저자들은 섬유성 이형성증으로 진단받은 14명 환자의 16병변에서 단순 X-선사진의 소견에 따른 부위별 방사능 집적 정도를 알아보고 그 의의를 평가하기 위해 바늘구멍 골스캔과 단순 X-선사진 소견을 후향적으로 분석하여 비교하여 보았다. 10병변은 수술하여 조직학적으로 확진되었고, 6병변은 방사선학적으로 진단 받았다. 평균연령은 41.1세이며, 두 검사간의 간격은 평균 1.1일이었다. 병소의 위치는 늑골 7예, 골반골 4예, 쇄골 1예, 대퇴골 2예, 장골 1예, 상완골 1예였다. 바늘구멍골스캔 소견상 중심부에서 1+로 정상 방사능 집적을 보인예는 6예(방사선투과성 병변 5예, 간유리모양 병변 1예)이고, 2+로 중등도로 증가된 방사능 집적을 보인 경우는 7예(방사선투과성 병변 4예, 간유리모양 병변 3예)이며 3+로 현저히 증가된 경우는 3예(간유리모양 병변 1예, 경화성 병변 2예)가 있었다. 16예 중 15예에서 주변부 병소에 한 군데 이상의 증가된 방사능 집적이 불규칙한 환상이나 결절모양으로 나타났는데, 2+의 중등도 방사능 집적이 경화성테두리 5예와 비가시성 피질 1예에서, 그리고 3+의 현저한 방사능 집적증가는 격막과 피질천공을 보인 모든 예(7예, 8예)에서, 그리고 비가시성 피질 9예 중 8예에서 나타났다. 16예 중 1예는 중심부와 주변부 병소가 균일한 2+의 집적증가를 보였다. 바늘구멍 골스캔상 섬유성 이형성증의 방사선투과성병변은 이제까지 보고된 것과는 다르게 많은 예에서 인접 정상골과 비슷한 집적을 보였다. 또한, 격막, 피질골절 또는 비가시성 피질 등의 소견을 보이는 부분에 방사능 집적이 현저히 증가되어 주변부의 불규칙한 환상 또는 결절모양의 방사능 집적형태를 보였으며, 이들 병소는 골대사가 활발한 부위로 생각된다. 이와 같은 골의 섬유성 이형성증의 바늘구멍 골스캔 소견을 분석함으로써 부위별 활성도를 평가하여 진단, 예후 추정 및 치료방침을 결정하는데 유용하리라 사료된다.
본연구는 유한요소 분석법의 사용으로 세가지 형태의 브라켓에 tipping과 torquing force를 부여하여 응력분포를 알아보고 또한 스테인레스 스틸과 세라믹의 재질을 임의 설정하여 응력 분포를 알아보아 생 역학적으로 우수한 브라켓을 디자인 하는 데 기초가 되기위해 수행되었다. 선정된 세가지 브라켓은 A:Transcend(Unitek) B:Signature(RMO) C:PAW(Plane Arch Wire appliance) 이었다. 철선은 0.0175x0.025 스테인레스 스틸과 C형은 새롭게 고안된 마름모꼴 철선이 이용되었다. tipping force는 4.27N을 브라켓의 wire slot의 gingival wall의 mesial surface와 대각선으로 대칭되는 면에 각각의 node에 분력의 형태로 작용시켰다. torquing force는 couple force의 형태로 32.858N을 19.7도 회전하였고 bracket C형은 동량의 힘을 11.3도 회전하여 X와 Y의 방향으로 분력의 형태로 나누어 해석하였고 von Mises stress(최대상당응력)가 각 브라켓에서 기록되었다. 이에 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째, 유한요소 해석을 통해 브라켓과 wire slot을 실제로 제작하지 않고도 각각의 재료에 따른 응력분포를 예측할 수 있었다. 둘째, 응력의 집중부위는 Tipping시 브라켓 A, B, C모두 유사하게 나타났는데 브라켓 wire slot의 gingival wall과 mesial surface가 만나는 부위와 wire slot의 incisal wall과 distal surface가 만나는 부위였다. Torquing시 wire slot의 길이 방향을 따라 넓게 분포되었고 gingival wall과 협면으로 이행되는 모서리 그리고 incisal wall내면에 집중되었다. 셋째, 브라켓에 작용하는 응력은 Tipping에 의한 것보다는 Torquing에 의한 영향이 더 큼을 알수 있었으며 Torquing force를 기준으로 브라켓을 설계하는 것이 바람직한 것으로 판단되었다. 넷째, 브라켓의 형상과 함께 재료의 변화가 응력감소에 영향을 미치는 것으로 사료되므로 브라켓 제작시 한가지 재료보다 응력이 많이 받는 부위는 다른 재료를 사용하여 응력의 분포를 줄일수도 있음을 알수있었다. 다섯째, 사용하기에 용이하고 운용이 효율적일 것으로 판단되는 브라켓C형(PAW브라켓)은 응력집중현상이 다른 두 브라켓보다 크게 나타났으므로 이의 제작시 기계적 성질이 우수한 재료를 사용해야 할 것으로 사료되었다.
