투명전도성산화물(transparent conducting oxides, TCOs) 박막으로써 널리 쓰이는 산화인듐주석(indium tin oxide, ITO)은 전기 전도성과 광 투과성이 우수하여 주로 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)의 전극, 발광다이오드(light-emitting diode, LED)의 current spreading 층 및 태양전지(solar cell)의 윈도우층(window layer) 등의 광전자 소자로 응용되고 있으나, 고가의 indium 가격과 인체에 유해한 독성 등이 문제점으로 지적되고 있다. 따라서 indium의 함량을 저감한 새로운 조성의 TCO 또는 indium을 함유하지 않은 친환경적인 TCO 대체 재료 개발의 필요성이 증대되고 있다. 이러한 재료 중 하나인 AZO (Al-doped zinc oxide, $Al_2O_3$: 2 wt.%)는 3.82eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지며, 가시광선 및 근 적외선 파장 영역에 대하여 90% 이상의 높은 투과율을 나타낸다. 또한, 습식식각이 가능하며, 매우 풍부하여 원가가 매우 저렴하고, 독성이 없다. 본 연구에서는 박막 증착율이 높고, 제작과정의 조정이 용이한 RF magnetron 스퍼터를 이용하여 glass 기판 위에 AZO 박막을 성장하고, $N_2$ 분위기에서 다양한 온도 조건에서 열처리(rapid thermal annealing, RTA)하여 전기 및 광학적 특성에 대하여 비교 분석하였다. 또한, 이후에 기존의 성장방법과 달리 고가의 진공 장비를 사용하지 않고, 저온에서도 간단한 구조의 장비를 이용하여 균일한 나노구조를 성장시킬 수 있는 전기화학증착법(electrochemical deposition)으로 AZO 박막위에 ZnO 나노로드를 다양한 성장조건에 따라 성장시켜 광학적 특성을 비교 분석하였다.
Transparent conducting oxide (TCO) films have been intensively utilized in the electric applications, such as, displays, lightings and solar cells due to the good electric conductivity with an excellent transmittance of the visible light. We, herein present an excellent Al-doped ZnO film (AZO), which has been fabricated by co-sputtering method. An as-deposited AZO film had an optical transmittance of 84.78% at 550 nm and a resistivity of $7.8{\times}10^{-3}{\Omega}cm$. A rapid annealing process significantly improved the optical transmittance and electrical resistivity of the AZO film to 99.67% and $1{\times}10^{-3}{\Omega}cm$, respectively. The fabricated AZO film was fabricated for a metal-semiconductor-metal (MSM) structure. The AZO film-embedding MSM device was highly responsive to a UV light.
Photoelectrochemical properties of p-GaAs electrode have been investigated. I-V characteristic shows that the cathodic photocurrent is observed at -0.7 V vs. SCE. The photoresponse at near 870~880nm wavelength indicates that the photogenerated carriers contibuted to the observed current. The maximum converson efficiency of 35% is obtained for a Xe lamp light source at 400nm. In C-V relation, capacitance peaks appeared at the frequencies of 100Hz and 300Hz due to the activation of the interfacial states which exist at the energy level corresponding to the one-third of the GaAs band gap. The difference of about 1.1V between flatband potential (Vfb) from the Mott-Schottky method and onset voltage from I-V curve is observed due to the trap of carriers at the interfacial states in the boundary between GaAs and electrolyte. In case of WO3 deposited p-GaAs electrode, higher positive onset current and photocurent density are obtained. This can be explained by the fact that carriers are generated by light penetrated into the WO3 thin flm as well as p-GaAs substrate and then move into the electrolyte effectively.
We can expect reduction of the sunlight absorption quantity to a structure and an earth surface, a decline of the surface temperature and a decline of the heat transport volume in what there is a method I give the sunlight reflectance in the aspect to the surface of the building by painting sunlight high reflectance paint, and to reduce the sunlight absorption quantity to a structure and an earth surface and does so, and, in addition, a method high water retentivity of tree planting and the road surface of the city space uses evaporation latent heat of the water by making it, and to restrain a rise in temperature is thought about. and It is thought that I reduce the sunlight absorption quantity to not only the structure but also other structures and attention gathers to the reflexive reflector reflecting in the direction again and it is wide as a marker of a board and the clothing of the traffic sign and is used the incidence energy from a source of light for this reflexive reflector now by there is it and devises surface structure again, and controlling reflection directivity for the sunlight for the purpose of raising night visibility.
Thin film has been an increasing important subject of intensive research, owing to the fact that these films possess desirable optical, electrical and electrochemical properties for uses in many semi-conducting nano-crystal applications, such as light-emitting diodes, lasers and solar cell applications. Here, ZnSe thin films were deposited by electrochemical method for the applications of light emitting diode. Electrochemical deposition of ZnSe thin film is not easy, because of the high difference of reduction potential between zinc ion and selenium acid. In order to handle the band gap of ZnSe crystal thin films easily, electrochemical methods are promising to manufacture these films economically. Therefore we have investigated the present study to characterize zinc selenide thin films deposited on ITO glass plates electrochemically. The luminescent properties of ZnSe films have been evaluated by UV-Vis spectrometer and luminescence spectrometer. And the morphology of the film surface has been discussed qualitatively from SEM images.
