• 한국안광학회지
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• 제19권3호
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• pp.323-329
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• 2014

목적: 본 연구는 최근 4년간 대한민국의 안경원에서 판매된 콘택트렌즈를 조사하여 처방되는 추세를 알아보고자 하였다. 방법: 매년 100개의 설문지를 무작위로 전국 안경원에 우편 발송하였다. 각 설문지의 작성은 안경원에서 설문지를 받은 후에 판매된 처음 10건의 콘택트렌즈에 대한 정보를 기재하도록 하였고, 우편이나 이메일로 반송하도록 요청하였다. 결과: 총 400개의 설문지 중에 209개의 설문지가 반송되었고, 훼손이 없고 분석에 적합한 처방건수가 1937건이었다. 콘택트렌즈를 처방 받은 고객들의 평균 나이는 2010년에는 $26.2{\pm}7.0$세, 2011년에는 $26.1{\pm}7.6$세, 2012년에는 $24.7{\pm}.6$세, 2013년에는 $24.8{\pm}7.2$세로 나타났으며, 착용자의 대부분은 여성이었다(75%). 소프트콘택트 렌즈 중에서 실리콘 하이드로겔 렌즈의 비율은 평균 18%를 차지하였고, 디자인별로 분류했을 때, 토릭렌즈의 비율은 평균 17%였으며, 이 비율은 4년간 꾸준히 증가하였다(2010년:10%, 2011년:18%, 2012년:16%, 2013년:22%). 미용렌즈는 29%의 비율을 나타내었다. 일회용 렌즈의 비율은 29%이고, 3~6개월 교체용이 가장 많은 40%로 조사되었다. 결론: 콘택트렌즈 착용자의 대부분이 여성이었으며, 평균나이는 4년간 적은 비율로 차츰 감소하였다. 나이가 어린 여성 착용자가 증가한 것은 미용렌즈의 처방이 갈수록 증가한 것과 연관된다. 또한 미용렌즈의 처방 비율(29%)은 전세계의 미용렌즈 처방 평균(7%)보다 훨씬 높게 나타났다. 이러한 미용렌즈의 성장은 한국의 미용관련 시장의 상승세와 관련 있는 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.456-456
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• 2009

Boron doping on an n-type Si wafer is requisite process for IBC (Interdigitated Back Contact) solar cells. Fiber laser annealing is one of boron doping methods. For the boron doping, uniformly coated or deposited film is highly required. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method provides a uniform dopant film or layer which can facilitate doping. Because amorphous silicon layer absorption range for the wavelength of fiber laser does not match well for the direct annealing. In this study, to enhance thermal affection on the existing p-a-Si:H layer, a ${\mu}c$-Si:H intrinsic layer was deposited on the p-a-Si:H layer additionally by PECVD. To improve heat transfer rate to the amorphous silicon layer, and as heating both sides and protecting boron eliminating from the amorphous silicon layer. For p-a-Si:H layer with the ratio of $SiH_4$ : $B_2H_6$ : $H_2$ = 30 : 30 : 120, at $200^{\circ}C$, 50 W, 0.2 Torr for 30 minutes, and for ${\mu}c$-Si:H intrinsic layer, $SiH_4$ : $H_2$ = 10 : 300, at $200^{\circ}C$, 30 W, 0.5 Torr for 60 minutes, 2 cm $\times$ 2 cm size wafers were used. In consequence of comparing the results of lifetime measurement and sheet resistance relation, the laser condition set of 20 ~ 27 % of power, 150 ~ 160 kHz, 20 ~ 50 mm/s of marking speed, and $10\;{\sim}\;50 {\mu}m$ spacing with continuous wave mode of scanner lens showed the correlation between lifetime and sheet resistance as $100\;{\Omega}/sq$ and $11.8\;{\mu}s$ vs. $17\;{\Omega}/sq$ and $8.2\;{\mu}s$. Comparing to the singly deposited p-a-Si:H layer case, the additional ${\mu}c$-Si:H layer for doping resulted in no trade-offs, but showed slight improvement of both lifetime and sheet resistance, however sheet resistance might be confined by the additional intrinsic layer. This might come from the ineffective crystallization of amorphous silicon layer. For the additional layer case, lifetime and sheet resistance were measured as $84.8\;{\Omega}/sq$ and $11.09\;{\mu}s$ vs. $79.8\;{\Omega}/sq$ and $11.93\;{\mu}s$. The co-existence of $n^+$layeronthesamesurfaceandeliminating the laser damage should be taken into account for an IBC solar cell structure. Heavily doped uniform boron layer by fiber laser brings not only basic and essential conditions for the beginning step of IBC solar cell fabrication processes, but also the controllable doping concentration and depth that can be established according to the deposition conditions of layers.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2003년도 추계학술대회논문집
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• pp.76-79
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• 2003

