Hot Wall Epitaxy (HWE)에 의한 성장된 $ZnIn_2S_4/GaAs$ 에피레이어의 광학적 특성
(Optical Properties of $ZnIn_2S_4/GaAs$ Epilayer Grown by Hot Wall Epitaxy method)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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- pp.175-178
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- 2004