• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1238_1239
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• 2009

본 논문에서는 ELA poly-Si TFT보다 뛰어난 균일도를 갖고, a-Si:H TFT보다 전기적 안정도가 우수한 PMOS SPC-Si TFT의 특성을 연구하였다. SPC-Si의 계면 특성을 향상 시키기 위해 $SiO_2$ 게이트 절연막을 증착하기 전에 Solid Phase Crystalline 실리콘(SPC-Si) 채널 영역에 다양한 H2 플라즈마 처리를 해주었다. PECVD를 이용하여 100W에서 H2 플라즈마 처리를 5분 해주었을 때 SPC-Si TFT의 전기적 특성이 향상되는 것을 볼 수 있는데, $V_{TH}$가 약 -3.91V, field effect mobility가 $22.68cm^2$/Vs, 그리고 Subthreshold swing이 0.64 정도를 보였다. 또한 소자에 Hot carrier stress($V_{GS}$=14.91V, $V_{DS}$=-15V, for 2,000sec)를 주었을 때도 전기적 특성이 변하지 않았으며, 일정한 bias stress($V_{GS}$=-15V, $V_{DS}$=-10V, for 2,000sec)를 가하였을 때도 $V_{TH}$가 증가하지 않았다. 이러한 결과를 통해 SPC-Si가 poly-Si TFT보다 더욱 안정함을 알 수 있었다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제19권8호
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• pp.781-786
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• 2009

Small interfering synthetic double-stranded RNA (siRNA) was applied to suppress the expression of the human cytotoxic-T-Iymphocyte antigen 4-immunoglobulin (hCTLA4Ig) gene transformed in transgenic rice cell cultures. The sequence of the 21-nucleotide siRNA was deliberately designed and synthesized with overhangs to inactivate the expression of hCTLA4Ig. The chemically synthesized siRNA duplex was combined with polyethyleneimine (PEl) at a mass ratio of 1:10 (0.33 ${\mu}g$ siRNA:3.3 ${\mu}g$ PEl) to produce complexes. The siRNA complexes (siRNA+PEI) were labeled with Cy3 in order to subsequently confirm the delivery by fluorescent microscopy. In addition, the cells were treated with sonoporation at 40 kHz and 419W for 90 s to improve the delivery. The siRNA complexes alone inhibited the expression of hCTLA4Ig to 45% compared with control. The siRNA complexes delivered with sonoporation downregulated the production of hCTLA4Ig to 73%. Therefore, we concluded that the delivery of siRNA complexes into plant cells could be enhanced successfully by sonoporation.

• 한국재료학회지
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• 제3권6호
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• pp.661-667
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• 1993

Conatact barrier metal용 selective W CVD 기술에서 $SiH_4//WF_6$(=R)유량비가 W막의 비저항, contact resistance, 접합주설전류 등의 전기적 특성에 미치는 영향을 $\beta$-W 의 생성에 촛점을 맞추어 조사하였다. R의 증가에 따라 W의 비저항이 증가하는데, 그 주원인은 $\alpha$-W로 부터 $\beta$-W 로의 상변태에 있다. $SiH_{4}$환원에 의한 CVD W에서 생성되는 $\beta$-W 는 산소에 의해서가 아니라 막내에 유입된 Si에 의하여 안정화된다. Si기탄상에 W를 증착할 때에는 R값이 클 경우에 $\beta$-W 가 생성되지만, TiN 기판상에 W를 증착할 때에는 R값이 큰 경우에도 $\beta$-W 가 생성되지 않는 것으로 나타났다. 또한 R이 증가함에 따라 접합누설전류가 증가하는데, 이것은 W-Si계면에 대한 수직방향으로의 Si의 소모뿐만 아니라 수평방향으로의 Si의 소모에도 그 원인이 있는 것으로 보인다.

• 한국환경농학회지
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• 제23권2호
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• pp.104-110
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• 2004

이화학적 특성이 다른 4가지의 밭토양에 대한 규산질 비료를 처리하여 토양의 유효규산 함량과 pH 변화에 미치는 효과를 조사하였다. 토양의 이화학적 특성과 기존 유효규산 함량에 상관없이 토양 유효규산 함량은 규산질 비료 시용량에 비례하여 증가하였다. 규산질 비료의 유효화 정도는 토양마다 차이가 있었으며 최저 9.1%에서 최고 19.2% 정도의 비율을 나타냈다. 규산질 비료 100 kg/10a 수준의 처리는 용탈 등으로 제거되지 않는 한 10 cm 질이 표토에 평균적으로 100 mg/kg 정도의 유효규산을 공급할 수 있는 것으로 나타났다. 퇴비 혼합처리는 토양 유효규산 함량 증가에 큰 영향을 미치지 못했으며, 석회 처리는 유효규산 함량을 다소 증가시켰다. 토양 pH 변화는 모든 토양에서 규산질 비료 시비량에 비례하여 증가하였으며, 규산질 비료 100 kg/10a 처리로 토양 pH를 $0.1{\sim}0.2$ 단위 증가시킬 수 있는 것으로 나타났다. 따라서 산성 토양의 경우에는 규산질 비료의 시용과는 별도로 pH 교정을 위해 석회비료를 시용해야 할 것이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권9호
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• pp.14-23
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• 2010

