서 normal spinel 구조로 변환된다. CEMS 분광실험을 통하여 확인된 Fe 이온의 site preference는 주로 $Fe^{3+}$ 이온이 $Co^{3+}$ 치환됨을 보여주고 있으며, 동시에 B-site의 $Co^{2+}$ 이온은 A-site로 이동된다. 자화곡선 측정결과 Co 조성값의 증가로 자기 moment값이 감소되는 것으로 나타났는데, 이것은 low spin상태의 $Co^{3+}$이 high spin상태의 $Fe^{3+}$이온을 치환하여 주로 발생한 것이다.
We prepared a CsPbI2Br solution using Cesium iodide (CsI), Lead (II) bromide (PbBr2) and Lead (II) iodide (PbI2) materials into a polar solvent mixture of N,N-dimethylformamide (DMF) and Dimethyl sulfoxide (DMSO). A simple spin coating technique was used for the fabrication of CsPbI2Br absorber layer in the solution process. In order to prepare uniform coating of absorber film we adopted a hot-air process in assocation with the spin coating. It was confirmed that the thin film manufactured by the hot-air process had a higher absorption rate than that without it, and the optical band gap was measured 1.93 eV. The thin film of absorber was uniformly prepared and revealed the Black α-Cubic crystal phase as proved through X-ray diffraction analysis. Finally, a perovskite solar cell having an n-i-p structure was manufactured with a CsPbI2Br perovskite absorption layer. From the solar cell, we obtained a power conversion efficiency (PCE) of 5.97% in a forward measurement.
Dimethyl sulphoxide (DMSO) is one of the widely-used secondary dopants in order to enhance the conductivity of poly(3, 4-ethylenedioxy-thiophene):poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) film. In this work, we investigated the effect of DMSO doping in to PEDOT:PSS on the electrical performance of the bulk heterojunction photovoltaics consisting of poly(3-hexylthiophene-2, 5-diyl) and phenyl-C61-butyric acid methyl ester. Correlation between the power conversion efficiency and the mechanism of improving conductivity, surface morphology, and contact properties was examined. The PEDOT:PSS films, which contain different concentration of DMSO, have been prepared and annealed at different annealing temperatures. The mixture of DMSO and PEDOT:PSS was prepared with a ratio of 1%, 5%, 15%, 25%, 35%, 45%, 55% by volume of DMSO, respectively. The DMSO-contained PEDOT:PSS solutions were stirred for 1hr at $40^{\circ}C$, then spin-coated on the ultra-sonicated glass. The spin-coated films were baked for 10min at $65^{\circ}C$, $85^{\circ}C$, and $120^{\circ}C$ in air. In order to investigate the electrical performance, P3HT:PCBM blended film was deposited with thickness of 150nm on DMSO-doped PEDOT:PSS layer. After depositing 100nm of Al, the device was post-annealed for 30min at $120^{\circ}C$ in vacuum. The fabricated cells, in this study, have been characterized by using several techniques such as UV-Visible spectrum, 4-point probe, J-V characteristics, and atomic force microscopy (AFM). The power conversion efficiency (AM 1.5G conditions) was increased from 0.91% to 2.35% by tuning DMSO doping ratio and annealing temperature. It is believed that the improved power conversion efficiency of the photovoltaics is attributed to the increased conductivity, leading to increasing short-circuit current in DMSO-doped PEDOT:PSS layer.
Park, Dasom;Lee, Wonseok;Jang, Jinwoong;Yim, Sanggyu
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.420.1-420.1
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2016
Colloidal quantum dot (CQD) is emerging as a promising active material for next-generation solar cell applications because of its inexpensive and solution-processable characteristics as well as unique properties such as a tunable band-gap due to the quantum-size effect and multiple exciton generation. However, the most widely used spin-coating method for the formation of the quantum dot (QD) active layers is generally hard to be adopted for high productivity and large-area process. Instead, the spray-coating technique may potentially be utilized for high-throughput production of the CQD solar cells (CQDSCs) because it can be adapted to continuous process and large-area deposition on various substrates although the cell efficiency is still lower than that of the devices fabricated with spin-coating method. In this work, we observed that the subsequent treatment of two different ligands, halide ion and butanedithiol, on the lead sulfide (PbS) QD layer significantly enhanced the cell efficiency of the spray CQDSCs. The maximum power conversion efficiency was 5.3%, comparable to that of the spin-coating CQDSCs.
Y doped zinc oxide (YZO) thin films were deposited on F doped $SnO_2$ (FTO) glass substrate by sol-gel method using the spin-coating system. A homogeneous and stable solution was prepared by dissolving acetate in the solution added diethanolamine as sol-gel stabilizer. YZO films were obtained after preheated on the hot-plate for 5minute before each coating; the number of coating was 3 times. After the coating of last step, annealing of YZO films performed at $450^{\circ}C$ for 30 minute. In order to confirming of a ultraviolet ray interruption and down-conversion effects, optical properties of YZO films, transmission spectrum and fluorescent spectrum were used. Also, for understanding the obtained results by experiment, the elestronic state of YZO was calculated using the density functional theory The results obtained by experiment were compared with calculated structure. The detail of electronic structure was obtained by the discrete variational Xa (DV-Xa) method, which is a sort of molecular orbital full potential method. The density of state and energy levels of dopant element were shown and discussed in association with optical properties.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권1호
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pp.43-46
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2012
Organic solar cell devices were fabricated using poly[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2.7-diyl]-2.5-thiophenediyl-2.1.3-benzothiadiazole-4.7-diyl-2.5-thiophenediyl] PCDTBT/ [6,6]-phenyl $C_{71}$ butyric acid methyl ester (PC71BM) active layer deposited by spin coating. Moreover, the relationship between solar cell performance and buffer layer thickness was investigated by spin coating speed and AFM imaging of the buffer layer surface. The performance of the organic solar cell with spin-coated active layer was then evaluated, and the power conversion efficiency of the solar cell was determined to be > 5%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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