This papers aims to focus on the city marketing as the green growth policy strategies using a case study of Gangneung City, Republic of Korea. In the case study it was verified the fields of urban growth including ecology, culture, alternative and recycled energy, green transportation system. The implications of the study were as follows: First, the city government had regenerated the coastal pine forest through removing unlicensed buildings which were squatted down in decades. Secondly, the city government has recognized the value of culture that possessed various types of cultural asserts. Thirdly, it is possible to use and produce the ocean energy with the tidal power plant, wind power plant and green deep water because Gangneung City has the ocean-oriented image and is located the coastal region. Lastly, the city government has been utilizing the LED traffic light using solar heat and is going to apply the green car like an electric car. This paper indicates the importance of the alternatives of the green growth-oriented policy through city marketing using the concept of culture and ecology. The city government will strive after an advanced triple bottom line with the ecological sustainability, cultural diversity and economic effectiveness in the near future.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.12
no.4
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pp.202-209
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2002
The stochiometric mix of evaporating materials for the $CuInSe_2$single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuInSe_2$compound crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuInSe_2$single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c-axis of the $CuInSe_2$single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting $\Delta$So and the crystal field splitting $\Delta$Cr. From the photoluminescence measurement on $CuInSe_2$single crystal thin film, we observed free exciton ($E_x$) existing only high quality crystal and neutral bound exciton ($A^{\circ}$, X) having very strong peak intensity. Then, the full-width-at-half-maximum (FWHM) and binding energy of neutral donor bound exciton were 7 meV and 5.9 meV, respectivity. By haynes rule, an activation energy of impurity was 59 meV.
This experiment was conducted to investigate the effect of greenhouse orientation on the greenhouse environment and the growth and yield of tomato cv 'Momotaro-Yoku' in forcing culture. The photosynthetic phpton flux density (PPFD) of a.m was higher in north-south orientation than that in east-west orientation and it was opposed in the p.m. Mean PPFD of a day was higher in east-west orientation than that in north-south orientation because the light transmitting area became larger in east-west orientation with decrease of incidence angle. The PPFD at 60 cm point above ground of all furrows was poor due to shadows near plants and it was higher in north-south orientation than that in east-west orientation. The air temperature in the greenhouse was higher in east-west orientation than that in north-south orientation but there was no significant difference since mid February as solar altitude goes up. The soil temperature was some higher in east-west orientation than that in north-south orientation and there was not significant difference among ridges. In east-west orientation, as ripening was promoted, high early yield of tomato were obtained. So total yield was greater about 8% in east-west orientation than that in north-south orientation. Therefore, it was considered that east-west orientation is more advantageous than north-south orientation for forcing culture of tomato.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.36D
no.6
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pp.28-34
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1999
We fabricated a planar ultra-violet photodetector whose ohmic and schottky contacts were respectively formed with evaporated Al and Pt on the GaN layer. To examine the applicability of the device to the UV sensor, we investigated its electrical and optical characteristics. The GaN layer on the sapphire waver had $7.8{\times}10^{16}cm^{-3}$ of doping concentnation and the $138 cm^2/V{\cdot}s$ of electron mobility and it absorbed the spectrum of the light below 325 nm wavelength. It had the responsivity of 2.8 A/W of at 325 nm, and the signal to noise ratio(SNR) of $4{\times}10^4$, and the noise equivalent power(NEP) of $3.5{\times}10^9$W under 5 V reverse bias. These results confirmed that the GaN schottky diode had a solar blind properly when it was applied to the UV photodetector.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.3
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pp.199-204
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2000
In this study, the ZnS nanosized thin films that could be used for fabrication of blue light-emitting diodes, electro-optic modulators, and n-window layers of solar cells were grown by the solution growth technique (SGT), and their structural and optical properties were examined. Based on these results, the quantum size effects of ZnS were systematically investigated. Governing factors related to the growth condition were the concentration of precursor solution, growth temperature, concentration of aq. ammonia, and growth duration. X-ray diffraction patterns showed that the ZnS thin film obtained in this study had the cubic structure ($\beta$-ZnS). When the growth temperature was $75^{\circ}C$, the surface morphology and the grain size uniformity were the best. The energy band gaps of samples were determined from the optical transmittance valued, and were shown to vary from 3.69 eV to 3.91 eV. These values were substantially higher than 3.65 eV of bulk ZnS, demonstrating that the quantum size effect of SGT grown ZnS is remarkable. Photoluminescence (PL) peaks were observed at the positions corresponding to the lower energy than that to energy band gap, illustrating that the surface states were induced by the ultra-fineness of grains in ZnS films. Particularly, for the first time, it is reported for the SGT grown ZnS that the PL peaks were shifted depending on the grain size.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.6
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pp.646-651
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2018
This paper reports that the electronic properties at a $P3HT/TiO_2$ interface associated with exciton dissociation and transport can be tailored by the insertion of a graphene quantum dot (GQD) layer. For donor/acceptor interface modification in an $ITO/TiO_2/P3HT/Al$ photovoltaic (PV) device, a continuous GQD film was prepared by a sonication treatment in solution that simplifies the conventional processes, including laser fragmentation and hydrothermal treatment, which limits a variety of component layers and involves low cost processing. The high conductivity and favorable energy alignment for exciton dissociation of the GQD layer increased the fill factor and short circuit current. The origin of the improved parameters is discussed in terms of the broad light absorption and enhanced interfacial carrier transport.
