Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.1
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pp.22-28
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2009
We investigated the sintering and electric properties of ZnO-1.0 at% $TeO_2$ (ZT1) and 1.0 at% Mn-doped ZT1(ZT1M1) system. $TeO_2$ itself melts at $732^{\circ}C$ in air but forms the $ZnTeO_3$ or $Zn_2Te_3O_8$ phase with ZnO as increasing temperature and therefore retards the densification of ZnO to $1000^{\circ}C$. In ZT1M1 system, also, the densification of ZnO was retarded up to $1000^{\circ}C$ and then reached > 90% of theoretical density above $1100^{\circ}C$. It was found that a good varistor characteristics(nonlinear coefficient $a{\sim}60$) were developed in ZT1M1 system sintered at $1100^{\circ}C$ due to Mn which known as improving the nonlinearity of ZnO varistors. The results of C-V characteristics such as barrier height (${\Phi}_b$), donor density ($N_D$), depletion layer (W), and interface state density ($N_t$) in ZT1M1 ceramics were $1.8{\times}10^{17}cm^{-3}$, 1.6 V, 93 nm, and $1.7{\times}10^{12}cm^{-2}$, respectively. Also we measured the resistance and capacitance of grain boundaries with temperature using impedance and electric modulus spectroscopy. It will be discussed about the stability and homogeneity of grain boundaries using distribution parameter ($\alpha$) simulated with the Z(T)"-logf plots.
Yttrium Aluminum Garnet (YAG) powders were prepared by precipitation of Y hydroxides during milling of alumina powders. The powder calcined at 1200$^{\circ}C$ for 4 h contained a small amount of Yttrium Aluminum Monoclinic (YAM) in addition to YAG. However, phase-pure YAG was obtained in the compact of the milled powder with an average particle size of 0.57 ${\mu}$m at 1300$^{\circ}C$, which is much lower than those (l500∼1600$^{\circ}C$) for a mixed oxide method. The powder was found to exhibit an excellent sinterability regardless of the addition of a sintering aid, SiO$_2$(350 ppm Si). The undoped sample were sintered to a relative density of 98% at l600$^{\circ}C$. In contrast, the addition of SiO$_2$ caused a considerable densification to occur at 1500$^{\circ}C$ and the relative density reached 97.7%. But the sintering aid had little effect on the densification at 1600$^{\circ}C$, showing a similar relative density to the undoped sample.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.258-258
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2007
KNN계 세라믹스는 $400^{\circ}C$ 이상의 높은 큐리온도와 압전특성을 가져 Pb대체용 소재로 각광을 받고 있고 많은 연구들이 진행중이다. 하지만 potassium의 수분과의 반응성이 강하고 녹는점이 낮아 소결시 K2O의 휘발로 인해 화학양론적인 정확도를 맞추기가 어려운 단점을 가지고 있다. 이러한 단점을 보완하기 위하여 Hot pressing, Hot forging, SPS등 여러 가지 방법을 이용한 연구가 보고되었다. 본 연구에서는 낮은 소결밀도를 향상시키기 위하여 성형압과 성형방법을 달리하여 성형밀도에 따른 소결 밀도와 압전 특성 변화에 대하여 관찰하였다. 넓은 범위의 성형밀도를 얻기 위하여 낮은 성형압을 가할 수 있는 기계적으로 작동하는 press와 높은 성형밀도를 가할 수 있는 유압식 press를 사용하였고, 양산성을 고려하여 일반적인 세라믹 제조공정을 이용하였다.
Fabrication of reaction-bonded $Al_2O_3$ (RBAO) ceramics using Al-Zn-Mg alloy powder was studied in order to improve traditional RBAO ceramic processing using Al powder. The influence on reaction-bonding and microstructure, as well as on physical and mechanical properties, of the particulate characteristics of the $Al_2O_3$-Al alloy powder mixtures after milling, was revealed. Variation of the particulate characteristics of this $Al_2O_3$-Al alloy powder mixture with milling time was reported previously. To start, the $Al_2O_3$-Al alloy powder mixture was milled, reaction-bonded, post-sintered, and characterized. During reaction-bonding of the $Al_2O_3$-Al alloy powder mixture compacts, oxidation of the Al alloy took place in two stages, that is, there was solid- and liquid-state oxidation of the Al alloy. The solid-state oxidation exhibited strong dependence on the density of surface defects on the Al-alloy particles formed during milling. Higher milling efficiency resulted in less participation of the Al alloy in reaction-bonding. This was because of its consumption by chemical reactions during milling, and subsequent powder handling, and could be rather harmful in the case of over-milling. In contrast to very little dependence of oxidation of the Al alloy on its particle size after milling, the relative density, microstructure, and flexural strength were strongly dependent on particle size after milling (i.e., on milling efficiency). The relative density and 4-point flexural strength of the RBAO ceramics in this study were ~98% and ~365 MPa, respectively, after post-sintering at $1,600^{\circ}C$.
