• 센서학회지
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• 제11권2호
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• pp.102-110
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• 2002

본 논문에서는 부착현상에서 자유로운 다결정실리콘의 표면을 만들기 위하여 새롭게 표면개질 물질로 사용한 dichlorodimethysilane (DDMS, $(CH_3)_2SiCl_2$)에 대하여 화학적, 기계적 특성에 대해 조사하였다. 주된 전략은 기존의 octadecyltrichlorosilane (ODTS)이나 1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilane (FDTS) 같은 monoalkyltrichlorosilane (MTS, $RSiCl_3$) 계열의 물질을 dialkyldichlorosilane (DDS, $R_SiCl_2$)와 같은 두 개의 짧은 고리를 가진 물질로 대체하는 것이다. DDMS는 짧은 두 개의 고리를 가지고 있어서 다결정실리콘 표면에 빨리 코팅된다. 3 mm까지의 긴 외팔보에 코팅을 한 경우, 희생층 제거시 부착현상 뿐만 아니라 사용중 부착현상도 방지할 수 있었다. DDMS 코팅된 다결정실리콘의 표면은 ODTS 나 FDTS 코팅된 표면보다 더 만족스러운 소수성과 지속적인 안정성과 열적 안정성을 가지고 있었다. 또한 DDMS 코팅은 더 쉽게 사용할 수 있고 장기간 용기에 저장할 수 있으며 온도의 의존성이 낮으며, 가격도 상대적으로 낮은 특징을 가지고 있다. 이 새로운 표면개질 물질을 사용하면 기존에 비해 구조물을 아이소옥탄으로 세척 후 곧바로 건조하는 간단한 공정을 가지고 있어서 공정시간을 줄일 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.182-185
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• 2002

자기정렬구조의 실리콘-게르마늄 이종접합 트랜지스터에서 $f_{max}$를 높이기 위한 방안으로 베이스의 저항 값을 감소시키고자 외부 베이스에 실리콘 및 실리콘-게르마늄 박막을 저온에서 선택적으로 성장할 수 있는 방법을 연구하였다. RPCVD를 이용하여 $SiH_{2}Cl_{2}$과 $GeH_{4}$를 소스 가스로 하고 HCI을 첨가하여 선택성을 향상시킴으로써 $675\sim725^{\circ}C$의 저온에서도 실리콘 및 실리콘-게르마늄의 선택적 에피성장이 가능하였다. 고온 공정에 주로 이용되는 $SiH_{2}Cl_{2}$를 이용한 실리콘 증착은 $675^{\circ}C$에서 열분해가 잘 이루어지지 않고 HCl의 첨가에 의한 식각반응이 동시에 진행되어 실리콘 기판에서도 증착이 진행되지 않으나 $700^{\circ}C$ 이상에서는 HCI을 첨가한 경우에 한해서 선택성이 유지되면서 실리콘의 성장이 이루어졌다, 반면 실리콘-게르마늄막은 실리콘에 비해 열분해 온도가 낮고 GeO를 형성하여 잠입시간을 지연하는 효과가 있는 게르마늄의 특성으로 인해 선택성이나 증착속도 모두에서 유리하였으나 실리사이드 공정시에 표면으로 게르마늄이 석출되는 현상 등의 저항성분이 크게 작용하여 실리콘-게르마늄막 만으로는 외부 베이스에의 적용은 적절하지 않았다. 그러나 실리콘막을 실리콘-게르마늄막 위에 Cap 층으로 증착하거나 실리콘막 만으로 외부 베이스에 선택적으로 증착하여 베이스의 저항을 70% 가량 감소시킬 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권1호
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• pp.213-218
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• 2011

The scope of homogeneous Lewis acid-catalyzed benzo[N,N]-heterocyclic condensation was expanded to include the use of various metal salts not reported in the literature and $SnCl_2{\cdot}2H_2O$ was finally selected. Among various solid supports activated with $SnCl_2$, heterogeneous $SnCl_2/SiO_2$ proved to be the most effective and significantly higher conversions were achieved compared to $SnCl_2{\cdot}2H_2O$ itself. The results of TG-DTA and BET indicated that dispersed $SnCl_2$ coordinates with surface hydroxyl groups of silica leading to formation of stable Lewis acid sites. Low catalyst loading, operational simplicity, practicability and applicability to various substrates render this eco-friendly approach as an interesting alternative to previously applied procedures.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.211.1-211.1
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• 2014

