Poly-Si is an essential material for floating gate in NAND Flash memory. To fabricate this material within region of floating gate, chemical mechanical polishing (CMP) is commonly used process for manufacturing NAND flash memory. We use colloidal silica abrasive with alkaline agent, polymeric additive and organic surfactant to obtain high Poly-Si to SiO2 film selectivity and reduce surface defect in Poly-Si CMP. We already studied about the effects of alkaline agent and polymeric additive. But the effect of organic surfactant in Poly-Si CMP is not clearly defined. So we will examine the function of organic surfactant in Poly-Si CMP with concentration separation test. We expect that surface roughness will be improved with the addition of organic surfactant as the case of wafering CMP. Poly-Si wafer are deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and oxide film are prepared by the method of plasma-enhanced tetra ethyl ortho silicate (PETEOS). The polishing test will be performed by a Strasbaugh 6EC polisher with an IC1000/Suba IV stacked pad and the pad will be conditioned by ex situ diamond disk. And the thickness difference of wafer between before and after polishing test will be measured by Ellipsometer and Nanospec. The roughness of Poly-Si film will be analyzed by atomic force microscope.
폐리튬이온전지의 리싸이클링을 위하여 폐전지의 기계적 처리에 의한 Co의 농축과 습식처리에 의한 Co의 회수기술이 개발되었다. 전 연구에서는 폐전지 리싸이클링의 부가가치를 향상시키기 위하여 Co 농축 침출액으로부터 양극활물질을 재합성하는 공정으로 citrate precursor combustion법을 제안하고 가능성을 확인하였다. 기존의 전극제조 공정에서는 활물질인 $LiCoO_2$와 첨가제인 탄소의 비중 및 크기 차이로 균일한 혼합이 이루어지지 않으므로 충방전 용량이 이론용량에 비하여 매우 낮고 또한 싸이클이 반복될수록 용량이 크게 감소하는 경향을 보였다. 본 연구에서는 합성된 $LiCoO_2$ 전극특성을 향상시키는 일환으로 합성공정의 개선을 통하여 초미립 $LiCoO_2$을 합성하였으며, 탄소 첨가시 혼합법의 개선에 의하여 우수한 충방전 특성을 갖는 리튬전지용 양극을 개발하였다.
This study is an inorganic foaming ceramic by sol-gel reaction in order to overcome weak point of insulator using in construction equipment. We shall be able to confirm as the existing product substitute is possible result of this study. The solution where the silicate, the ceramic powder and the additive are included which makes foaming ceramic slurry, then the insulator made by used $CO_2$ Sol-Gel reaction. There being will be able to manufacture the insulator where the economical efficiency is excellent confirmed at the start product which is completed. The recording gel time decreases when the silicate will increase. Uses the hydrogen peroxide and fe make foam, when additionally surface preparation the fluorine resin, the water tolerance increases and will be able to complement the weak point of the silicate which omits in the water. The case which will use the loess powder with the research method which sees specially was environment-friendly product and according to appearing, the physical properties of nonflammability.
Bifidobacteria-loaded alginate poly-l-lysine microparticles (bap microparticles) were prepared using an air atomization method and then freeze-dried. The viability of the bap microparticles was investigated as a function of the amount of the bifidobacteria cultures, and the addition of a yeast extract, cryoprotectants, antioxidants and neutralizer. The size of the bap microparticles with and without the bifidobacteria was $84.8{\pm}28.5\;{\mu}m$ ($mean{\pm}standard$ deviation) and $113.1{\pm}38.5\;{\mu}m$, respectively. The surface morphology was slightly ellipsoid and wrinkled regardless of the incorporating bifidobacteria. The viability gradually decreased with increasing freeze-drying time. Free-flowing powdered bap microparticles were obtained at least 12 h after freeze-drying the wetted slurry of bap microparticles. However, the particles tended to aggregate when either lactose or ascorbic acid was added. The addition of a yeast extract, cryoprotectants (glycerol and lactose), antioxidants ($NaHSO_3$ and ascorbic acid) and neutralizer $(Mg_3(PO_4)_2)$ resulted in a significantly higher viability of the bifidobacteria in the bap microparticles after freeze-drying (0.34-1.84 log) compared with the culture alone.