This study describes the doping effect of $Yb_2O_3$ on microstructure, electrical and dielectric properties of $ZnO-V_2O_5-MnO_2-Nb_2O_5$ (ZVMN) ceramic semiconductors sintered at a temperature as low as $900^{\circ}C$. As the doping content of $Yb_2O_3$ increases, the ceramic density slightly increases from 5.50 to $5.54g/cm^3$; also, the average ZnO grain size is in the range of $5.3-5.6{\mu}m$. The switching voltage increases from 4,874 to 5,494 V/cm when the doping content of $Yb_2O_3$ is less than 0.1 mol%, whereas further doping decreases this value. The ZVMN ceramic semiconductors doped with 0.1 mol% $Yb_2O_3$ reveal an excellent nonohmic coefficient as high as 70. The donor density of ZnO gain increases in the range of $2.46-7.41{\times}10^{17}cm^{-3}$ with increasing doping content of $Yb_2O_3$ and the potential barrier height and surface state density at the grain boundaries exhibits a maximum value (1.25 eV) at 0.1 mol%. The dielectric constant (at 1 kHz) decreases from 592.7 to 501.4 until the doping content of $Yb_2O_3$ reaches 0.1 mol%, whereas further doping increases it. The value of $tan{\delta}$ increases from 0.209 to 0.268 with the doping content of $Yb_2O_3$.
The conversion of carbon preforms to dense SiC by liquid infiltration is a prospectively low-cost and reliable method of forming SiC-Si composites with complex shapes and high densities. Si powder was coated on top of a 2.0wt.% Y2O3-added carbon preform, and reaction bonded silicon carbide (RBSC) was prepared by infiltrating molten Si at 1,450℃ for 1-8 h. Reactive sintering of the Y2O3-free carbon preform caused Si to be pushed to one side, thereby forming cracking defects. However, when prepared from the Y2O3-added carbon preform, a SiC-Si composite in which Si is homogeneously distributed in the SiC matrix without cracking can be produced. Using the Si + C → SiC reaction at 1,450℃, 3C and 6H SiC phases, crystalline Si, and Y2O3 were generated based on XRD analysis, without the appearance of graphite. The RBSC prepared from the Y2O3-added carbon preform was densified by increasing the density and decreasing the porosity as the holding time increased at 1,450℃. Dense RBSC, which was reaction sintered at 1,450℃ for 4 h from the 2.0wt.% Y2O3-added carbon preform, had an apparent porosity of 0.11% and a relative density of 96.8%.
The additive of low temperature sintering in Mn-doped PMN-PZT known as high piezoelectric materials was studied in this experiment. B$_2$O$_3$ was used for the additive of low temperature sintering. The effects of sintering temperature in dielectric, and piezoelectric properties were investigated with the amounts of B$_2$O$_3$. Sintered density was increased in comparison with no addition and under 2wt% B$_2$O$_3$ and lower sintering temperature than 100$0^{\circ}C$. Therefore, in the low sintering temperature, the densification was improved by the addition of the B$_2$O$_3$. However, the sintering density was lower than that of the main composition in the case of the sintered at over 10$50^{\circ}C$. Dielectric constant with the addition of B$_2$O$_3$ was evaluated. The dielectric constant was 1000 2 wt% of B$_2$O$_3$ and sintered at 100$0^{\circ}C$. Under 2wt% of B$_2$O$_3$, the electromechanical coupling factor and the piezoelectric constant were not so much decreased. The electromechanical coupling factor and the piezoelectric constant were 50% and 300(${\times}$10$^{-12}$ C/N) respectively. The mechanical quality factor was increased with B$_2$O$_3$. The mechanical quality factor was 1700 at 0.5wt% B$_2$O$_3$ and sintered at 110$0^{\circ}C$. Dielectric loss was less than 0.5% regardless of the amount of B$_2$O$_3$.