Recently, the scaling of conventional planar NAND flash devices is facing its limits by decreasing numbers of electron stored in the floating gate and increasing difficulties in patterning. Three-dimensional vertical NAND devices have been proposed to overcome these issues. Atomic layer deposition (ALD) is the most promising method to deposit charge trap layer of vertical NAND devices, SiN, with excellent quality due to not only its self-limiting growth characteristics but also low process temperature. ALD of silicon nitride were studied using NH3 and silicon chloride precursors, such as SiCl4[1], SiH2Cl2[2], Si2Cl6[3], and Si3Cl8. However, the reaction mechanism of ALD silicon nitride process was rarely reported. In the present study, we used density functional theory (DFT) method to calculate the reaction of silicon chloride precursors with a silicon nitride surface. DFT is a quantum mechanical modeling method to investigate the electronic structure of many-body systems, in particular atoms, molecules, and the condensed phases. The bond dissociation energy of each precursor was calculated and compared with each other. The different reactivities of silicon chlorides precursors were discussed using the calculated results.

• 대한소아치과학회지
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• 제27권2호
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• pp.370-378
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• 2000

심미성 수복재로서 임상에서 널리 사용되는 복합레진은 구강내에서 장기간 유지되도록 하기 위하여 그 물성을 향상시킬 필요가 있다. 복합레진의 단점 중 하나로 낮은 마모저항성을 들수 있으며, 이와 관련된 하나의 인자로 수복물의 표면하 분해(subsurface degradation)가 고려되고 있다. 본 연구에서는 알카리성 용액(0.1N NaOH)에 현재 임상에서 많이 이용되는 Clearfil APX (CL, Kuraray). Heliomolar (H,Vivadent), Surefil (S, Dentsply), Tetric Ceram (TC, Vivadent), TPH (Dentsply), Z100 (3M)의 6종의 복합레진을 보관하였을 때 각 제품의 분해저항성을 평가하고자 하였다. 각 제품당 3개의 시편을 제작하여 무게측정을 한 후 0.1N NaOH용액에 저장하여 $60^{\circ}C$에서 보관하였다. 2주후 제거하여 HCl로 중화, 세척 후 $60^{\circ}C$에서 건조하였다. 무게손실, 분해층 깊이, Si 농도등을 기준으로 분해저항성을 평가하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 각 제품의 무게손실량은 $0.45\sim3.64%$ 까지 다양하며 Z100, TC, H, S, CL, TPH 순으로 많았다. 2. 각 제품의 표면하 분해층 깊이는 제품마다 다양하여, $10.85\sim73.38{\mu}m$의 범위였고, H, Z100, S, TC, TPH, CL 순으로 깊었다. 3. 각 제품으로부터 용출된 Si 양은 Z100군 2060ppm으로 가장 많고, H, TPH, CL, TC, S순으로 많았다. 4. 무게손실량과 표면하 분해층 깊이사이에 높은 상관관계를 보였다. (r=0.81, p,0.05) 5. 주사전자현미경하 관찰시 NaOH 용액에 보관한 후 레진기질과 필러사이의 결합의 파괴를 관찰할 수 있었다.

• 한국작물학회지
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• 제62권4호
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• pp.293-303
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• 2017

벼 식물체에 규소, 질소, 칼슘을 단독 및 혼합 처리할 경우 무기이온의 흡수와 식물호르몬 $GA_1$과 JA 함량변화에 미친 결과는 아래와 같다. 1. 질소와 칼슘이온은 규소처리에 의해 흡수가 억제된 것으로 조사됐고, 마그네슘 함량은 규소, 질소, 칼슘 단독 및 혼합처리에서 무처리보다 증가하였다. 2. 식물호르몬 ABA의 함량은 모든 처리에서 무처리와 차이가 없었다. 3. 식물호르몬 $GA_1$의 함량은 질소와 규소 혼합처리에서 가장 높았고, 다음으로 질소 단독처리 규소 단독처리 순으로 높았다. 반면 칼슘 단독처리 및 칼슘과 규소 혼합처리에서 $GA_1$함량은 차이가 없었고, 이러한 결과는 규소, 질소 및 칼슘 처리 후 12시간 및 24시간에서도 동일한 양상을 보였다. 4. 규소, 질소, 칼슘 단독 및 혼합처리 후 6시간 뒤 식물호르몬 JA 함량은 모든 처리에서 무처리보다 증가하였고, 특히 규소와 질소 혼합처리에서 가장 높게 조사되었다. 그러나 처리 후 12시간과 24시간 후 조사에서는 칼슘 단독처리에서 JA 함량이 무처리와 차이가 없었고, 이외의 처리에서는 무처리보다 높았다.