Glass molding is an advantageous method to manufacture glass micro optical components. However, it is difficult to make tungsten carbide core for glass molded micro optics way. We have developed novel method to fabricate tungsten carbide core for glass molding of glass micro optical components. Silicon masters were fabricated by micro machining. Tungsten Carbide cores were fabricated by forming, sintering and coating. Finally we fabricated glass molded V-groove with pitch of 192$\mu\textrm{m}$ and glass microlens way with lens diameter of 36∼225$\mu\textrm{m}$ by the present method.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권6호
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• pp.344-347
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• 2014

This study was carried out on DLC thin film deposition technology used in infrared optical system production as a method of reducing the shape changes of the molding core and the consequent loss of life. Experiments on the deposition on silicon wafer and tungsten carbide used as a substrate for molding core were conducted at each processing condition using a filtered arc system, and it was found that the surface and mechanical properties were of the greatest quality when the substrate bias voltage of -150 V was used. In addition, it was confirmed that the PV and Ra characteristics were improved by the deposition of the DLC thin film.

• 한국신뢰성학회지:신뢰성응용연구
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• 제10권2호
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• pp.137-148
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• 2010

This study deals with the accelerated life test of high power phosphor converted white Light Emitting Diodes (High power LEDs). Samples were aged at $110^{\circ}C$/85% RH and $130^{\circ}C$/85% RH up to 900 hours under non-biased condition. The stress induced a luminous flux decay on LEDs in all the conditions. Aged devices exhibited modification of package silicon color from white to yellowish brown. The instability of the package contributes to the overall degradation of optical lens and structural degradations such as generating bubbles. The degradation mechanisms of lumen decay and reduction of spectrum intensity were ascribed to hygro-mechanical stress which results in package instabilities.

• 대한기계학회논문집A
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• 제36권10호
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• pp.1189-1193
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• 2012

본 연구는 초소형 광학 시스템을 구현할 수 있는 설계 및 제작의 방법론을 제시하고자 한다. 초소형 광학계에서는 조명 및 결상 광학소자의 성능과 소형화가 조광면의 균질도와 결상 된 이미지의 선명도에 중요한 영향을 미치게 된다. 본 연구에서는 얇은 두께로 실효 광도를 배가시키기 위한 초박형의 LED 빔조형 렌즈를 설계 제작하였다. 상기 렌즈는 중앙부의 비구면렌즈와 외각의 전반사 프레넬 가장자리 부로 구성되어 있다. 설계된 LED 빔조형 렌즈(직경 4.7 mm, 두께 0.6 mm)는 다이아몬드 선삭으로 중앙 비구면부의 전반사(TIR) 가장자리가 정밀하게 가공되었으며, LED 의 빔각을 150 도에서 17.5 도로 축소 시켰다. 다른 광학소자들 마이크로 프리즘, 결상광학용 프레넬 렌즈, 광가이드는 다양한 마이크로 나노 크기의 제조공정으로 일체형으로 성형되었다. 시작품으로 제작된 초소형 광학계($6.8{\times}2.2{\times}2.5mm$)는 마이크로 패턴을 결상의 가능성을 보여주었고, 지문인식용 초소형광학계로서의 성능을 검증하였다.

• 한국광학회지
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• 제28권4호
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• pp.153-157
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• 2017

