• 상하수도학회지
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• 제25권3호
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• pp.399-405
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• 2011

In a desalination technology using RO membranes, chemical cleaning makes damage for membrane surface and membrane life be shortened. In this research cleaning technology using direct osmosis (DO) was introduced to apply it under the condition of high pH and high concentration of feed. When the high concentration of feed is injected to the concentrate side after release of operating pressure, then backward flow occurred from treated water toward concentrated for osmotic pressure. This flow reduces fouling on the membrane surface. Namely, flux of DO was monitored under pH 3, 5, 10 and 12 conditions at feed concentrations of NaCl 40,000 mg/L, 120,000 mg/L and 160,000 mg/L. As a result, DO flux in pH 12 increased about 21% than pH 3. DO cleaning was performed under the concentrate NaCl 160,000 mg/L of pH 12 during 20 minutes. Three kinds of synthetic feed water were used as concentrates. They consisted of organic, inorganic and seawater; chemicals of SiO2 (200 mg/L), humic acid (50 mg/L) sodium alginate (50 mg/L) and seawater. As a result, fluxes were recovered to 17% in organic fouling, 15% in inorganic fouling and 14% of seawater fouling after cleaning using DO under the condition of concentrate NaCl 160,000 mg/L of pH 12.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권6호
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• pp.618-622
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• 1997

The polysiloxane-bridged dinuclear metallocenes $[(SiMe_2O)_n-SiMe_2(C_5H_4)_2][(C_9H_7)ZrCl_2]_2$ (n=1 (7), 2 (8), 3 (9)) have been generated as a model complex for the immobilized metallocene at silica surface by treating the respective disodium salts of the ligands with 2 equivalents of $(C_9H_7)ZrCl_3$ in THF. All three complexes are characterized by $^1H$ NMR and measurement of metal content through ICP-MS. It turned out that the values of ${\Delta}{\delta}=[{\delta}_d-{\delta}_p]$, the chemical shift difference between the distal $({\delta}_d)$ and proximal $({\delta}_p)$ protons, for the produced dinuclear compounds (0.47 for 7, 0.49 for 8, and 0.5 for 9) were larger than the Δδ value of the known ansa-type complex holding the same ligand as a chelating one, that is just the opposite to the normal trend. In order to compare polymerization behavior of the dinuclear metallocene with the corresponding mononuclear metallocene, (Cp)$(C_9H_7)ZrCl_2$ was separately prepared. To investigate the catalytic properties of the dinuclear complexes and mononuclear metallocenes ethylene polymerization has been conducted in the presence of MMAO. The polymerization results display the typical activity dependence on polymerization temperature for all complexes. The most important feature is that the polymers from the dinuclear metallocenes represent enormously improved molecular weight compared with the polymer from the corresponding mononuclear metallocene. In addition, the influence of the nature of the bridging ligand upon the reactivities of the dinuclear metallocenes has also been observed.

• 한국재료학회지
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• 제14권5호
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• pp.343-347
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• 2004

We investigated the growth feasibility of polycrystalline Si film on mica substrate for the transfer of the layer to a plastic substrate. The annealing temperature was limited up to $600^{\circ}C$ because of crack development in the mica substrate. Amorphous Si film was deposited on mica substrate by PECVD and was crystallized by furnace annealing. During the annealing, bubbles were formed at the Si/mica interface. The bubble formation was avoided by the Ar-plasma treatment before amorphous Si deposition. A uniform and clean polycrystalline Si film was obtained by coating $NiCl_2$ on the amorphous Si film and annealing at $500^{\circ}C$ for 10 h. The conventional Si lithography was possible on the mica substrate and the devices fabricated on the substrate could be transferred to a plastic substrate.

• 한국재료학회지
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• 제12권8호
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• pp.650-655
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• 2002

$SiO_2$ gels containing dispersed fine Te metal particles have been prepared by the sol- gel method using a starting solution containing Tetraethoxy Silane (Si($OC_2$ $H_{5}$ )$_4$), $H_2$O, Ethylalchol ($C_2$$H_{5}$OH), Nitric Acid ($HNO_3$) and Tellurium Tetracholoride ($TeCl_4$) in a several molar ratio. Gelling time of sols was about 3 days and viscosity of solution was very low about 2~3 cP for 3 days. Heat-treatments of the gel have been performed at 500, 700, 900, 1100 and $1300^{\circ}C$ for 1 hour, respectively. We have investigated TG-DTA, X-ray diffraction patterns and SEM of heat-treatmented gels. The size of Te fine particles dispersed in $SiO_2$ gel was about 0.8~1 $\mu\textrm{m}$ and the shape was almost quadrangle.

