Due to the grainboundary recombination and the poor diffusion length, the polycrystalline cell efficiency is lower than the singlecrystalline cell. In order to define the effect of grains and grain-boundaries, 2 - dimensional differential diffusion equations of minority carrier are modelled. To solve them, two theoretical formulas are derived, which can be evaluated the grainboundary recombination velocity and the grain diffusion length. Also computer-aided numerical analysis is given.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.14
no.3
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pp.160-163
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2013
We investigated the effect of light intensity and wavelength of a solar cell device by using photoconductive atomic force microscopy (PC-AFM). The $POCl_3$ diffusion doping process was used to produce a p-n junction solar cell device based on a Poly-Si wafer and the electrical properties of prepared solar cells were measured using a solar cell simulator system. The measured open circuit voltage ($V_{oc}$) is 0.59 V and the short circuit current ($I_{sc}$) is 48.5 mA. Also, the values of the fill factors and efficiencies of the devices are 0.7% and approximately 13.6%, respectively. In addition, PC-AFM, a recent notable method for nano-scale characterization of photovoltaic elements, was used for direct measurements of photoelectric characteristics in local instead of large areas. The effects of changes in the intensity and wavelength of light shining on the element on the photoelectric characteristics were observed. Results obtained through PC-AFM were compared with the electric/optical characteristics data obtained through a solar simulator. The voltage ($V_{PC-AFM}$) at which the current was 0 A in the I-V characteristic curves increased sharply up to 1.8 $mW/cm^2$, peaking and slowly falling as light intensity increased. Here, $V_{PC-AFM}$ at 1.8 $mW/cm^2$ was 0.29 V, which corresponds to 59% of the average $V_{oc}$ value, as measured with the solar simulator. Also, while light wavelength was increased from 300 nm to 1,100 nm, the external quantum efficiency (EQE) and results from PC-AFM showed similar trends at the macro scale, but returned different results in several sections, indicating the need for detailed analysis and improvement in the future.
We investigate the effect of light intensity and wavelength of a solar cell device using photoconductive atomic force microscopy(PC-AFM). A $POCl_3$ diffusion doping process is used to produce a p-n junction solar cell device based on a polySi wafer, and the electrical properties of prepared solar cells are measured using a solar cell simulator system. The measured open circuit voltage($V_{oc}$) is 0.59 V and the short circuit current($I_{sc}$) is 48.5 mA. Moreover, the values of the fill factors and efficiencies of the devices are 0.7 and approximately 13.6 %, respectively. In addition, PC-AFM, a recent notable method for nano-scale characterization of photovoltaic elements, is used for direct measurements of photoelectric characteristics in limited areas instead of large areas. The effects of changes in the intensity and wavelength of light shining on the element on the photoelectric characteristics are observed. Results obtained through PC-AFM are compared with the electric/optical characteristics data obtained through a solar simulator. The voltage($V_{PC-AFM}$) at which the current is 0 A in the I-V characteristic curves increases sharply up to $18W/m^2$, peaking and slowly falling as light intensity increases. Here, $V_{PC-AFM}$ at $18W/m^2$ is 0.29 V, which corresponds to 59 % of the average $V_{oc}$ value, as measured with the solar simulator. Furthermore, while the light wavelength increases from 300 nm to 1,100 nm, the external quantum efficiency(EQE) and results from PC-AFM show similar trends at the macro scale but reveal different results in several sections, indicating the need for detailed analysis and improvement in the future.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.1034-1037
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2003
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
Kim, Su-kyung;Kim, Do-hyung;Soh, Joon-young;Choi, Dong-hyeok;Lee, You-sun;Kwak, Min-jun
KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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v.6
no.2
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pp.157-161
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2020
Regarding greenhouse gas reduction, BIPV (Building Integrated Photovoltaics) is an important technology that can generate its own power in urban buildings based on clean energy resources. In particular, the perovskite material is attracting attention as a BIPV solar cell because it can have various colors and transparency. However, it is not easy to increase both transparency and efficiency factors because solar cell transparency and efficiency are inversely related to each other. Therefore, in this paper, we propose a semi-transparent perovskite solar cell structure that can improve both transparency and efficiency, and evaluate the stability according to international standard.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.426-426
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2012
The CIGS absorber has outstanding advantages in the absorption coefficient and conversation efficiency. The CIGS thin film solar cells have been researched for commercialization and increasing the conversion efficiency. CIG precursors were deposited on the Mo coated glass substrate by magnetron sputtering with multilayer structure, which is CuIn/CuGa/CuIn/CuGa. Then, the metallic precursors were selenized under high Se pressure by RTP method which included. Se vapor was supplied using Se cracker cell instead of toxic hydrogen selenide gas. Se beam flux was controlled by variable reservoir zone (R-zone) temperature during selenization process. Cracked Se source reacted with CIG precursors in a small quantity of Se because of small size molecules with high activation energy. The CIGS thin films were studied by FESEM, EDX, and XRD. The CIGS solar cell was also developed by layering of CdS and ZnO layers. And the conversion efficiency of the CIGS solar cell was characterization. It was reached at 6.99% without AR layer.