A simulation modeling for predicting the harvesting date with high potato solids consists of development of mathematical models. The mathematical model on potato growth and its development should be obtained by using agricultural elements which analyze relations of solar radiation quantity, temperature, photon quantity, carbon dioxide exchange rate, water stress and loss, relative humidity, light intensity, and wind etc. But more reliable way to predict harvesting date against climatic change employs in vivo energy consumption for growth and induction shape in a slight environmental adaptation. Therefore, to calculate in vivo energy loss, we take a concept of estimate of the amount of basal metabolism in each tuber on the basis of $Wm={\int}^m_tf(x)dt$ and $Tp=\frac{Tm{\cdot}Wm^{Tp}}{Wm^{Tm}}$. In the validation experiments, results of measuring solid accumulation of potato harvested at simulated date agreed fairly well with the actual measured values in each regional field during the growth period of 2005-2009. The calculation method could be used to predict an appropriate harvesting date for a production of high potato solids according to weather conditions.
Korea government has established and pursued green technology development strategy as the core of green growth, for example, withdrawal of 27 key green technologies through 'green technology research and development comprehensive plan ('09.1)' since 'low carbon green growth' was proposed as a new national development paradigm. In this study, we performed the Delphi survey of technology levels of 131 strategic product and service technologies derived from 27 key green technologies, utilizing large-scale group of green technology experts. The survey of technology level among main five nations resulted in the world's leading nation (US) versus EU (99.4%), Japan (95.3%), Korea (77.7%), China (67.1%) and Korea was ranked fourth. The technology gap between the world's leading nation (US) and Korea is 4.1 years behind EU (3.9 years) and Japan(3.1 years), but 2.1 years earlier than China. For our nation, key green technologies with high technology level are 'improved light water reactor (90.1%)', 'silicon-based solar cell (85.0%)', 'high-efficiency low-emission car (84.5%)' in order. Depending on the investment type of key green technologies, technology level is represented as short-term (85.0%), mid-term (77.3%) and long-term (71.1%) in order, indicating that lower technology level requires mid-to long-term investment and that the investment type is set appropriate.
Numerous observations revealed strong evidence of increased middle ultraviolet radiation or UV-B (280 ~ 320 nm) at the earth's surface resulting from stratospheric ozone depletion. UV is the waveband of electromagnetic radiation which is strongly absorbed by nucleic acids and proteins, thus causing damage to living systems. It has been recorded in the East Sea, Korea that solar UV-B impinging on the ocean surface penetrates seawater to significant depths. Recent researches showed that exposure to UV-B for as short as 2h at the ambient level (2.0 Wm$^{-2}$) decreased macroalgal growth and photosynthesis and destroyed photosynthetic pigments. These may suggest that UV-B could be an important environmental factor to determine algal survival and distribution. Some adaptive mechanisms to protect macroalgae from UV-damage have been found, which include photoreactivation and formation of UV-absorbing pigments. Post-illumination of visible light mitigated UV-induced damage in laminarian young sporophytes with blue the most effective waveband. The existence of UV-B absorbing pigments has been recognized in the green alga, Ulva pertusa and the red alga, Pachymeniopsis sp., which is likely to exert protective function for photosynthetic pigments inside the thalli from UV-damage. Further studies are however needed to confirm that these mechanisms are of general occurrence in seaweeds. Macroalgae together with phytoplankton are the primary producers to incorporate about 100 Gt of carbons per year, and provide half of the total biomass on the earth. UV-driven reduction in macroalgal biomass, if any, would therefore cause deleterious effects on marine ecosystem. The ultimate impacts of increasing UV-B flux due to ozone destruction are still unknown, but the impression from UV studies made so far seems to highlight the importance of setting up long-term monitoring system for us to be able to predict and detect the onset of large -scale deterioration in aquatic ecosystem.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.358-359
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2012
최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가 $3.09{\times}1017cm3$ 인 시편을 사용하였다. E-beam evaporation 장비를 이용하여 Ni/Au를 각각 20 nm 그리고80 nm 증착 하였으며 비접촉저항을 측정하기 위해 Circle-Transfer Length Method (C-TLM) 패턴을 사용하였다. 샘플은 RTA (Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도를 변화시키며 전기적 특성을 비교하여 그림 1(a) 나타내었다. 그림에서 알 수 있듯이 $400^{\circ}C$에서 가장 낮은 비접촉저항 값인 $6.95{\times}10-3{\Omega}cm2$를 얻을 수 있음을 발견하였다. 이 때의 I-V curve 도 그림1(b)에 나타낸 바와 같이 열처리에 의해 크게 향상됨을 알 수 있다. 그러나, $500^{\circ}C$ 이상 온도를 증가시키면 다시 비접촉 저항이 증가하는 것을 관찰하였다. XRD (x-Ray Diffraction) 분석을 통하여 $400^{\circ}C$ 이상열처리 온도가 증가하면 금속 표면에 $NiO_2$가 형성되며, 이에 따라 오믹특성이 저하 된다고 사료된다. 또한 $Ni_3N$의 존재를 확인 하였으며 이는 nonpolar surface의 특성으로 인해 nitrogen out diffusion 현상이 동시에 발생하여 계면에는 dopant로 작용하는 질소 공공을 남기고 표면에 $Ni_3N$을 형성하여 ohmic contact의 특성이 저하되기 때문인 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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