• 한국표면공학회지
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• 제24권4호
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• pp.206-214
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• 1991

In the basic study of selective electroless Ni plating of Si wafers, plating rate and physical properties are investigated to obtain optimum conditions of contact hole filling. Si wafers are excellently activated in the concentration of 0.5M IF, 1mM PdCl2, 2mM EDTA at $70^{\circ}C$, 90sec. The optimum condition of Ni-B deposition on p-type Si wafers is 0.1M NiSO4, 0.11M Citrate, $70^{\circ}C$, pH6.8, 8mM DMAB. The main factor in the sheet resistences variation of films is amorphous and on heat treating matrix was transformed into a stable phase (Ni+Ni3B) at $300-400^{\circ}C$. But pH or DMAB concentration in the plating solution doesn't play role of heat-affected phase change.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제56권2호
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• pp.291-296
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• 2018

구리 촉매를 이용하여 실리콘으로부터 기체상태의 methylchlorosilanes을 직접 생성하는 공정이 Rochow에 의해 제시되었고 이 후로 직접 생산 반응에 관하여 많은 연구가 진행되어 오고 있다. 직접 반응 촉매로서의 구리 외에 조촉매들을 첨가함으로서 반응의 활성을 증가시키고, 주 생산물인 DMDC 로의 선택도를 증가시키는 연구도 많이 보고되었다. 하지만 반응 기구에 있어서는 DMDC 의 생성을 설명하는 연구 외에 부산물로 함께 생성되는 여러 종류의 methylchlorosilanes 들의 생성과정을 설명하는 연구는 없는 실정이다. 그래서 본 연구에서는 실리콘 표면에 존재하는 것으로 보여지는 실리콘 활성점인 $=SlCl_2$와 $=Si(CH_3)Cl$의 존재를 제시하고 이 활성점 들에 메틸, 염소 및 수소가 첨가되어 methylchlorosilanes이 생성된다고 간주하였다. Methyl chloride ($CH_3Cl$)의 해리 흡착으로 인한 메틸-실리콘 결합의 생성과 해리 흡착한 후 표면에 존재하여 표면 이동을 하는 것으로 간주되는 Cl와 H을 이용하여 각 silanes 의 생성 경로를 제시하였다. 제시된 각 silanes 들의 생성 경로는 반응 결과 생성된 각 silanes의 종류뿐만 아니라 TPD 과정에서 생성되는 silanes 종류의 생성도 정확하게 설명해 주고 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.612-618
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• 1998

$SiCl_4/C_3H_8/H_2$계를 사용하여 흑연기판 위에 순수한 SiC층과 SiC/C FGM층을 CVD법에 의해 증착한 후 thermal shock 시험을 통하여 두 시편의 열적 성질을 조사하였다. Thermal shock 시험시 두가지 시편 내부의 이론적인 열응력 차이를 알아보기 위해 상용프로그램을 이용하여 시편내의 온도분포, 열응력 분포를 계산하였다. SiC/C FGM층을 증착한 시편이 순수한 SiC층을 증착한 시편보다 계산상으로 경계면에서 우수한 열응력 완화효과를 나타내는 것으로 판단되었고 실험적으로로 FGM 시편의 경우 $\Delta$T=1600K의 열충격에도 견딜수 있는 것을 확인하여 이론과 실험이 일치하는 것을 입증하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.231-231
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• 2012

