• 제목/요약/키워드: SnS

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$SnO_2$-$Sb_xS_{1-x}$-Sn 구조에서의 광기전력 효과 (Photovoltaic Effects of $SnO_2$-$Sb_xS_{1-x}$-Sn Structure)

  • 박태영;김화택
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제16권4호
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    • pp.32-35
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    • 1979
  • SnO2- amorphous Sb 5 thin film-Sn structure에서 SnO2 창으로 photon을 입사시켰을 때 photo-voltaic 효과를 발견했으며 photon의 energy에 따라 photowltage의 부호가 반전 되었다. 이러한 현상은 SnO2- Sb S 사이에서 n-n heterojunction이, Sb S Sn사이에서 schottky junction이 형성되기 때문인 것으로 여겨진다.

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Optical Properties of SnS2 Single Crystals

  • Lee Choong-Il
    • 한국재료학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.195-201
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    • 2005
  • The $SnS_2,\;SnS_2:Cd$, and $SnS_2:Sb$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The indirect optical energy band gap was found to be 2.348, 2.345, and 2.343 eV for the $SnS_2,\;SnS_2:Cd$, and $SnS_2:Sb$ single crystals, at 6 K respectively. The direct optical energy band gap was found to be 2.511, 2.505, and 2.503 eV f3r the $SnS_2,\;SnS_2:Cd$, and $SnS_2:Sb$ single crystals, at 6 K respectively The temperature dependence of the optical energy band gap was well fitted by the Varshni equation. Two photoluminescence emission peaks with the peak energy of 2.214 and 1.792 eV for $SnS_2$, 2.214 and 1.837 eV for $SnS_2:Cd$, and 2.214 and 1.818 eV the $SnS_2:Sb$ were observed. The emission peaks were described as originating from the donor-acceptor pair recombinations.

ZrS 분말표면상에 $SnO_2$코팅막의 형성 (Formation of $SnO_2$Coating Layer on the Surface of ZnS Powders)

  • 강승구;김강덕
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권3호
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    • pp.287-292
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    • 2001
  • 본 실험은 목적은 CRT(Cathode Ray Tube)용 청색 형광체인 ZnS:Ag 분말 표면에 액상법으로 SnO$_2$를 균일하게 코팅하는 공정조건을 연구하는 것이다. 용매로서 물을 사용하고, Sn의 공급물질로서 SnCl$_4$.4$H_2O$, 침전 촉매로서 CO(NH$_2$)$_2$를 각각 사용하여, 균일 침전 방법으로 ZnS:Ag 분말표면에 SnO$_2$를 코팅할 수 있었다. 초기에 첨가되는 SnCl$_4$.4$H_2O$의 량이 Sn/Zn의 몰비기준으로 0.017인 경우에 ZnS:Ag 분말표면에 Sn(OH)$_4$가 균일하게 코팅되지만, 그 이상 첨가되면 과량의 Sn(OH)$_4$가 입자들 사이에 응집되었다. 코팅된 Sn(OH)$_4$는 비정질 구조로 규명되었으며, 이를 SnO$_2$결정상으로 전이시키기 위하여 300~$700^{\circ}C$ 범위 내에서 열처리를 행하였다. 비정질 Sn(OH)$_4$는 20$0^{\circ}C$이하에서 탈수되었고 45$0^{\circ}C$부터 SnO$_2$로 결정화되기 시작하였다. 순수한 ZnS의 경우, 50$0^{\circ}C$이하에서는 상변화가 없으나, $600^{\circ}C$에서 일부 산화되었으며 $700^{\circ}C$에서는 완전히 ZnO로 산화되므로, ZnS의 산화방지 및 SnO$_2$의 결정화를 동시에 만족하는 최고 열처리온도는 50$0^{\circ}C$로 규명되었다. 그러나 ZnS에 SnO$_2$가 코팅된 시편의 경우에는 $600^{\circ}C$가 되어도 ZnS 상이 거의 산화되지 않았고, $700^{\circ}C$에서도 ZnS와 ZnO 상이 공존한 것으로 보아 SnO$_2$코팅이 ZnS의 산화를 억제하는 것으로 나타났다.

