• Journal of Environmental Science International
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• v.22 no.12
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• pp.1611-1614
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• 2013

Corythucha marmorata Uhler was newly recorded in Korea as a invasive species at Pohang-si, Gyeongsangbuk-do, Korea in 2011 and at Changwon-si, Gyeongsangnam-do, Korea in 2012. Adults of this species show reticular forewings with a lot of transparent membranes and also show pterigoid process of paranotum with strong processes. This invasive species was originated from North America, and then intruded into Europe and Japan. This species is presumed became an epidemic horticultural pest at present and it is injuring almost of Asteraceae leaves. It was presumed that the invasion of Corythucha marmorata into Korea was prior to September of 2011.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.8-16
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• 1994

표면분석용CAICISS장치를 제작하고 He+과 Li+이온을 사용하여 장치의 특성을 조사하였다. 장치 분해능의 평가기준으로 이용할 수 있는 ΔT를 정의하고 Li+ 이온을 사용했을 경우와 비교한 결과 He+ 이온의 경우 ΔT/T=0.034, Li+ 이온의 경우 ΔT/T=0.04로서 Li+이온의 경우가 분해능이 약간 떨어짐을 알았다. 그리고 Ta, Al 표적시료에 대한 실험결과를 보정함수를 이용하여 계산값과 비교한 결과 잘 일 치함을 확인하였고 보정함수는 입사이온의 에너지와 표적원자의 질량에는 무관하고 실험조건에만 의존 함을 알았다. 또한 Si(100) 표면에 He+ 이온을 입사하여 입사각에 따른 산란강도 분포 스펙트럼으로부터 CAICISS 장치로 표면 1∼4 원자층의 Si 원자에 대한 기하학적인 배열을 확인하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.5
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• pp.470-475
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• 1993

1150, 1450, 1600.deg.C에서 MgO-SiO$_{2}$-Al$_{2}$O$_{3}$계를 유리성분으로 하는 mullite-glass질 회로기판재료의 소결거동에 미치는 MgO첨가량과 소성시간에 따른 영향을 조사하였으며 주로 소성시간이 밀도, 기공분포, 미세구조 및 생성상에 미치는 영향을 조사하였다. 1150.deg.C에서는 MgO의 첨가량에 관계없이 소결이 진행되지 않았으며 1450.deg.C에서는 MgO첨가량에 따라 소결속도가 증가하였다. 1600.deg.C에서는 각조성의 시료 모두가 빨리 과소성단계에 도달하였다. 1450.deg.C에서는 MgO 0.85% 첨가했을때 소성시간에 따라 기공량은 감소하는 반면 기공경은 일정하게 증가하였다. 먼저 .alpha.-SiO$_{2}$가 cristobalite로 전이한 후에 MgO와 반응하여 유리상으로 된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Resources Recycling Conference
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• 2004.05a
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• pp.155-158
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• 2004

본 연구에서는 공냉(空冷)된 화력발전소 바닥재의 입도분포, 화학조성, 광물상 등 기초 특성과 압축강도비에 의해 포졸란 반응성을 측정하였다. 바닥재의 주요 성분은 $SiO_2$, $Al_2O_3,\;Fe_2O_3$로 이들의 합계가 91.2wt.%였으며, 주요 광물상은 mullite, quartz, cristobalite, tridymite, hematie 등이었다. 입도별 화학조성 변동은 거의 없었으나, 입도가 커짐에 따라 $SiO_2$는 quartz에서 cristobalite로 존재하는 비율이 증가하였다. 분쇄된 바닥재(blame 비표면적 $7,540cm^2/g$)의 양생 28일에서의 활성도 지수는 101을 나타내었다.