We report on the photoelectrochemical properties of partially reduced mesoporous titania thin films. The fabrication is achieved by synthesizing mesoporous titania thin films through the self-assembly of a titania precursor and a block copolymer, followed by aging and calcination, and heat-treatment under a $H_2$ (1 torr) environment. Depending on the temperature used for the reaction with $H_2$, the degree of the reduction (generation of oxygen vacancies) of the titania is controlled. The oxygen vacancies induce visible light absorption, and decrease of resistance while the mesoporosity is practically unaltered. The photoelectrochemical activity data on these films, by measuring their photocurrent-potential behavior in 1 M NaOH electrolyte under AM 1.5G 100 mW $cm^{-2}$ illumination, show that the three effects of the oxygen vacancies contribute to the enhancement of the photoelectrochemical properties of the mesoporous titania thin films. The results show that these oxygen deficient $TiO_2$ mesoporous thin films hold great promise for a solar hydrogen generation. Suggestions for the materials design for improved photoelectrochemical properties are made.
Natural photosynthesis utilizes two proteins, photosystem I and photosystem II, to efficiently oxidize water and reduce NADP+ to NADPH. Artificial photosynthesis which mimics this process achieve water splitting through a two-step Z-schematic water splitting process using man-made synthetic materials for hydrogen fuel production. In this study, Z-scheme system was achieved from the hybrid materials which composed of hydrogen production part as photosystem I protein and water oxidizing part as semiconductor BiVO4. Utilizing photosystem I as the hydrogen evolving part overcomes the problems of existing hydrogen evolving p-type semiconductors such as water instability, expensive cost, few available choices and poor red light (>600 nm) absorbance. Some problems of photosystem II, oxygen evolving part of natural photosynthesis, such as demanding isolation process and D1 photo-damage can also be solved by utilizing BiVO4 as the oxygen evolving part. Preceding research has not suggested any protein-inorganic-hybrid Z-scheme composed of both materials from natural photosynthesis and artificial photosynthesis. In this study, to realize this Z-schematic electron transfer, diffusion step of electron carrier, which usually degrades natural photosynthesis efficiency, was eliminated. Instead, BiVO4 and Pt-photosystem I were all linked together by the mediator gold. Synthesized all-solid-state hybrid materials show enhanced hydrogen evolution ability directly from water when illuminated with visible light.
Recently micro-nano structures has widely been reported to improve the performance of waterproof, heat isolation, sound and light absorption in various fields of electric devices such as mobiles, battery, display and solar panels. A lot of micro-sized holes on the surface of thin film provide excellent sound, or heat, or light transmission efficiency more than solid film and simultaneously nano-sized protrusions around micro hole increase the hydrophobicity of the surface of thin film because of lotus leaf effects as generally known previously. In this paper new rapid fabrication process with 355 nm UV laser ablation was proposed to get micro-nano structures on the surface of thin film, which have only been observed at higher laser fluence. Developed thin micro-nano structured film was also investigated the hydrophobic property by measuring the contact angle and demonstrated the possibility to apply to water droplet separation.
We developed a parabolic reflector based daylighting system which can be used as an alternative indoor daytime lighting device such as for fluorescent lamps. The system comprises three main components : a daylight concentrator made of 4 pairs of parabolic reflectors and mirrors, a silica optical fiber bundle based light transmitter, and 4 light diffusers for the final indoor delivery of the collected daylight. We analyzed the performance of the system and revealed the system efficiency and daylighting factor. All test methods follow the rule, NR PV601 : 2007-daylighting system, governed by Korea Energy Management Corporation.
Kim, Ahram;Son, Byung Hee;Kim, Hwan Sik;Ahn, Yeong Hwan
Current Optics and Photonics
/
제2권6호
/
pp.514-518
/
2018
Carrier diffusion length in the light-sensitive material is one of the key elements in improving the light-current conversion efficiency of solar-cell devices. In this paper, we measured the carrier diffusion length in lead-halide perovskite ($MAPbI_3$) and mixed lead-halide ($MAPbI_{3-x}Cl_x$) perovskite devices using scanning photocurrent microscopy (SPCM). The SPCM signal decreased as we moved the focused laser spot away from the metal contact. By fitting the data with a simple exponential curve, we extracted the carrier diffusion length of each perovskite film. Importantly, the diffusion length of the mixed-halide perovskite was higher than that of the halide perovskite film by a factor of 3 to 6; this is consistent with the general expectation that the carrier mobility will be higher in the case of the mixed lead-halide perovskites. Finally, the diffusion length was investigated as a function of applied bias for both samples, and analyzed successfully in terms of the drift-diffusion model.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.