Kim, Yong Ju;Park, Seung Yeon;You, Byung Youn;Park, Soon-Dong;Kim, Chan-Joong
Korean Journal of Materials Research
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v.23
no.6
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pp.309-315
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2013
$GdBa_2Cu_3O_{7-y}$(Gd123) powders were synthesized by the solid-state reaction method using $Gd_2O_3$ (99.9% purity), $BaCO_3$ (99.75%) and CuO (99.9%) powders. The synthesized Gd123 powder and the Gd123 powder with $Gd_2O_3$ addition ($Gd_{1.5}Ba_2Cu_3O_{7-y}$(Gd1.5)) were used as raw powders for the fabrication of Gd123 bulk superconductors. The Gd123 and Gd1.5 bulk superconductors were fabricated by sintering or a top-seeded melt growth (TSMG) process. The superconducting transition temperature ($T_{c,onset}$) of the sintered Gd123 was 93 K and the transition width was as large as 20 K. The $T_{c,onset}$ of the TSMG processed Gd123 was 82 K and the transition width was also as large as 12 K. The critical current density ($J_c$) at 77 K and 0 T of the sintered Gd123 and TSMG processed Gd123 were as low as a few hundreds A/$cm^2$. The addition of 0.25 mole $Gd_2O_3$ and 1 wt.% $CeO_2$ to Gd123 enhanced the $T_c$, $J_c$ and magnetic flux density (H) of the TSMG processed Gd123 sample owing to the formation of the superconducting phase with high flux pinning capability. The $T_c$ of the TSMG processed Gd1.5 was 92 K and the transition width was 1 K. The $J_cs$ at 77 K (0 T and 2 T) were $3.2{\times}10^4\;A/cm^2$ and $2.5{\times}10^4\;A/cm^2$, respectively. The H at 77 K of the TSMG-processed Gd1.5 was 1.96 kG, which is 54% of the applied magnetic field (3.45 kG).
In this study PZT powders were prepared with shapes of cubic by hydrothermal synthesis with various starting materials, and the sintering characteristics of the powders were investigated. The particle shapes were cubic regardless of starting materials, but the mean size of particles formed using $Pb(NO_3)_2$, $Ti(OC_4H_9)_4$ and $Zr(OC_4H_9)_4$ was relatively smaller than that of particles prepared from other starting materials. Agitation of the feedstock during hydrothermal reaction results in decreasing the required reaction temperature for the formation of nuclei, and in increasing the size of product particles. XRD results showed that the major phase of PZT crystal powders was a tetragonal phase at the Zr to Ti ratio of 40 to 60, or a rhombohedral phase at its ratio of 60 to 40. The density of a sintered body made from the hydrothermal powders in PbO surrounding varied with sintering temperatures and with periods of sintering time. The experimental results also showed that the optimum sintering condition was at $1150^{\circ}C$ for a 2hr sintering, and that the density of a sintered body was $7.6g/cm^3$.
The crystal structure and the microwave dielectric properties of $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ceramics have been investigated. $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ has the 1:1 ordered monoclinic structure with the lattice parameters of $a = 5.5467(3){\AA}, b = 5.5616(3){\AA}, c = 7.8426(5) {\AA} and \beta = 89.9589 (2)^{\circ}$ The spacegroup of LMT is $P2_1/n$. Monoclinic LMT has the inphase and anti-phase tilting of octahedra with the $a^_a^_c^_$ tilting system. Anti-parallel shift of A-site cations was also found in LMT. The relative density of the specimens sintered above $1600^{\circ}C$ was ranged between 95 % and 96 % of the theoretical density and the dielectric constant of specimens was about 28. The highest $Q\timesf$ achieved in this investigation was 63,100 for the specimen sintered at $1630^{\circ}C$ for 5 hr. Temperature coefficient of resonance frequency ranged from $>-74 ppm/^{\circ}C ~ -79 ppm/^{\circ}C$.