• 전기의세계
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• v.26 no.6
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• pp.86-92
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• 1977

The phenomenon of non-steady-state current flow through the interface traps during the dielectric relaxation of MOS device is presented. Experimental method is also described for determining the energy distribution of interface traps, which is based on isothermal dielectric relaxation current technique. Actually, the energy distribution of interface traps was obtained by measuring the transient current through the traps at Si-SiO$_{2}$ interface only in lower-half of the bandgap. It is shown that the trap energy distributio has peak value 1.72*10$^{13}$ cm$^{-2}$ eV$^{-1}$ near 0.73eV approximately.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.05a
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• pp.182-189
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• 2006

현재 반도체 습식식각 공정에 사용되고 있는 방법은 batch식과 매엽식이 있다. batch식 식각방법은 매엽식보다 throughput이 많은 반면 식각균일도는 떨어진다. 매엽식은 웨이퍼를 회전시키면서 약액을 분사할 때 Boom swing을 하여 균일하게 식각할 수 있다. 본 연구에서는 Boom swing이 없는 구조의 매엽식 장비에서 약액이 상온과 고온일 때 $SiO_2$막을 식각하여 비교하였다. 각각의 조건에서 식각량의 분포와 균일도의 변화에 대해서 알아보았으며, 실험평가시 분사된 약액의 온도분포를 이론적으로 계산하여 실제 실험결과와 비교하여 보았다. 식각균일도는 batch식 보다 매엽식 스핀방식이 균일하였으며, 약액분사 방법은 boom swing을 하는 것이 더 균일하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.14 no.2
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• pp.10-16
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• 1977

Memory switching of the amorphous chalcogenide Ge-Te-Si memory devices were observed at various thicknesses and temperatures. For a given thickness, the distribution of threshold voltages shows a strong peaks, which is attributed to the intrinsic switching mechanism. The plot of Vth versus thickness indicates that threshold voltages were lowered and switching fields were raised as thickness was decreased. And threshold voltage sagged as temperature was raised and the fact that threshold voltage can be lowered at the temperature range under Tg was obtained.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.11a
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• pp.453-456
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• 1999

The Si-SiO$_2$interface trap and nitride bulk trap distribution of SONOSFET(polysilicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor)NVSM(nonvolatile semiconductor memory) cell were investigated by single charge pumping method. The used device was fabricated by 0.35 7m standard logic fabrication including the ONO cell process. This ONO dielectric thickness is tunnel oxide 24 $\AA$, nitride 74 $\AA$, blocking oxide 25 $\AA$, respectively. Keeping the pulse base level in accumulation and pulsing the surface into inversion with increasing amplitudes, the charge pumping current flow from the single junction. Using the obtained I$_{cp}$-V$_{h}$ curve, the local V$_{t}$ distribution, doping concentration, lateral interface trap distribution and lateral memory trap distribution were extracted. The maximum N$_{it}$($\chi$) of 1.62$\times$10$^{19}$ /cm$^2$were determined.mined.d.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.229-230
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• 2017

본 논문은 단상 3레벨 PFC 컨버터에 적용하는 두 가지 모듈레이션 기법에 따른 시스템 효율 및 스위치 발열을 비교하고, 열해석 시뮬레이션을 통한 열 분포에 대한 결과를 기반으로 적절한 방열기법 모색을 위한 근거자료를 제시한다. 제안하는 모듈레이션 기법을 통해, 주 스위치인 SiC MOSFET의 도통손실을 저감하여 시스템 효율을 향상시키며, 스위치에 발생하는 열을 저감시킨다. 앤시스 열해석 시뮬레이션을 통해 이를 확인하고, 실험을 통해 검증한다. 정격부하(5kW)에 대해 약 $27^{\circ}C$의 스위치 온도저감이 이루어졌으며, 전 부하(0.5kW ~ 5kW)에 걸쳐 약 1%의 효율이 향상되었음을 실험을 통해 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.242-242
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• 2010

Si(100) 표면에 이온을 일정한 에너지로 dose량을 동일하게 유지하고, dose rate만을 변화시켜가며 주입한 후에 depth profile과 damage, 그리고 sheet resistance를 조사하였다. 일정한 에너지로 이온을 주입하여도 dose rate의 변화에 따라서 depth profile에 변화를 보이는 것을 확인할 수 있었고 sheet resistance역시 dose rate변화에 비례하여 변화하는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구는 Crystal-TRIM program으로 computer simulation 하여 damage profile의 결과를 통해 dose rate가 클수록 시료 표면 근처에 잔류 damage의 양이 높게 나타나는 것을 알 수 있었고 그 잔류 damage의 표면근방 분포가 sheet resistance에 직접적인 영향을 미친다는 것을 확인할 수 있었다.