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독일어의 신체부위 "손" 관련 관용구의 결합가 연구 (Zur Valenz deutscher verbaler Somatismen mit der Komponente ${\lceil}hand{\rfloor}$)

  • 김수남
    • 한국독어학회지:독어학
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    • 제4집
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    • pp.1-27
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    • 2001
  • 이 글의 목적은 독일어 신체어휘 관련 관용구들 가운데 ${\lceil}$Duden Band 11${\rfloor}$에 수록된 108개의 $\lceil$$\rfloor$ 관련 관용구를 대상으로 이들의 형태$\cdot$통사구조를 파악하고, 그들을 모형화하는 것이다. 우리는 연구 대상을 문장에서 결합가 보유어로서 술어의 기능을 하는 관용구에 한정했다. 우리는 $\lceil$$\rfloor$ 관련 관용구를 보충어의 수와 형태에 따라 크게 세 가지 부류, 즉 1가, 2가, 3가의 관용구로 구분하였다 보충어의 형태는 명사구(Sn, Sd, Sa)와 전치사구(pS)에 한정했으며 문장형태의 보충어, 예를 들어 부문장(NS)과 부정사문(Inf) 형태는 고려하지 않았다. 이들이 보충어로 간주될 수 있는지의 여부는 아직 더 많은 연구를 필요로 하기 때문에 다음 과제로 남겨두었다. 일차적으로 외적 결합가($\"{a}u{\beta}ere\;Valenz)$에 따라, 이차적으로는 내적 결합가(innere Valenz)에 따라 108개의 $\lceil$$\rfloor$ 관련 관용구를 분석한 결과 우리는 다음과 같은 형태$\cdot$통사적 문형을 얻을 수 있었다. $\cdot$ 1가 동사 관용구: 1) PL-Sn : (1) PL[VPL - Sa] - Sn (2) PL(VPL - pS) - Sn (3) PL[VPL - Sa - pS] - Sn (4) PL[VPL - pS - pS] - Sn Sondergruppen: PL[VPL - Sa - Inf] - Sn PL[VPL - pS - Inf] - Sn 2) PL - Sd: (1) PL[VPL - Sn] - Sd (2) PL[VPL - Sn(es) - pS] - Sd $\cdot$ 2가 동사 관용구1) PL - Sn - Sd: (1) PL[VPL - Sa] - Sn - Sd (2) PL[VPL - pS] - Sn - Sd (3) PL[VPL - Sa - pS) - Sn - Sd 2) PL - Sn - pS: (1) PL[VPL - Sa] - Sn - pS (2) PL[VPL - pS] - Sn - pS (3) PL(VPL - Sa - pS) - Sn - pS 3) PL[VPL - pS) - Sn -Sa $\cdot$ 3가 동사 관용구: (1) PL[VPL - pS] - Sn - Sd - Sa (2) PL[VPL - pS] - Sn - Sa - pS (3) PL[VPL - Sa] - Sn - Sd - pS 이러한 분류가 보여주듯이, 독일어에는 1가, 2가, 3가의 관용구가 있으며, 구조 외적으로 동일한 통사적 결합가를 갖는다 하더라도 구조 내적 성분구조가 다르다는 것을 알 수 있다. 우리는 이 글이 외국어로서의 독일어를 배우는 이들에게 독일어의 관용구를 보다 올바르게 이해할 수 있는 방법론적인 토대를 제공함은 물론, (관용어) 사전에서 외국인 학습자를 고려하여 관용구를 알기 쉽게 기술하는 데 도움을 줄 수 있기를 바란다.

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E-빔 증착된 Sn 전구체의 황화 열처리 온도 및 시간에 따른 SnSx 박막 성장 효과 (Effect of the Sulfurization Temperature and Annealing Time of E-Beam Evaporated Sn Precursors on the Growth of SnSx Thin Films)

  • 황팅지엔;김제하
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권11호
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    • pp.734-739
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    • 2017
  • We prepared $SnS_x$ thin films on both soda-lime glass (SLG) and molybdenum(Mo)/SLG substrates by a two-step process using a Sn precursor followed by sulfur reaction in rapid thermal annealing (RTA) at different sulfurization temperatures ($Ts=200^{\circ}C$, $230^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, and $300^{\circ}C$) and annealing times ($t_s=10min$ and 30 min). The single SnS phase was dominant for $200^{\circ}C{\leq}T_s$<$250^{\circ}C$, while an additional phase of $SnS_2$ was appeared at $T_s{\geq}250^{\circ}C$ alongside SnS. The SnS grains in all the samples showed strong growth along the preferred [040] direction. The band-gap energy ($E_g$) of the films was estimated to be 1.24 eV.