We have grown famatinite $Cu_3SbS_4$ films by using sulfurization of Cu/Sb stack film. Sulfurization at $500^{\circ}C$ produced famatinite $Cu_3SbS_4$ phase, while $400^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$ sulfurization exhibited unreacted and mixed phases. The fabricated $Cu_3SbS_4$ film showed S-deficiency, and secondary phase of $Cu_{12}Sb_4S_{13}$. The secondary phase was confirmed by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, photoluminescence and external quantum efficiency measurements. We have also fabricated solar cell in substrate type structure, ITO/ZnO/(Zn,Sn)O/$Cu_3SbS_4$/Mo/glass, where $Cu_3SbS_4$ was used as a absorber layer and (Zn,Sn)O was employed as a Cd-free buffer. Our best cell showed power conversion efficiency of 0.198%. Characterization results of $Cu_3SbS_4$ absorber indicates deep defect (due to S-deficiency) and low shunt resistance (due to $Cu_{12}Sb_4S_{13}$ phase). Thus in order to improve the cell efficiency, it is required to grow high quality $Cu_3SbS_4$ film with no S-deficiency and no secondary phase.
Light scattering enhancement is widely used to enhance the optical absorption efficiency of dye-sensitized solar cells. In this work, we systematically analyzed the effects of spherical voids distributed as light-scattering centers in photoanode films made of an assembly of zinc oxide nanoparticles. Spherical voids in electrode films were formed using a sacrificial template of polystyrene (PS) spheres. The diameter and volume concentration of these spheres was varied to optimize the efficiency of dye-sensitized solar cells. The effects of film thickness on this efficiency was also examined. Electrochemical impedance spectroscopy was performed to study electron transport in the electrodes. The highest power conversion efficiency of 4.07 % was observed with $12{\mu}m$ film thickness. This relatively low optimum thickness of the electrode film is due to the enhanced light absorption caused by the light scattering centers of voids distributed in the film.
Kim, Hyun-Ju;Lee, Dong-Yun;Koo, Bo-Kun;Lee, Won-Jae;Song, Jae-Sung
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.461-462
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2005
In order to improve the efficiency of dye-sensitized solar cell (DSC), $TiO_2$ electrode screen-printed on transparent conducting oxide (TCO) substrate was sintered in variation with different temperature(350 to $550^{\circ}C$). $TiO_2$ electrode on fluorine doped tin oxide (FTO) glass was assembled with Pt counter electrode on FTO glass. I-V properties of DSC were measured under solar simulator. Also, effect of sintering temperature on surface morphology of $TiO_2$ films was investigated to understand correlation between its surface morphology and sintering temperature. Such surface morphology was observed by atomic force microscopy (AFM). From the measurement results, at sintering temperature of $500^{\circ}C$, both efficiency and fill factor of DSC were mutually complementary, enhancing highest fill factor and efficiency. Consequently, it was considered that optimum sintering temperature of $\alpha$-terpinol included $TiO_2$ paste is at $500^{\circ}C$.
In the present study, the preliminary study on a small solar-powered RC airplane are performed for the development of a long-endurance solar-powered UAV. Solar energy enables the solar-powered UAV to fly longer or eternally. The solar-powered UAV transfers the solar energy to electric energy and this energy is used for the flight and the battery charge. To increase the flying time, the efficiency of the solar-cell power system must be increased and the required power for flight must be minimized. Hence, the system integration including solar cell and controller, the power system design, and the aerodynamic and structural designs of the UAV is very important. The present study have performed the design, manufacture, and flight test of the small solar-powered UAV for the preliminary study of the long-endurance solar-powered UAV. From this study, the system integration technology of the solar-powered UAV design is established, and the possibility and the issue points for the development of the long-endurance solar-powered UAV are discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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