The slightly hyperstoichiometric uranium dioxide, i.e. U $O_{2.005}$ and U $O_{2.01}$ within a range of the requirement for the use of a nuclear fuel, were sintered directly in an atmosphere of $CO_2$/CO mixture without any succeeding reduction process. The kinetics of sintering in the late stage were investigated for various O/U ratios. A sintering diagram, which show the relation of Temperature-Time-Density-Grain size, was established for each O/U ratio. Only by controlling the oxygen partial pressure in the sintering atmosphere, U $O_2$ pellet could be sintered very easily at low temperature 1050$^{\circ}$~120$0^{\circ}C$ with a density above 95% T.D. and average grain size above 7${\mu}{\textrm}{m}$. It was found that the rate of grain growth follows D=(Kt)$^{1}$4/ in the late stage of sintering. And the activation energies for grain growth in the final sintering stage were found to be 75, 64 and 62kca1/mo1 for U $O_{2.005}$, U $O_{2.01}$ and U $O_{2.10}$, respectively. Although no significant differences are obtained between the activation energies for different O/U ratios, the sinterability is enhanced considerably with increasing the oxygen partial pressure in the sintering atmosphere.tmosphere.
Kim, Seok-Sou;Choi, Ike-Sun;Park, Tae-Gon;Cho, I-Gon;Park, Choon-Hyun
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.6
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pp.683-689
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2004
The microstructure and electrical characteristics of A ∼ C's ZnO varistors fabricated according to variable sintering condition, which sintering temperature was 1130 $^{\circ}C$ and speeds of pusher were A: 2 mm/min, B: 4 mm/min, C: 6 mm/min, respectively, were investigated. The experimental results obtained from this study were summarized as follows: The sintering density of A ∼C's ZnO varistors sintered at 1130 $^{\circ}C$ were decreased by sintering keep time to shorten, such as A: 9hour, B: 4.5hour and C: 3hour. A's ZnO varistor exhibited good densification nearly 98 % of theory density. In the microstructure, A∼C's ZnO varistors fabricated variable sintering condition was consisted of ZnO grain(ZnO), spinel phase(Z $n_{2.33}$S $b_{0.67}$$O_4$), Bi-rich phasc(B $i_2$$O_3$), wholly. Varistor voltage of A∼C's ZnO varistors sintered at 1130 $^{\circ}C$ increased in order A
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.3
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pp.29-34
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2019
Silicon carbide is considered to be a potentially useful material for high-temperature electronic devices, as its large energy band gap and the p-type and/or n-type conduction can be controlled by impurity doping. Particularly, electric conductivity of porous n-type SiC semiconductors fabricated from ${\beta}-SiC$ powder at $2000^{\circ}C$ in $N_2$ atmosphere was comparable to or even larger than the reported values of SiC single crystals in the temperature region of $800^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$, while thermal conductivity was kept as low as 1/10 to 1/30 of that for a dense SiC ceramics. In this work, for the purpose of decreasing sintering temperature, it was attempted to fabricate porous reaction-sintered bodies at low temperatures ($1400-1600^{\circ}C$) by thermal decomposition of polycarbosilane (PCS) impregnated in n-type ${\beta}-SiC$ powder. The repetition of the impregnation and sintering process ($N_2$ atmosphere, $1600^{\circ}C$, 3h) resulted in only a slight increase in the relative density but in a great improvement in the Seebeck coefficient and electrical conductivity. However the power factor which reflects the thermoelectric conversion efficiency of the present work is 1 to 2 orders of magnitude lower than that of the porous SiC semiconductors fabricated by conventional sintering at high temperature, it can be stated that thermoelectric properties of SiC semiconductors fabricated by the present reaction-sintering process could be further improved by precise control of microstructure and carrier density.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.20
no.6
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pp.301-306
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2010
The artificial aggregates were fabricated by using the inorganic wastes, dredged soil produced at a dredging work. The input temperature ($800{\sim}1000^{\circ}C$), output temperature ($1100{\sim}1200^{\circ}C$) and heating rate ($5{\sim}10^{\circ}C$/min) in sintering process were controlled to fabricate the aggregates with various value of density and water absorption, and their properties were analyzed as a function of those factors. The specimens sintered at the lower input temperature showed the higher density and the lower water absorption while those with higher input temperature had many pores inside of the aggregates, lower density and higher water absorption. Also increasing the input temperature accelerated the black core phenomenon in the aggregates. The bloating phenomena which the gigantic pores were generated inside the aggregates were improved as increasing the output temperature, but its effect was lower than that of input temperature. It could be realized that the bloating tendency was improved from the results that the density was increased and water absorption was decreased with increasing heating rate from 5 to $10^{\circ}C$/min. It was found that the artificial aggregates of light or heavy weight with various value of density and water absorption could be fabricated by using dredged soils naturally involving gas and fluxing components by controlling the sintering conditions.