• 대한화학회지
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• 제55권4호
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• pp.570-574
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• 2011

최대 0.20 mm 크기를 가진 아날심 단결정은 $3.00SiO_2$ : $1.50NaAlO_2$ : 8.02NaOH : $454H_2O$ : 5.00TEA의 겔 조성으로부터 합성되어졌다. $Na^+$ 이온으로 완전히 이온교환 된 아날심은 0.1 M 농도의 NaCl 수용액으로부터 준비하였다(이온교환용액의 pH는 NaOH 용액을 첨가하여 6에서 11로 맞추었다). $|Na_{0.94}(H_2O)|[Si_{2.06}Al_{0.94}O_6]-ANA(a=13.703(3){\AA})$의 분자식을 가지는 수화된 아날심 단결정의 구조는 294 K에서 Ibca의 orthorhombic 공간군으로 단결정 X-선 회절기법에 의해 결정되었다. 결정 구조의 최종 에러값은 $R_1/wR_2$= 0.054/0.143에 수렴되었다. 약 15개의 $Na^+$ 이온이 팔면체 배위로 3군데의 비동등한 위치에서 발견되었다. 합성된 아날심의 화학적 조성은 $Na_{0.94}(H_2O)Si_{2.06}Al_{0.94}O_6$ 확인되었으며, Si/Al 비는 단결정 구조 정밀화를 통하여 찾은 양이온의 점유수인 14.79개에 의해 2.19로 결정되었다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 15TH KACG TECHNICAL MEETING-PACIFIC RIM 3 SATELLITE SYMPOSIUM SESSION 4, HOTEL HYUNDAI, KYONGJU, SEPTEMBER 20-23, 1998
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• pp.1-20
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• 1998

Processing of thin films by chemical vapor deposition (CVD) is accompanied by chemical reactions, in which the rigorous kinetic analysis is difficult to achieve. In these conditions, thermodynamic calculation leads to better understanding of the CVD process and helps to optimise the experimental parameters to obtain a desired product. A CVD phase diagram has been used as guide lines for the process. By determining the effect of each process variable on the driving force for deposition, the thermodynamic limit for the substrate temperature that diamond can deposit is calculated in the C-H system by assuming that the limit is defined by the CVD diamond phase diagram. The addition of iso-supersaturation ratio lines to the CVD phase diagram in the Si-Cl-H system provides additional information about the effects of CVD process variables.

• 대한화학회지
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• 제30권6호
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• pp.526-531
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• 1986

95% 메탄올 용액에서 코발트(II), 니켈(II), 구리(II)와 아연(II)이온들과 1,15-diaza-3,4:12,13-dibenzo-5,8,11-trioxacycloheptadecane (NenOdien H$_4$, L)리간드와의 안정도 상수를 전위차 적정법으로 25$^{\circ}$C 에서 결정하였다. 그 결과 착물의 형성은 리간드내의 주게원자의 영향을 받으며 안정도 상수의 크기는 Co(II) < Ni(II) < Cu(II) > Zn(II)의 순위이였다. 한편 고체착물의 구조를 분광광도법, 원소분석 및 전기전도도법의 결과로부터 논의하였다. 그 결과 고체상태의 화학조성과 기하구조는 팔면체의 $[CoL_2(OH_2)Cl]Cl{\cdot}2H_2O$, 팔면체의 $[NiL_2(OH_2)Cl]Cl{\cdot}2H_2O$, 사각피라밋형의 [CuLCl]Cl, 그리고 팔면체의 $[ZnLCl_2]{\cdot}\frac{1}{2}H_2O$임을 알 수 있었다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제24권11호
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• pp.1464-1469
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• 2000

The effects of SiCl$_4$addition on flame structures have been studied in flame hydrolysis deposition (FHD) processes using Coherent anti-Stokes Raman spectroscopy (CARS) and planar laser induced fluorescence (PLIF) to measure temperatures and OH concentrations, respectively. The results demonstrate that even a small amount of SiCl$_4$ addition can change thermal and chemical structures of H$_2$/O$_2$ diffusion flames. When SiCl$_4$ is added to a flame temperature decreases in non-reacting zone due to the increases in both specific heat and density of the gas mixture, while flame temperature increase in particle formation zone due to the heat release through hydrolysis and oxidation reactions of SiCl$_4$. It is also found that OH concentration decreases dramatically in particle formation zone where temperatures increase. This can be attributed to consumption of oxidative species and generation of HCl during silica formation.