Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.8
no.4
s.23
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pp.85-90
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2005
We report the phase transition temperatures of the $PbZrO_3$ perovskite nanotubes made by sol-gel template synthesis. The lead zirconate($PbZrO{_3}$) nanotubes were prepared with a chelate sol-gel of zirconium tetrabutoxide($Zr(OBu){_4}$) and leadacetate($Pb(OAc){_2}-3H_2O$). $Whatman^(r)$ anodisc membranes, with a 200nm pore size, served as the template. After removing the template in the 6M-NaOH solution, the $PbZrO{_3}$ nanotubes so far have shown an anomalous transition temperature, $123.6^{\circ}C$ as measured by DSC with a small particle size, 15.4nm determined by X-ray analysis with the aid of Scherrer's equation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.290-293
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1999
(Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$)TiO$_3$ thin films were fabricated at different RTA temperatures and thicknesses by Sol-Gel method. Solution consisting of acetate powders and titanium isopropoxide in a mixture of acetic acid and ethylene glycol were spin coated onto Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates. The films were annealed in the temperature range of 650~80$0^{\circ}C$ for 3 minutes by rapid thermal annealing. These BST thin films were fully crystallized at 75$0^{\circ}C$ and showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$_{r}$=~468 and dielectric loss was ~0.025 at a thickness of approximately 4000$\AA$.EX>.>.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.814-819
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2000
The progress in the field of electronic materials has been especially significant for applications involving a range of electrical properties. Its importance is increasing with the increasing demand for integrated circuits. The sol-gel technique has been used for many years, and the metal alkoxides have featured prominently as source materials. The method consist of making a homogeneous solution of the component metal alkoxides in a suitable solvent, usually the parent alcohol; and then causing the hydrolysis under controlled conditions to produce a gel containing the hydrated metal oxide. The gel is then dried, and fired to produce a ceramic or glassy material at a temperature much lower than that required by the conventional melting process. This project consists of important theoretical considerations, processing techniques and applications related to electrophoresis derived thin films. In the electrophoretic process a metal alkoxide solution is gelled through hydrolysis-polymerization and converted the gel thin layer to an oxide by heating at relatively low temperatures.
In this study, we prepared Pb-Ti stock solution by sol-gel processing and deposited PbTiO3 thin film on a Pt coated SiO2/Si wafer by spin coating using the stock solution. We used lead acetate trihydrate and titanium isopropoxide. The stock solution was partially hydrolized and finally a 0.25M coating solution was prepared. We achieved spin coating at 4000rpm for 30 seconds and heated the thin film at 375$^{\circ}C$ for 5 minutes and at $600^{\circ}C$ for 5 minutes successively, first and second heating state. And the thin film was finally sintered at 90$0^{\circ}C$ for 1 hour in the air. The upper electrode of the thin film was made by gold sputtering and was cricle shape with radius 0.4mm. Measured dielectric constant, dissipation factor and phase transition temperature(Cuire Temp.) were about 275, 0.02 and 521$^{\circ}C$ respectively. To observe ferroelectric characteristics we calculated Pr(remnant polarization) and Ec(coercive field) byhysteresis curve. Ec was 72kV/cm and Pr was 11.46$\mu$C/$\textrm{cm}^2$.
Alumina fibre has been synthesized successfully by sol-gel technique. Boehmite sol was prepared by hydrolyzing aluminium iso-propoxide and peptizing it with nitric acid. The stable sol thus obtained was used for fibre drawing when their viscosity reached the required value as a result of progress of the hydrolyzation and polycondensation reaction. The fibres dried at 11$0^{\circ}C$ for 12 hours were sintered at 1$600^{\circ}C$ for 5 hours. A reasonable sintered density with better microstructure and strength have been attained using 2 wt% of urea, magnesia and silica as sinter additives. Thermal analysis with sintering additives of 2 wt% and phase determination of the heat treated fibres using XRD and FT IR spectra confirms the phase transitions. The observation of surface and cross-section of the fibres were made using SEM. Fibres of uniform circular cross-section is obtained by fixing the shape in a setting solution.