지향성적외선방해장비의 정렬 정밀도를 높히고 중량을 감소시키기 위해 적용된 적외선 카메라-레이저 공통광학계 구조에서 영상 성능 저하를 야기시키는 레이저빔 열 영향성을 분석하였다. 높은 에너지 밀도를 가지는 레이저빔이 광부품에 흡수되면 열이 발생하고 온도가 상승한다. 공통광학계 광부품 표면에서 발생한 열은 시스템 투과율을 감소시켜 적외선 카메라의 영상 품질을 저하시킬 수 있다. 지향성적외선방해장비의 운용개념을 고려하여 파장 $4{\mu}m$, 출력 3 W의 레이저빔이 10초간 미러(알루미늄, 실리카 글래스, 실리콘) 및 렌즈(사파이어, 셀레늄화아연, 실리콘, 게르마늄) 재료에 조사되는 상황을 가정하여 온도 분포를 계산하였다. 계산 결과, 미러 재료로는 실리카 글래스, 렌즈 재료로는 사파이어의 온도 상승이 상대적으로 컸고, 재료 온도 분포에 가장 큰 영향을 미치는 요소는 재료의 레이저빔 흡수율과 열전도도임을 확인하였다. 결론적으로 적외선 카메라-레이저 공통광학계에 사용하는 광부품은 흡수율이 낮고 열전도도가 높은 특성을 갖도록 선정되어야 광부품 온도 상승에 의한 적외선 카메라의 영상 품질 저하를 방지할 수 있다.

• 비파괴검사학회지
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• 제35권3호
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• pp.200-205
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• 2015

현대의 컴팩트 반도체 소자들은 정확한 품질검사를 위해 비파괴, 고분해능의 검사 장비가 요구되고 있다. 검사 장비 중 고분해능 적외선 대물렌즈와 적외선 센서로 구성된 초정밀 열영상 현미경은 반도체 내부의 결함에서 발생되는 국소적 열원의 위치와 깊이 정보를 얻는데 유용하게 활용되고 있다. 본 연구에서는 위 상잠금기법이 적용된 적외선열영상 현미경을 이용하여 다층구조로 된 반도체 소자 내부 열원의 위치와 깊이 정보에 대해 분석하였다. 시편은 내부에 3개의 열원을 포함한 TSV(through silicon via technology) 기반 4단 적층구조로서 측정 표면으로부터 열원의 깊이는 $240{\mu}m$이다. 본 실험에서는 위상잠금기법을 통해 시편 내부열원의 위치와 깊이를 정확히 찾을 수 있는 초점면 위치, 노출시간 그리고 위상잠금주파수 등 최적의 조건을 찾고 그 조건에서 적외선 대물렌즈와 시편의 거리 변화에 따른 위상 변이와 깊이 정보에 대한 영향을 알아보았다. 이와 같은 반도체 내부결함에 의한 열원의 위치와 깊이 분석에 대한 연구는 품질검사용 열영상 분석장비 개발에 큰 도움을 줄 것으로 예상한다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.215-221
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• 2023

수정체가 포함된 Brain CT 스캔 조건 중 관전압을 80, 100, 120 kVp로 변화시켜 적용하고 납, 납 고글, 황산바륨 실리콘 혼합 차폐체를 이용하여 선량의 변화를 분석하고, 차폐체가 화질에 영향을 미치는 정도를 SNR, CNR, SSIM 지수 분석방법을 적용하여 비교 분석해 보았다. 그 결과 모든 차폐물질 적용으로 선량 감소는 하였지만, 선량 감소 차는 크지 않은 것으로 분석되었다(P > 0.05). 또한 차폐물질 적용으로 화질의 변화는 납 고글 적용 시 SNR, CNR이 가장 높았고 SSIM 분석에서도 기준값 1에 가장 근접하여 구조적 유사도가 가장 우수한 것으로 측정되었다. 따라서, 본 연구결과를 기준으로 더욱 다양한 차폐체 적용과 임상실험 결과를 도출하여 적용한다면 차폐체 활용 검사 시 임상 적용기준에 도움을 줄 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국안광학회지
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• 제12권1호
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• pp.85-90
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• 2007

안경렌즈의 무반사 코팅물질로 사용되는 황화아연(Zinc Sulphide : ZnS)의 단일박막을 실리콘과 슬라이드 유리 기판위에 스핀코팅방법으로 증착하였다. 박막 증착 후 변입사각분광타원계(VASE : Variable Angle Spectroscopic Ellipsometer)를 사용하여 1.5~5.0 eV 광 에너지 영역에서 타원 각(ellipsometry angle) ${\Delta}$, ${\Psi}$를 측정하였다. 이 측정결과들을 Jellison Modine 분산관계식을 사용하여 최적맞춤하고, 매개변수들을 구하여 박막의 광학상수인 굴절계수 $n({\lambda})$와 소광계수 $k({\lambda})$를 결정하였다.