In order to analyze the high temperature phase formation and the sinterability of super ionic conductor $K^+-{\beta}/{\beta}"-Al_2O_3$ which is commonly used as a solid oxide electrolyte, the pure $K^+-{\beta}/{\beta}"-Al_2O_3$ powder in the ternary system $K_2O-LiO_2-Al_2O_3$ was synthesized by solid state reaction and formed to tube and disk using slip casting method and cold isostatic pressing (CIP), respectively. The slip casting was conducted in an alumina mold with the slurry containing 40 wt% of solid contents and the CIP was carried out under 20 MPa. The samples were sintered at $1600^{\circ}C$, $1700^{\circ}C$ and $1750^{\circ}C$, respectively, and their phase formation and the sintering density were investigated according to the forming method. The samples produced by CIP showed far higher ${\beta}"-Al_2O_3$ fraction as compared with those by slip casting. On the other hand, the samples by slip casting showed slightly higher sintering density. The relative density reached to about 83% at $1750^{\circ}C$ and for 1 h, independent of the forming method. In the case of 90 min socking time, the density was decreased owing to the exaggerated grain growth and the pores by $K_2O$ evaporation.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.19
no.1
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pp.48-53
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2009
The effect of bloating and fluxing agent on the microstructure and physical properties were studied in manufacturing the artificial lightweight aggregates of bulk density below] using clay and stone sludge. In case of the aggregates added only with bloating agent, the bulk density and water absorption were $0.5{\sim}1.0$ and $41{\sim}110%$ respectively but the microstucture was not uniform with a rough appearance. For the aggregates added with a fluxing agent and one bloating agent, a part of shell was lost due to explosion of specimen caused by over-bloating during a sintering. The mixed addition of bloating agents with vacuum oil, carbon and ${Fe_2}{O_3}$ made the microstructure homogeneous by generating an uniform black core and shell structure. The aggregates added with mixed agents and sintered at $1200^{\circ}C$ showed the bulk density 67 % lower and water absorption 48 times higher than those of the specimen with no additives. ]n this study, the artificial lightweight aggregates showing the bulk density of $0.5{\sim}1.0$ and water absorption of $50{\sim}125%$ could be fabricated to apply to various fields.
The ${\beta}-SiC+ZrB_2$ ceramic composites were hot-press sintered and annealed by adding 1, 2, 3wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$(6 : 4wt%) powder as a liquid forming additives at $1950^{\circ}C$ for 4h. In this microstructures, no reactions were observed between $\beta$-SiC and $ZrB_2$, and the relative density is over 90.79% of the theoretical density and the porosity decreased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_3$ contents. Phase analysis of the composites by XRD revealed of $\alpha$-SiC(6H, 4H), $ZrB_2$, $Al_2O_3$ and $\beta$-SiC(15R). Flexural strength showed the highest of 315.46MPa for composites added with 3wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at room temperature. Owing to crack deflection and crack bridging of fracture toughness mechanism, the fracture toughness showed the highest of $5.5328MPa{\cdot}m^{1/2}$ for composites added with 2wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at room temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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