전해도금 Cu와 Sn-3.5Ag 솔더 접합부의 Kirkendall void 형성과 충격 신뢰성에 관한 연구 (A Study of Kirkendall Void Formation and Impact Reliability at the Electroplated Cu/Sn-3.5Ag Solder Joint)

  • 김종연;유진
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.33-37
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    • 2008
  • Kirkendall void는 전해도금 Cu/Sn-Ag 솔더 접합부에서 형성되었으며 Cu 도금욕에 함유되는 첨가제에 의존한다. 첨가제로 사용된 SPS의 함량의 증가와 함께 $150^{\circ}C$에서 열처리 후 많은 양의 Kirkendall void가 $Cu/Cu_3Sn$ 계면에 존재하였다. AES 분석은 void 표면에 S가 편석되어 있음을 보여주었다. $Cu/Cu_3Sn$ 계면을 따라 파괴된 시편에서 Cu, Sn, S peak만 검출되었고 AES 깊이 프로파일에서 S는 급격하게 감소하였다. $Cu/Cu_3Sn$ 계면에서 S 편석은 계면에너지를 낮추고 Kirkendall void 핵생성을 위한 에너지장벽을 감소시킨다. 낙하충격시험은 SPS를 사용하여 도금된 Cu의 경우 Kirkendall void가 형성된 $Cu/Cu_3Sn$ 계면에서 파괴가 진행되고 급격하게 신뢰성이 감소됨을 보였다.

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내부확산법으로 제조한 $Nb_3Sn$선재의 미세조직 및 임계전류특성 (The Microstructure and Critical Current Property of $Nb_3Sn$ wire)

  • 김상철;오상수;하동우;하홍수;류강식;권해웅
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1472-1474
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    • 1997
  • In this study, the $Nb_3Sn$ wire was tried to fabricate by internal tin process to investigate the relationship between the processing parameters in a cold working and the microstructure. The critical current densities of $Nb_3Sn$ wires were evaluated in magnetic fields at 4.2 K. $Nb_3Sn$ compound layer was found to be formed between Nb core and Cu-Sn. The Cu part in the wire transformed to Cu-Sn by the reaction with Sn and the Sn in the Cu-Sn part reacted with Nb.

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황화급속열처리를 이용한 SnS 박막성장 및 온도의존성 연구 (Study of Growth and Temperature Dependence of SnS Thin Films Using a Rapid Thermal Processing)

  • 심지현;김제하
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제29권2호
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    • pp.95-100
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    • 2016
  • We fabricated a tin sulfide (SnS) layer with Sn/Mo/glass layers followed by a RTP (rapid thermal processing), and studied the film growth and structural characteristics as a function of annealing temperature and time. The elemental sulfur (S) was cracked thermally and applied to form SnS polycrystalline film out of the Sn percursor at pre-determined pressures in the RTP tube. The sulfurization was done at the temperature from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$ for a time period of 10 to 40 min. At ${\leq}300^{\circ}C$, 20 min., p-type SnS thin films was grown and showed the best composition of at.% of [S]/[Sn] $${\sim_=}$$ 1 and [111] preferred orientation as investigated from using XRD (X-ray diffraction) analysis and EDS (energy dispersive spectroscopy) and SEM (scanning electron microscopy), and optical absorption by a UV-VIS spectrometer. In this paper, we report the details of growth characteristics of single phase SnS thin film as a function of annealing temperature and time associated with the pressure and ambient gas in the RTP tube.

SnS2/p-Si 이종접합 광 검출기 (SnS2/p-Si Heterojunction Photodetector)