Kim, Young-Yi;Han, Won-Suk;Kong, Bo-Hyun;Cho, Hyung-Koun;Kim, Jun-Ho;Lee, Ho-Seoung
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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pp.11-11
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2008
ZnO has a very large exciton binding energy (60 meV) as well as thermal and chemical stability, which are expected to allow efficient excitonic emission, even at room temperature. ZnO based electronic devices have attracted increasing interest as the backplanes for applications in the next-generation displays, such as active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs), and in solid state lighting systems as a substitution for GaN based light emitting diodes (LEDs). Most of these electronic devices employ the electrical behavior of n-type semiconducting active oxides due to the difficulty in obtaining a p-type film with long-term stability and high performance. p-type ZnO films can be produced by substituting group V elements (N, P, and As) for the O sites or group I elements (Li, Na, and K) for Zn sites. However, the achievement of p-type ZnO is a difficult task due to self-compensation induced from intrinsic donor defects, such as O vacancies (Vo) and Zn interstitials ($Zn_i$), or an unintentional extrinsic donor such as H. Phosphorus (P) doped ZnO thin films were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering with various Ar/ $O_2$ gas ratios. Control of the electrical types in the P-doped ZnO films was achieved by varying the gas ratio with out post-annealing. The P-doped ZnO films grown at a Ar/ $O_2$ ratio of 3/1 showed p-type conductivity with a hole concentration and hole mobility of $10^{-17}cm^{-3}$ and $2.5cm^2/V{\cdot}s$, respectively. X-ray diffraction showed that the ZnO (0002) peak shifted to lower angle due to the positioning of $p^{3-}$ ions with a smaller ionic radius in the $O^{2-}$ sites. This indicates that a p-type mechanism was due to the substitutional Po. The low-temperature photoluminescence of the p-type ZnO films showed p-type related neutral acceptor-bound exciton emission. The p-ZnO/n-Si heterojunction LEO showed typical rectification behavior, which confirmed the p-type characteristics of the ZnO films in the as-deposited status, despite the deep-level related electroluminescence emission.
Objective: To analyze the treatment-related parameters after the radiotherapy of T1N0 squamous cell carcinoma of the glottic larynx. Materials and Methods: Between October 1989 and August 2000, 54 patients with histologically proven T1N0 squamous cell carcinoma of the glottic larynx who received definitive radiation therapy in Department of Radiation Oncology, Asan Medical Center were analyzed. They were all males with age ranged from 31 to 80 years (median 61 years). 1997 AJCC stages were 31 T1a, 23 T1b. Patients were treated with 4-MV X-rays with a parallel-opposed two-field technique. Ten patients received 66.0-68.4Gy at 1.2Gy per fraction twice daily, 21 patients received 64.8-66.6Gy at 1.8Gy per fraction once daily, and 23 patients received 66.0Gy at 2.0Gy per fraction once daily. Follow-up period was 16-119 months (median 56 months). Results: 5-year overall survival and local control rates for patients with T1 lesions were 87.0% and 88.5%, respectively. 5-year local control with larynx preservation rate was 90.5%. Host and tumor-related prognostic factors including age, stage, anterior commissure involvement and tumor bulk proved not to be significant. Only shorter overall treatment time among treatment-related factors had correlation with imporved local control. Conclusion: Comparable high local control rate with organ preservation was achieved with primary radiation therapy and salvage surgery. Shortening of overall treatment time is related to improved local control rate. To determine the optimal fractionation scheme, randomized trial is mandatory.