The effects of $Al_2$O$_3$ addition upon the sintering range of clay-EAF dust (the specified wastes produced from steel making process) system body which would be used as a constructing bricks were investigated. The slope of apparent density to sintering temperature decreased for Clay-dust body containing 5~15 wt% A1203 sintered at 1200-125$0^{\circ}C$, and the absorption(%) of specimen sintered above 125$0^{\circ}C$ decreased due to the formation of open pores produced by pore bloating. For the specimen without any $Al_2$O$_3$ addition sintered at 1275$^{\circ}C$, the major phase was cristobalite, the small amount of mullite (3Al$_2$O$_3$ 2SiO$_2$) formed and the hematite (Fe$_2$O$_3$) remained. In the Clay-dust system body containing $Al_2$O$_3$ 15 wt%, however, the cristobalite disappeared and the major phase was mullite. Also the part of $Al_2$O$_3$ reacted with hematite to form hercynite (FeAl$_2$O$_4$). From the these results, addition of $Al_2$O$_3$ to Clay-dust system body enlarges a sintering range; decreasing an apparent density and absorption slop to sintering temperature owing to consumption of liquid phase SiO$_2$ at higher temperature and gas-forming component Fe$_2$O$_3$ at reduced atmosphere which would decrease an amount of liquid formed and increase the viscosity of the liquid produced during the sintering process.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.56
no.9
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pp.1602-1608
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2007
The composites were fabricated, respectively, using 61[vol.%] SiC-39[vol.%] $TiB_2$ and using 61[vol.%] SiC-39[vol.%] $ZrB_2$ powders with the liquid forming additives of 12[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ by hot pressing annealing at $1650[^{\circ}C]$ for 4 hours. Reactions between SiC and transition metal $TiB_2$, $ZrB_2$ were not observed in this microstructure. The result of phase analysis of composites by XRD revealed SiC(6H, 3C), $TiB_2$, $ZrB_2$ and $YAG(Al_5Y_3O_{12})$ crystal phase on the Liquid-Phase-Sintered(LPS) $SiC-TiB_2$, and $SiC-ZrB_2$ composite. $\beta\rightarrow\alpha-SiC$ phase transformation was occurred on the $SiC-TiB_2$ and $SiC-ZrB_2$ composite. The relative density, the flexural strength and Young's modulus showed the highest value of 98.57[%], 249.42[MPa] and 91.64[GPa] in $SiC-ZrB_2$ composite at room temperature respectively. The electrical resistivity showed the lowest value of $7.96{\times}10^{-4}[\Omega{\cdot}cm]$ for $SiC-ZrB_2$ composite at $25[^{\circ}C]$. The electrical resistivity of the $SiC-TiB_2$ and $SiC-ZrB_2$ composite was all positive temperature coefficient resistance (PTCR) in the temperature ranges from $25[^{\circ}C]$ to $700[^{\circ}C]$. The resistance temperature coefficient of composite showed the lowest value of $1.319\times10^{-3}/[^{\circ}C]$ for $SiC-ZrB_2$ composite in the temperature ranges from $100[^{\circ}C]$ to $300[^{\circ}C]$ Compositional design and optimization of processing parameters are key factors for controlling and improving the properties of SiC-based electroconductive ceramic composites.
Kim, Han-Soo;Joung, Chang-Yong;Kim, Si-Hyung;Lee, Byoung-Ho;Lee, Young-Woo;Sohn, Dong-Seong;Lee, Sang-Hyun
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.39
no.11
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pp.1108-1112
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2002
pellets were fabricated as a reactor control material by the powder process. Sinterability of $Dy_2O_3+TiO_2$ mixtures and phases of solid solutions were analyzed by using TMA and XRD, respectively. The thermal conductivity of pellet was determined from the measurement data of the specific heat and the thermal diffusivity of the pellet. The sinterability and the sintered density varied as a function of Dy content in $Dy_xTi_yO_z$. The pellet of $3\;g\;Dy/cm^3\;Dy_xTi_yO_z$ melted in the sintering temperature of $1580{\circ}C$. There were two phases of $Dy_2TiO_5+Dy_2Ti_2O_7$ and a single phase of $Dy_2TiO_5$ for the pellet that has the Dy content of and , respectively. The thermal conductivity of $Dy_xTi_yO_z$ was nearly constant in the temperature range of $25~600{\circ}$. It was 1.69~1.78 W/mK for the pellet sintered in and 1.49~1.55 W/mK for the pellet sintered in $1550{\circ}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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