• 한국재료학회지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.1-5
• /
• 2003

Uniform polycrystalline $CoSi_2$layers have been grown in situ on a polycrystalline Si substrate at temperature near $625^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, Co(η$^{5}$ -C$_{5}$ H$_{5}$ )(CO)$_2$. The growth behavior and thermal stability of $CoSi_2$layer grown on polycrystalline Si substrates were investigated. The plate-like CoSi$_2$was initially formed with either (111), (220) or (311) interface on polycrystalline Si substrate. As deposition time was increasing, a uniform epitaxial $CoSi_2$layer was grown from the discrete $CoSi_2$plate, where the orientation of the$ CoSi_2$layer is same as the orientation of polycrystalline Si grain. The interface between $CoSi_2$layer and polycrystalline Si substrate was always (111) coherent. The growth of the uniform $CoSi_2$layer had a parabolic relationship with the deposition time. Therefore we confirmed that the growth of $CoSi_2$layer was controlled by diffusion of cobalt. The thermal stability of $CoSi_2$layer on small grain-sized polycrystalline Si substrate has been investigated using sheet resistance measurement at temperature from $600^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The $CoSi_2$layer was degraded at $900^{\circ}C$. Inserting a TiN interlayer between polycrystalline Si and $_CoSi2$layers improved the thermal stability of $CoSi_2$layer up to $900^{\circ}C$ due to the suppression of the Co diffusion.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1993년도 제5회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.102-102
• /
• 1993

• 한국세라믹학회지
• /
• 제27권5호
• /
• pp.698-701
• /
• 1990

The necessary conditions for the growth of high quality Bi12SiO20 single crystals by the Czochralski method have been determined. The interface of melt and crystal was transformed convex to concave above 7 rpm. For growth <001> and <111> directions, facet morphology exhibited 4-fold and 6-fold symmetry. When the crystal of <001> growth direction was broadened, minor facet {110} was developed outstandingly.

• 공업화학
• /
• 제9권7호
• /
• pp.990-997
• /
• 1998

ECR 산소플라즈마를 이용하여 저온 확산법에 의해 서로 다른 종류의 기판에 마이크로파 출력, 기판의 위치 등을 실험변수로 실리콘 산화막을 제조하고, 열처리 전 후 물리 화학적 특성을 분석하여 Si/O 의 조성비, 산화막 표면의 morphology와 전기적 특성과의 관계를 살펴보았다. 마이크로파 출력이 높은 영역에서, 산화속도는 증가하지만 식각으로 인하여 표면조도가 증가하였다. 따라서 막내에 결함이 증가하고 기판자체에 걸리는 DC bias의 증가로 기상에 존재하는 산소 양이온이 다량 함유되어 산화막의 질이 저하되었다. 기판의 종류에 따라 기상에 존재하는 산소 양이온의 함량은 Si(100) $Si/SiO_2$계면에 존재하는 결함들은 줄일 수 있으나, 고정전하와 계면포획전하 밀도는 열처리와 무관하고 단지 기상에 존재하는 반응성 산소이온의 양과 기판자체 DS bias에 의존하였다. 마이크로파 출력이 300, 400 W인 실험조건에서 표면조도가 낮고, 계면결함밀도가 ${\sim}9{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$로 $Si/SiO_2$계면에서 결함이 적은 양질의 산화막이 얻어졌다.

• 한국진공학회지
• /
• 제2권2호
• /
• pp.199-208
• /
• 1993

Si 기판 표면상태 변화와 관련된 핵생성 자유에너지 증가에 따른 다이아몬드 박막성장 거동을 관찰하였다. 표면 염마조건 변화에 따른 3가지 기판(A-Si, B-Si, C-Si)위에 동일한 성장조건으로 다이아몬드를 성장하였으며, 이때 형상인자와 관련된 자유에너지 관계는 ${\Delta}G_{A-Si}<{\Delta}G_{B-Si}<{\Delta}G_{C-Si}$이다. AES, SEM, XRD, RHEED에 의해 각각의 박막 A, B, C를 조사한 결과, 핵생성 자유에너지가 가장 적은 A 박막은 (100) (110) 면이 지배적인 고품위 다이아몬드 박막이다. 자유에너지가 A에 비해 다소 적은 B 박막은 (111) 면이 지배적인 8면체 다이아몬드 박막이고, 자유에너지가 자장 적은 C 박막은 흑연이 많이 함유된 구상의 다이아몬드이다.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권12호
• /
• pp.1182-1189
• /
• 1998

Si 기판을 실온과 $600^{\circ}C$로 유지하면서 동시 증착 방법으로 (Ti+2Si)를 증착한 후 $N_2$ 분위기에서 Ti를 증발시켜 TiN($300\AA$)/(Ti+2Si, $300\AA$)/Si(100) 구조의 시료를 제작한 다음 초고진공에서 in-situ로 열처리하여 양질의 $TiN/TiSi_2$-bilayer를 형성하였다 열처리 온도가 $700^{\circ}C$ 이상에서 (111) texture 구조를 가지면서 화학 양론적으로 $Ti_{0.5}N_{0.5}$인 박막과 C54-$TiSi_2$박막이 형성되었다. $TiN/C54-TiSi_2/Si$ (100)구조의 계면은 응집 현상이 없이 평활하였으며, $C54-TiSi_2$상은 에피택셜 성장되었다. $TiN/TiSi_2$-이중구조막의 면저항은 열처리 온도에 따라 감소하였으며, $700^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 면저항 값이 $2.5\omega/\textrm{cm}^2$ 였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제38권4호
• /
• pp.365-369
• /
• 2001

플라즈마 화학증착법(PECVD)에 의해 실리콘 (100) 기판 위에 3C-SiC막을 증착하였다. 증착반응시 유입가스비, R$_{x}$[=CH$_4$/(CH$_4$+H$_2$)]에 따른 증착막의 결정성에 대해 검토하였다. 증착된 3C-SiC막의 결정성은 R$_{x}$ 값이 감소할수록 더욱 향상되었으며, 형성된 결정상은 (111) 면으로 최대의 우선배향성을 가졌다. Nanoindentation 방법을 이용하여 3C-SiC막의 압입깊이에 따른 경도 및 탄성계수를 측정하였으며, 유입가스비(R$_{x}$)의 변화에 따라서 막의 경도 및 탄성계수가 뚜렷이 변화하였다.