IGCC 발전 시스템에 사용되는 고온 가스 필터에 대하여 용융 Si 침윤공정 방법을 사용한 고강도 반응소결 탄화규소 고온 가스 필터 제조 공정이 개발되었다. 용융 Si 침윤 반응으로 제조된 반응소결 탄화규소의 상온 및 고온 파괴강도는 약 50-123, 60-66 MPa이었으며, 반응소결 탄화규소 다공체의 평균기공크기 및 기공율의 범위는 각각 60- 70 $\mu\textrm{m}$ 및 약 34 vol%이었다. 용융 Si 침윤 방법으로 제조된 반응 소결 탄화 규소 다공체에서는 SiC 입자 사이에 SiC/Si으로 이루어진 기지 상이 형성되어 고온 파괴 강도가 점토 결합 탄화 규소 다공체보다 우수하였다. 소결된 지지층 위에 Si 분말이 첨가되지 않은 slurry를 사용하여 여과층을 제조하였다. 여과층에 사용된 Sic 입자의 크기가 10$\mu\textrm{m}$에서 34 $\mu\textrm{m}$로 증가됨에 따라 SiC 입자 사이에 형성된 기지상의 두께가 증가하였다. 분진이 포함된 유체의 face velocity 변화에 따른 압손의 관계는 US filter사 Schumacher type 20 filter의 기체 유동 특성과 비슷하게 나타났으며, 분진여과 측정시 4분 내에 누출 분진의 크기가 1 $\mu\textrm{m}$ 크기 이하로 감소되었다.
도심지 터널공사에서는 주변 건물의 안전성을 확보하고, 민원을 최소화할 수 있는 쉴드TBM 공법이 대부분 적용되고 있다. 도심지에는 기존의 택지를 매립조성하거나 개량하는 경우가 많기 때문에 지표에서부터 암반 경계부까지는 불균질한 상태로 이루어지는 경우가 많다. 이와 같이 토사지반, 파쇄정도가 다양한 화강암지반, 핵석층, 암층과 같이 복잡한 지반 조건에서 쉴드TBM으로 터널구조물을 구축하는 경우, 각 지반조건에 따른 쉴드TBM에 나타나는 기계데이터를 분석하여 지반조건에 따른 장비부하의 특징을 비교분석하였다. 그 결과, 설계막장압을 유지하면서 굴진하고, 주기적으로 커터를 점검하여 교체하는 경우, 배토량, 추력, 커터토오크의 경향으로 지반조건의 변화를 예측할 수 있을 것으로 판단된다.
The change in vanadium amount according to the growth direction of vanadium-doped semi-insulated (SI) SiC single crystals using high-purity SiC powder was investigated. High-purity SiC powder and a porous graphite (PG) inner crucible were placed on opposite sides of SiC seed crystals. SI SiC crystals were grown on 2 inch 6H-SiC Si-face seeds at a temperature of $2,300^{\circ}C$ and growth pressure of 10~30 mbar of argon atmosphere, using the physical vapor transport (PVT) method. The sliced SiC single crystals were polished using diamond slurry. We analyzed the polytype and quality of the SiC crystals using high-resolution X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. The resistivity of the SI SiC crystals was analyzed using contactless resistivity mapping (COREMA) measurements.
PURPOSE. The purpose of this study was to investigate the effect of barium silicate filler contents on mechanical properties of resin nanoceramics (RNCs) for additive manufacturing (AM). MATERIALS AND METHODS. Additively manufactured RNC specimens were divided into 4 groups depending on the content of ceramic fillers and polymers: 0% barium silicate and 100% polymer (B0/P10, control group); 50% barium silicate and 50% polymer (B5/P5); 60% barium silicate and 40% polymer (B6/P4); 67% barium silicate and 33% polymer (B6.7/P3.3). The compressive strength (n = 15) and fracture toughness (n = 12) of the specimens were measured, and scanning electron microscopy (SEM) with energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) analyses were performed. Independent sample Kruskal-Wallis tests were performed on the compressive strength and fracture toughness test results, and the significance of each group was analyzed at the 95% confidence interval through post-tests using the Bonferroni's method. RESULTS. B6/P4 and B6.7/P3.3 exhibited much higher yield strength than B0/P10 and B5/P5 (P < .05). Compared to the control group (B0/P10), the other three groups exhibited higher ultimate strength (P < .05). The fracture toughness of B6/P4 and B6.7/P3.3 were similar (P > .05). The content of barium silicate and fracture toughness showed a positive correlation coefficient (R = 0.582). SEM and EDS analyses revealed the presence of an oval-shaped ceramic aggregate in B6/P4 specimens, whereas the ceramic filler and polymer substrate were homogeneously mixed in B6.7/P3.3. CONCLUSION. Increasing the ceramic filler content improves the mechanical properties, but it can be accompanied by a decrease in the flowability and the homogeneity of the slurry.
STI는 반도체 소자의 소형화 및 고집적화에 따른 광역 평탄화를 위한 공정 기술로써 많은 연구가 이루어져 왔다. 본 연구에서는 STI의 profile 개선을 위한 방법으로 STI 건식각 후 HF 용액에 의한 pad oxide 습식각과 O2+CF4 건식각을 제안하였다. 이 공정 기술은 기존의 방법보다 소자의 밀집도에 따른 패턴간의 프로파일 불균형과 누설전류의 개선을 나타내었다. 또한 동일한 STI 깊이와 HLD 증착를 갖는 디바이스에 대하여 CMP 후 HLD 두께를 측정한 결과 디바이스 밀도에 따라 측정값이 다르게 나타났고 이는 CMP 후 디바이스 밀도에 따른 질화막의 두께 차이 및 슬러리의 선택비에 기인됨을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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