In scramjet engines with sidewall compression inlet, it is well known that a non-uniform flow appears since a separated region is generated near the flow centerline on the body side. The separated region is caused by shock-boundary layer interaction and likely to cause un-start phenomena since the flow in the separated region is subsonic and acts as a communication path between the isolator and the combustor. In the present study, the non-uniform flow characteristics in the scramjet inlet-isolator region are numerically studied in detail. Effect of flow suction from body sidewall surface on the non-uniform flow field numerically examined to clarify the flow mechanism to suppress the un-start transition.
A new trenched Hybrid Schottky INjection Field Effect Transistor (HSINFET) is proposed and verified by 2-D semiconductor device simulation. The feature of the proposed structure is that the hybrid Schottky injector is implemented at the trench sidewall and p-n junction injector at the upper sidewall and bottom of a trench. Two-dimensional simulation has been performed to compare the new HSINFET with the SINFET, conventional HSINFET and lateral insulated gate bipolar transistor(LIGBT). The numerical results shows that the current handling capability of the proposed HSINFET is significantly increased without sacrificing turn-off characteristics. The proposed HSINFET exhibits higher latch-up current density and much faster switching speed than the lateral IGBT. The forward voltage drop of the proposed HSINFET is 0.4 V lower than that of the conventional HSINFET and the turn-off time of the trenched HSINFET is much smaller than that of LIGBT.
Nonlinear weirs, such as labyrinth and piano key weirs, are suitable methods to handle increased flood flows that may be expected due to climate change. Although specific physical models are considered to be an effective way of investigating fluid flows, simply conducting physical model tests is insufficient to fully comprehend the hydraulic and discharge characteristics of non-linear weirs. In this study, computational fluid dynamics algorithms have been used extensively to investigate complex flow physics instead of relying on reduced scale models. The discharge capacity of the piano key weir and the rectangular labyrinth weir is compared using a three-dimensional numerical model, which is validated by the available experimental data. The results confirm that piano key weir is more efficient than the rectangular labyrinth weir for a wide range of head water ratios. By analyzing the contribution of discharge over inlet, outlet and sidewall crests, the factor that make the piano key weir superior to the rectangular weir is the sidewall discharge.
We present a detailed analysis of the light extraction efficiency (LEE) of a core-shell nanorod light emitting diode (LED) using finite-difference time-domain (FDTD) simulations. We found that the LEE has a deep dependence on source positions and polarization directions based on the calculated LEE results for every x and z position inside the core-shell nanorod structure. The LEEs are different for the upper part (pyramid) and the lower part (sidewall) of the core-shell nanorod owing to total internal reflection (TIR) and the generated optical modes in the structure. As a result, the LEE of sidewall is much larger than that of pyramid. The averaged LEE of the core-shell nanorod LED is also investigated with variable p-GaN thickness, n-GaN thickness, and height for the design guidelines for the optimized LEE of core-shell nanorod LEDs.
Single-crystalline Bi nanowires have motivated many researchers to investigate novel quasi-one-dimensional phenomena such as the wire-boundary scattering effect and quantum confinement effects due to their electron effective mass (~0.001 me). Single crystalline Bi nanowires were found to grow on as-sputtered films after thermal annealing at $270^{\circ}C$. This was facilitated by relaxation of stress between the film and the thermally oxidized Si substrate that originated from a mismatch of the thermal expansion. However, the method is known to produce relatively lower density of nanowires than that of other nanowire growth methods for device applications. In order to increase density of nanowire, we propose a method for enhancing compressive stress which is a driving force for nanowire growth. In this work, we report that the compressive stress can be controlled by modifying a substrate structure. A combination of photolithography and a reactive ion etching technique was used to fabricate patterns on a Si substrate. It was found that the nanowire density of a Bi film grown on $100{\mu}m{\times}100{\mu}m$ pattern Si substrate increased over seven times higher than that of a Bi sample grown on a normal substrate. Our results show that density of nanowire can be enhanced by sidewall effect in optimized proper pattern sizes for the Bi nanowire growth.
급경사 산지하천 수충부의 호안은 대부분 콘크리트 옹벽으로 되어있다. 표면이 매끄러운 콘크리트 옹벽호안은 유속을 더 강화시키기 때문에 수충부 홍수피해의 원인이 되기도 한다. 본 연구에서는 개수로의 한 측벽에 설치한 정사각형 단면의 세로돌출줄눈이 흐름저항에 미치는 영향을 파악하기 위해 수리실험을 수행하였다. 돌출줄눈의 설치간격은 무차원 돌출줄눈 간격 ${\lambda}_{nv}$를 기준으로 조도유형 d형과 k형을 포함하도록 설계하였다. 흐름의 Froude 수는0.81~1.12의 범위였다. 흐름저항은 돌출줄눈의 설치간격과 유량에 좌우되었다. ${\lambda}_{nv}$가 9일 때 흐름저항이 가장 큰 것으로 나타났다. 세로돌출줄눈은 유량이 증가하면 d형 조도에서는 흐름저항을 감소시켰으나 k형 조도에서는 흐름저항을 증가시켰다. 흐름저항의 증가폭은 ${\lambda}_{nv}$이 9~12의 범위에서 상대적으로 더 크게 나타났다. 세로돌출줄눈에 의한 흐름저항은 대부분 형상저항에 의한 것이며 그 등가조도높이는 수심규모로 발생할 수 있고 흐름저항에 미치는 영향이 매우 크다. 측벽의 세로돌출줄눈은 흐름저항을 증가시키고 최대유속의 발생위치를 수로의 횡단면 중앙방향으로 이동시키는 수단으로 사용될 수 있을 것이다.
지리산과 한라산을 대상으로 산악 국립공원 등산로의 훼손 유형을 요인별로 조사하였다. 등산로 훼손은 침식프로세스가 진행되는 장소에 따라 노면 저하, 측벽 후퇴, 노면 확대 및 분기로 구분할 수 있다. 노면 저하와 측벽 후퇴가 주로 자연적인 침식 요인에 의해 일어나는 훼손 유형인 반면 노면 확대 및 분기는 인위적인 답압으로 발생하는 훼손 유형이다. 노면 저하를 일으키는 가장 탁월한 프로세스는 우세이며, 측벽 후퇴는 등산로의 물리적 환경에 따라 우세, 서릿발작용, 취식, 도목, 동물작용 등 탁월한 프로세스가 달라진다. 노면 확대 및 분기는 탑압을 일으키는 원인에 의해 유형화할 수 있다. 지표류에 의해 등산로 노면이 낮아지는 과정에서 드러난 나무뿌리, 자갈 및 암반과 국지적인 세굴로 인하여 노변에 만들어진 높낮이차 등 우세와 관련하여 발생하는 훼손 사례가 많다. 또한 평탄면 등산로에서는 물웅덩이, 산림지대의 등산로에서는 천근성 수목인 구상나무의 도목이 노면 확대 빛 분기의 주요 원인이 된다. 돌깔기 공법처럼 노변 보호공법이 오히려 등산객의 등산로 이탈을 조장하기도 하며, 보행에 불편을 주는 요소가 없더라도 등산객이 지름길을 만드는 과정에서 노면 확대 및 분기가 발생할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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