• 한국표면공학회지
• /
• 제36권2호
• /
• pp.141-147
• /
• 2003

Silicon carbide thin film was deposited in APCVD and LPCVD system with 1,3-DSB precursor 1,3-DSB is the single precursor to deposit SiC on Si at low temperature. SiC film was deposited at $850^{\circ}C$ lower than ordinary temperature ($1000~1200^{\circ}C$) in CVD process. SiC thin film glowed to high oriented (111) plane in APCVD system. In LPCVD system, SiC film groved to preferred (220) plane at same temperature. This discrepancy between preferred planes can be described by the difference of deposition mechanism. Amorphous phase and crystal defect were observed in APCVD system with the main growth mechanism of mass transport limited region. But in LPCVD system, we got the SIC film of uniform, faceted structure and high quality.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제36권9호
• /
• pp.937-945
• /
• 1999

반응결합 탄화규소(RBSC) 반응관을 보호하기 위하여, 반응결합 탄화규소 기판 위에 탄화규소를 1~10 범위의 입력기체비(${\alpha}=P_{H2}/P_{MTS}=Q_{H2}/Q_{MTS}$)와 1050~1300$^{\circ}C$범위의 증착온도에서 methyltrichlorosilane(MTS)로부터 수소분위기에서 저압화학기상법으로 증착하였다. 1250$^{\circ}C$의 증착온도에서 입력기체비가 감소함에 따라 증착속도는 증가하다가 감소하였다 입력기체비가 높을 때에는 (111) 우선배향성을 나타내고 과립형의 미세구조를 보이며, 입력기체비가 작을 경우에는 (220) 우선배향성을 가지는 마면주상의 미세구조가 관찰되었다. 증착온도가 증가함에 따라 입력기체비와 비슷하게 미세구조의 변화하는결과를 얻었으며, 이러한 결과는 증착기구의 변화와 밀접한 관련이 있다. 일정한 증착온도에서 입력기체비의 조정를 통하여 얻었으며, 이러한 결과는 증착기구의 변화와 밀접한 관련이 있다. 일정한 증착온도에서 입력기체비의 조절을 통하여 과립형과 미면주상의 미세구조를 함께 가지는 복층구조를 연속공정을 통하여 성공적으로 제조하였다.

• 한국결정학회:학술대회논문집
• /
• 한국결정학회 2003년도 춘계학술연구발표회
• /
• pp.23-23
• /
• 2003

Cu 단결정과 다결정 Cu 막대(rod)를 시료로 하여 구부린 완전결정(bent perfect crystal, BPC)을 이용한 중성자 단색기의 특성을 평가함으로써 단결정 회절 및 집합조직 측정장치인 4축 단결정 회절장치(FCD)에 BPC 단색기를 적용할 수 있는지 시험하였다. 측정은 한국원자력연구소의 연구용 원자로인 하나로의 571 수평공에 구성된 test station에서 수행하였다. 단색기와 시료 사이의 거리는 3000mm, 시료와 검출기 사이는 600mm, 단색화빔 인출각도(2θ/sub M/)는 44.6°로 고정하여 FCD와 거의 같은 배치를 구현하였다 직사빔의 단면분포와 강도는 저효율 2차원 위치민감형 검출기(2-D PSD)를 이용하여 확인하였다. 이 검출기는 검출면적 90x90㎟, 공간 분해능 1.2mm, 검출효율 약 1%인 저효율 검출기이다. 회절빔은 검출면적 190x190㎟, 검출효율은 1Å에서 60%인 고효율 2-D PSD를 이용하여 측정하였다. Cu 단결정 측정에 사용한 ePC 단색화 결정은 200×40×3.4㎣ 크기의 Si(220) 슬랩이며, 비대칭 기하로 Si(331)면을 사용하여 파장 λ=0.954Å으로 중성자빔을 단색화시켰다. BPC-Si를 구부려 슬랩의 곡률반경을 변화시키면서 단색기-시료-검출기가 평행배치일 때 Cu(200), (220), (400), (420)면의 rocking curve를 측정하여 각 조건에서의 분해능과 강도를 평가하였다. BPC 단색기를 집합조직 측정에 적용할 수 있는지 시험하기 위하여 다결정 Cu 막대(직경 4.5mm, 길이 18mm)를 시료로 선택하였다. 207x30x3.0㎣ 크기의 Si 슬랩을 단색화 결정으로 사용하였다. 이 슬랩은 다양한 결정면을 이용한 특별한 기하를 구현할 수 있도록 Si(111)면에서 10° 벗어난 면을 절단한 것이다. 비대칭 기하로 Si(311)면을 사용하여 파장 λ=1.253Å의 단색화된 중성자빔으로 측정하였다 BPC-Si를 구부려 슬랩의 곡률반경을 변화시키면서 단색기-시료-검출기가 평행파 반평행배치일 때 Cu(111), (200), (220), (311), (331), (420)면의 회절선을 측정하여 각 조건에서 분해능과 강도를 평가하였다.