본 논문에서는 유럽에서 사용되는 이동형 디지털 방송인 DVB-T/H 신호를 수신 및 신호처리 가능한 DVB-T/H SiP를 제작하였다. DVB-T/H SiP는 칩이 PCB 내부에 삽입될 수 있는 IC-임베디드 PCB 공정을 적용하여 설계되었다. DVB-T/H SiP에 삽입된 DVB-T/H IC는 신호를 수신하는 RF 칩과 어플리케이션 프로세서에서 활용할 수 있도록 수신된 신호를 변환하는 디지털 칩 2개를 원칩화한 모바일 TV용 SoC 이다. SiP 에는 DVB-T/H IC를 동작하기 위해 클럭소스로써 38.4MHz의 크리스탈을 이용하고, 전원공급을 위해 3MHz로 동작하는 DC-DC Converter와 LDO를 사용하였다. 제작된 DVB-T/H SiP는 $8mm{\times}8mm$ 의 4 Layer로 구성되었으며, IC-임베디드 PCB 기술을 사용하여 DVB-T/H IC는 2층과 3층에 배치시켰다. 시뮬레이션 결과 Ground Plane과 비아의 확보로 RF 신호선의 감도가 개선되었으며 SiP로 제작하는 경우에 Power 전달선에 존재하는 캐패시터와 인덕터의 조정이 필수적임을 확인하였다. 제작된 DVB-T/H SiP의 전력 소모는 평균 297mW이며 전력 효율은 87%로써 기존 모듈과 동등한 수준으로 구현되었고, 크기는 기존 모듈과 비교하여 70% 이상 감소하였다. 그러나 기존 모듈 대비평균 3.8dB의 수신 감도 하락이 나타났다. 이는 SiP에 존재하는 DC-DC Converter의 노이즈로 인한 2.8dB의 신호 감도 저하에 기인한 것이다.

• 전기학회논문지
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• 제63권2호
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• pp.250-256
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• 2014

In this study, we deposited and investigated ${\mu}c$-Si:H thin films prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) system. To deposition silicon thin films, we controlled $SiH_4$ gas concentration, RF input power, and heater temperature. According to the experiments, the more $SiH_4$ gas concentration increased, deposition rate also increased but crystalline property decreased at the same conditions. In the RF input power case, deposition rate and crystalline property increased together when the input power increased from 100[W] to 300[W]. If RF input power was 300[W], deposition rate has reached saturation point. In the heater temperature, deposition rate increased when heater temperature increased. Crystalline property maintained a certain level until heater temperature was $250[^{\circ}C]$. And then it was a suddenly increased. Multistep method has been proposed to improve the quality of ${\mu}c$-Si:H thin film. $SiH_4$ gas was injected with a time interval. According to the experiments, crystallite ratio improve about 20~60[%] and photo conductivity increased up to six times.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.128.2-128.2
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• 2011

스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.521-524
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• 2001

In this letter. we report on the investigation of Ti. Pt/Si/Ti Ohmic contacts to p-type 4H-SiC. The contacts were formed by a 2-step vacuum annealing at $500^{\circ}C$ for 1h. $950^{\circ}C$ for 10 min respectively. The contact resistances were measured using the transmission line model method. which resulted in specific contact resistivities in the $3.5{\times}10^{-3}$ and $6.2{\times}10^{-4}ohm/cm^{2}$, and the physical properties of the contacts were examined using x-ray diffraction. microscopy. AES(auger electron spectroscopy). AES analysis has shown that, at this anneal temperature, there was a intermixing of the Ti and Si. migration of into SiC. Overlayer of Pt had the effect of decreasing the specific contact resistivity and improving the surface morphology of the annealed contact.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권3호
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• pp.303-308
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• 1999

As a semiconductor material for electronic devices operated under extreme environmental conditions, silicon carbides(SiCs) have been intensively studied because of their excellent electrical, thermal and other physical properties. The growth characteristics of single-crystalline 4H-SiC homoepitaxial layers grown by a thermal chemical vapor deposition (CVD) were investigated. Especially, the successful growth condition of 4H-SiC homoepitaxial layers using a SiC-uncoated atmospheric pressure chamber and carried out using off-oriented substrates prepared by a modified Lely method. In order to investigate the crystallinity of grown epilayers, Nomarski optical microscopy, Raman spectroscopy, photoluninescence(PL), scanning electron microscopy(SEM) and other techniques were utilized. The best quality of 4H-SiC homoepitaxial layers was observed in conditions of growth temperature $1500^{\circ}C$ and C/Si flow ratio 2.0 of $C_{3}H_{8}\;0.2\;sccm\;&\;SiH_{4}\;0.3\;sccm$. The growth rate of epilayers was about $1.0\mu\textrm{m}/h$ in the above growth condition.

• Journal of Veterinary Science
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• 제23권2호
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• pp.24.1-24.10
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• 2022

Background: Small interfering RNA technology has been considered a prospective alternative antiviral treatment using gene silencing against influenza viruses with high mutations rates. On the other hand, there are no reports on its effectiveness against the highly pathogenic avian influenza H5N1 virus isolated from Indonesia. Objectives: The main objective of this study was to improve the siRNA design based on the nucleoprotein gene (siRNA-NP) for the Indonesian H5N1 virus. Methods: The effectiveness of these siRNA-NPs (NP672, NP1433, and NP1469) was analyzed in vitro in Marbin-Darby canine kidney cells. Results: The siRNA-NP672 caused the largest decrease in viral production and gene expression at 24, 48, and 72 h post-infection compared to the other siRNA-NPs. Moreover, three serial passages of the H5N1 virus in the presence of siRNA-NP672 did not induce any mutations within the nucleoprotein gene. Conclusions: These findings suggest that siRNA-NP672 can provide better protection against the Indonesian strain of the H5N1 virus.