  • 오창균;차윤미;이경남;정복만;김준동
    • 전기학회논문지
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    • 제67권10호
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    • pp.1370-1374
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    • 2018
  • A heterojunction $SnS_2/p-Si$ photodetector was fabricated by RF magnetron sputtering system. $SnS_2$ was formed with 2-inch $SnS_2$ target. Al was applied as the front and the back metal contacts. Rapid thermal process was conducted at $500^{\circ}C$ to enhance the contact quality. 2D material such as $SnS_2$, MoS2 is very attractive in various fields such as field effect transistors (FET), photovoltaic fields such as photovoltaic devices, optical sensors and gas sensors. 2D material can play a significant role in the development of high performance sensors, especially due to the advantages of large surface area, nanoscale thickness and easy surface treatment. Especially, $SnS_2$ has a indirect bandgap in the single and bulk states and its value is 2 eV-2.6 eV which is considerably larger than that of the other 2D material. The large bandgap of $SnS_2$ offers the advantage for the large on-off current ratio and low leakage current. The $SnS_2/p-Si$ photodetector clearly shows the current rectification when the thickness of $SnS_2$ is 80 nm compared to when it is 135 nm. The highest photocurrent is $19.73{\mu}A$ at the wavelength of 740 nm with $SnS_2$ thickness of 80 nm. The combination of 2D materials with Si may enhance the Si photoelectric device performance with controlling the thickness of 2D layer.

폐쇄형 SNS에서 프라이버시가 지속적인 사용의도에 미치는 영향에 관한 연구: 밴드 사용자를 중심으로 (A Study on Privacy Influencing the Continuous Intention to Use in Closed-Type SNS: Focusing on BAND Users)

  • 임병하;강동원
    • 경영정보학연구
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    • 제16권3호
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    • pp.191-214
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    • 2014
  • 최근 모바일 환경의 발전으로 시간적, 공간적 제약이 없어짐으로서, SNS에서 실시간으로 서로간의 의사소통과 정보의 공유가 가능하게 되었다. 이로 인해 SNS는 빠르게 대중화가 이루어졌고 오늘날엔 SNS의 영역이 사회 전반으로 확대되면서 경제적, 사회적 가치를 지니게 되었다. 기업들은 SNS를 통해 마케팅 전략을 세우거나 소셜커머스로 사용자들과 전자상거래를 하게 되었고, 개인들은 다른 사용자와 특정 이슈에 대해 견해를 교류하거나 정보를 공유하여 오프라인의 영역에도 영향을 미치게 되었다. SNS의 빠른 대중화와 더불어 SNS를 통한 이득을 보기 위해 사용자들은 개인정보를 SNS와 기업에게 제공하고 있다. 하지만 이러한 개인정보가 무분별하게 제공됨에 따라 사용자의 의지와 상관없이 불법적으로 사용되는 사례가 빈번하게 발생하고 있고, 이로 인해 정보 프라이버시의 침해 우려는 사용자들이 SNS를 지속적으로 사용하는 데에 있어서 큰 방해 요인 중 하나가 되었다. 실제로 이를 시스템적으로 최대한 보호해주는 폐쇄형 SNS가 최근 등장함에 따라 많은 사용자들이 폐쇄형 SNS에 몰리고 있다. 따라서 본 연구에서는 프라이버시 계산 모형(Privacy Calculus Model)을 기반으로 하여 SNS를 사용함에 따라 사용자가 인지하는 이득을 시스템적인 보안과 개인의 심리적 프라이버시를 보장하는 것으로 제시하여 사용자가 인지된 이득을 위해 SNS를 지속적으로 사용하려는 의도가 정보 프라이버시 염려에 의해 어떤 영향을 받는지 알아보았다. 또한, 지속적인 사용 의도에 대표적인 요인들로 알려진 신뢰, 만족, 혜택이 정보 프라이버시 염려를 조절하는 역할을 할 수 있는 지 살펴보는 연구 모형을 제안하였다. 결과적으로 밴드의 경우에 보안과 프라이버시 염려 간에는 영향을 미치지 않았지만, 심리적 프라이버시의 경우엔 영향을 미쳤고, 신뢰 역시 지속적인 사용의도에 영향을 미쳤지만 사용자의 만족은 여전히 정보 프라이버시 염려를 완화시키지 않는 것으로 나타났다. 또한 심리적인 프라이버시가 지속적 사용의도에 영향을 미친다는 점으로 보아, 기업들은 SNS를 설계할 때 사회적 책임을 가지고 개인의 심리적인 프라이버시를 보장하는 것을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 본 연구는 폐쇄형 SNS를 서비스하는 기업들에게 SNS의 어떤 면을 강조해서 서비스해야 하는 지그 방향성을 제시해주고 정보 프라이버시 염려가 사용자가 인지하는 이득에 어떤 영향을 미치는 지, 또 이것을 어떤 요인으로 조절할 수 있는 지를 밝혔다는 데에서 학문적 의의를 찾아볼 수 있다.