Jeong, Sang Hyeok;Cho, Kyung In;Park, Jeong Yong;Song, Ki Chang
Korean Chemical Engineering Research
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v.46
no.2
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pp.310-315
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2008
Organic-inorganic hybrid solutions were made using glycidoxypropyl trimethoxysilane (GPTMS) and vinyltriethoxysilane (VTES) as starting materials by sol-gel method. Photochromic coating solutions were prepared by mixing the solution of photochromic dye (spiropyran) dissolved in ethylacetate with the organic-inorganic hybrid solutions. Photochromic films were prepared on polycarbonate sheets by spin coating and cured for 2 h at $100^{\circ}C$. The resulting films exhibited a reversible color change upon irradiation with UV light from transparent to blue. The color-fading speed and pencil hardness of the coating films increased with increasing the GPTMS content in the coating solutions.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.288-289
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2006
We studied the effect of sol-gel processing and sintering temperature on the microwave properties of $MgCo_2(VO_4)_2$ system(MCV) which is applicable to LTCC(low-temperature cofired ceramics). The MCV was synthesized by sol-gel process using solution that contains precursor molecules for Mg, Co, and V. SEM analysis shows that the average particle size is ${\sim}1{\mu}m$ and size distribution is very uniform compared to the one prepared by conventional solid-state reaction process. Highly dense samples were obtained at the sintering temperature range of $750^{\circ}C{\sim}930^{\circ}C$. The maximum $Q{\times}f_0$ value of 55,700GHz, dielectric constant(${\varepsilon}_r$) of 10.41 and temperature coefficient(${\tau}_f$) of $-85ppm/^{\circ}C$ was obtained at the sintering temperature of $930^{\circ}C$. The superior microwave properties of sol-gel processed MCV relative to conventional solid-state reaction processed one is remarkable especially at lower sintering temperatures such as $750^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$.
On the preparation of silica glass by sol-gel process, we used fine powder of silica gel to prevent cracking. In this case, the best condition of silica glass preparation is the contents of 10~40wt% seed and the gelation time of solution in contract. The dried gels conversed to silica glass by heat treatment up to 125$0^{\circ}C$.
Kim, Seon Il;Kim, Gu Yeol;Im, Hyeong Mi;Lee, Bong U;Na, Jae Un
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.21
no.8
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pp.817-822
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2000
Crack-free hard coating siIica films were prepared by sol-gel processfrom twokinds of silicon alkoxide (tetra-ethoxysilane and methyltrimethoxysilane) and two kinds of alcohol (methanol and isopropyl alcohol) with an acid catalyst,acetic acid. A silicate framework of the precursor solution was investigated by infrared spectros-copy (IR) in the process of hydrolysis and condensation. Theextent of the condensation in the intermediates was elucidated by gel permeation chromatography (GPC) and 29Si-NMR spectroscopy. The hard coating films werecharacterized by IR,scanning electron microscope (SEM), thermo gravimetric analyzer (TGA) and dif-ferential scanning calroimeter (DSC). The synthetic condition for the crack-free and transparent silica film for-mation was optimized interms of starting materials for the precursor solution as well as preparation method of the silica film.
Ferroelectric B $i_{3.25}$L $a_{0.75}$$Ti_3$$O_{12}$ (BLT) solution was synthesized by sol-gel process. BLT thin films were deposited on Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si substrates by spin-coating. In this experiments, Bi(TMHD)$_3$, La(III)2-Methoxyethoxide, and Ti(IV) i-propoxide were used as starting materials, which were dissolved in 2-Methoxyethanol. Rapid Thermal Annealing (RTA) was used to promote crystallization of BLT thin films. The thin films with RTA process were compared with those with non-RTA process on electrical properties. After RTA process, the remanent polarization value (2Pr) of BLT thin films annealed at 72$0^{\circ}C$ was 20.46 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ which was approximately 27% higher than that of non-RTA process at 5 V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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