7개 나라가 참여해서 공동으로 제작하고 있는 국제핵융합실험로(ITER)는 2020년경에 제작 설치가 완료될 예정이다. ITER 장치에는 6개의 시험 블랑켓 모듈(Test Blanket Module : TBM)이 장착될 예정이며, 그 중에서 한국도 1개를 독자적으로 제작해서 설치할 예정이다. 한국형 헬륨 냉각 고체형 증식(Helium Cooled Solid Breeder : HCSB) TBM이며, 한국은 ITER 참여국 중 유일하게 중성자 반사 재료를 채택한 것이 특징이다. 중성자 반사재료로는 지름 1 mm 내외의 흑연 페블에 SiC를 코팅해서 사용할 예정이다. SiC는 고온저방사화 물질로 차세대 핵융합로의 구조 재료로도 개발되고 있는 물질로, 이렇게 하면 흑연의 단점인 기계적 특성 향상뿐만 아니라, 산화나 화재 등에 대한 사고의 부담도 크게 줄일 수 있는 장점이 있다. 흑연위에 SiC를 코팅하는 방법은 여러 가지가 있으며, 그 중에서 비교적 간단한 건식 방법은 RF Sputtering, PECVD 등이 있다. 건식은 코팅방법이 간단하고 비교적 쉬운 편이지만 페블표면에 양질의 SiC 박막을 얻기가 쉽지 않은 단점이 있다. 이들 방법보다 습식법은 코팅이 까다롭지만 양질의 코팅막을 비교적 쉽게 얻을 수 있는 장점이 있다. CVD의 경우 전구체 물질로 여러 가지 물질이 사용될 수 있으며 대표적으로 $SiH_4$, $Si(CH_3)_4$, $CH_3SiCl_3$ 등이 있으며, 캐리어 가스로는 $H_2$가 사용된다. 이렇게 얻어진 SiC 코팅페블은 흑연에 비해 파괴강도도 향상되고 마모 등에 강한 것을 확인할 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권4호
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• pp.131-134
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• 2009

The electrical properties and the microstructure of nitrogen-doped poly 3C-SiC films used for micro thermal sensors were studied according to different thicknesses. Poly 3C-SiC films were deposited by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) at $900^{\circ}C$ with a pressure of 4 torr using $SiH_2Cl_2$ (100%, 35 sccm) and $C_2H_2$ (5% in $H_2$, 180 sccm) as the Si and C precursors, and $NH_3$ (5% in $H_2$, 64 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of the poly SiC films with a 1,530 ${\AA}$ thickness was 32.7 ${\Omega}-cm$ and decreased to 0.0129 ${\Omega}-cm$ at 16,963 ${\AA}$. The measurement of the resistance variations at different thicknesses were carried out within the $25^{\circ}C$ to $350^{\circ}C$ temperature range. While the size of the resistance variation decreased when the films thickness increased, the linearity of the resistance variation improved. Micro heaters and RTD sensors were fabricated on a $Si_3N_4$ membrane by using poly 3C-SiC with a 1um thickness using a surface MEMS process. The heating temperature of the SiC micro heater, fabricated on 250 ${\mu}m$${\times}$250 ${\mu}m$ $Si_3N_4$ membrane was $410^{\circ}C$ at an 80 mW input power. These 3C-SiC heaters and RTD sensors, fabricated by surface MEMS, have a low power consumption and deliver a good long term stability for the various thermal sensors requiring thermal stability.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.131-138
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• 1997

희석기체로써 Ar 및 H2를 사용하여 MTS(CH3SiCl3)를 원료물질로 한 탄화규소막을 흑연 기판 위에 화학증착시켰다. 본 연구는 증착온도 130$0^{\circ}C$, 총압력은 10 torr 및 MTS와 원료 운반기체의 총유량은 100 sccm으로 일정하게한 상태에서, 각 희석기체의 첨가에 따른 성장거동의 변화를 고찰하고자 하였다. 증착속도는 희석기체와 상관없이 첨가량이 200sccm일 때 최대값을 갖는 모양을 보였으나, Ar을 첨가할 때가 H2에 비해 더 빠른 증착속도를 나타냈다. 이러한 증착속도 특성은 전체 증착속도가 물질전달 율속단계에 있을 때, 각 희석기체의 첨가에 따라 변화되는 경막 두께(boundary layer thickness) 및 원료물질 농도의 상관관계에 기인한다고 여겨졌다. 우선배향성은 Ar의 경우 모든 첨가량의 범위에서 (220)면으로 우선배향되었으나, H2의 경우에는 200sccm이상에서 첨가량에 비례하여 (111)면으로 우선배향되는 경향을 보였다. 표면미세구조는 Ar을 첨가한 경우에 일정하게 facet구조를 유지하였으나, H2의 경우에는 facet에서 평탄한(smooth)구조로 변화되었다. 표면조도의 경우 첨가량이 늘어남에 따라 지속적으로 Ar에서는 증가하였지만, H2에서는 감소하였다.