Nitrate-citrate 혼합 전구체로부터 ZnO 입자 합성을 위한 자체진행 반응(Self-propagating reaction)의 특성을 고찰하였다. 질화물과 Citrate 그룹간의 자체진행 반응을 위해 탄소/질소 성분의 비는 0.7~0.8 수준으로 유지하였으며, 출발물질의 시료를 TGA방법에 의해 열분해하였다. 반응의 후반부인 반응 전환율이 0.5 이상에서 자체진행 반응의 특성을 나타내었으며 시료는 매우 짧은 시간에 많은 열을 방출하며 분해되었다. 반응의 전반부(X<0.5)가 전체반응의 율속단계로 나타났으며, 이 율속단계에서 반응의 특성을 Friedman, Ozawa-Flynn-Wall 그리고 Vyazovkin의 방법들을 사용하여 해석하였다. 율속단계에서 활성화 에너지는 46~130 (kJ/mol)의 범위로 반응 전환율이 증가함에 따라 증가하였으며, 반응차수는 2.9~0.9, 그리고 반응속도의 빈도인자(Frequency factor)는 85~278 ($min^{-1}$)의 범위에서 승온속도가 증가함에 따라 각각 전자는 감소하고 후자는 증가하였다.
In the thin film alloy formation of the transition metals ion-beam-mixing technique forms a metastable structure which cannot be found in the arc-melted metal alloys. Sppecifically it is well known that the studies about the electronic structure of ion-beam-mixed alloys pprovide the useful information in understanding the metastable structures in the metal alloy. We studied the electronic change in the ion-beam-mixed ppt-Ct alloys by XppS and XANES. These analysis tools pprovide us information about the charge transfer in the valence band of intermetallic bonding. The multi-layered films were depposited on the SiO2 substrate by the sequential electron beam evapporation at a ppressure of less than 5$\times$10-7 Torr. These compprise of 4 ppairs of ppt and Cu layers where thicknesses of each layer were varied in order to change the alloy compposition. Ion-beam-mixing pprocess was carried out with 80 keV Ae+ ions with a dose of $1.5\times$ 1016 Ar+/cm2 at room tempperature. The core and valence level energy shift in these system were investigated by x-ray pphotoelectron sppectroscoppy(XppS) pphotoelectrons were excited by monochromatized Al K a(1486.6 eV) The ppass energy of the hemisppherical analyzer was 23.5 eV. Core-level binding energies were calibrated with the Fermi level edge. ppt L3-edge and Cu K-edge XANES sppectra were measured with the flourescence mode detector at the 3C1 beam line of the ppLS (ppohang light source). By using the change of White line(WL) area of the each metal sites and the core level shift we can obtain the information about the electrons pparticippating in the intermetallic bonding of the ion-beam-mixed alloys.
The Y2O3 films on Si(111) was grown by ionized cluster beam depposition (ICBD) in ultrahigh-vacuum (UHV). The acceleration voltage and oxygen ppartial ppressure were fixed at 5 kV and 2$\times$10-5 Torr resppectively. The substrate tempperature was varied from 10$0^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$ in order to find the deppendence of crystallinity of Y2O3 films on the substrate tempperature. The crystallinity of the films with the substrate tempperature studied using x-ray diffraction (XRD) and Rutherford backscattering sppectroscoppy (RES). Surface crystallinity and surface morpphology of the films were also investigated using the reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscoppe (AFM) resppectively. The films grown at the substrate tempperature below 50$0^{\circ}C$showed the ppoly-crystalline structure of oxygen deficiency. On the contrary the single-crystalline structure was obtained at the substrate tempperature over 50$0^{\circ}C$ and the stochimetry was gradually matched as increasing the substrate tempperature. The surface morpphology showed the increase of the surface roughness as the substrate tempperature was increased upp to 50$0^{\circ}C$ The crystallinity of the film was not good and the minimum channeling yield $\chi$min was measured at 0.91 The stochiometric and high crystallinine film (surface $\chi$min=0.25) was obtained as the substrate tempperature increased upp to 60 $0^{\circ}C$ which indicate the tempperature was sufficient to migrate the depposited atom.
In this work, the $Ta_2O_5$ thin films were deposited on Pt/n-Si substrate by reactive magnetron sputtering and the RTA treatment at temperatures range from 650 to $750^{\circ}C$ in $O_2$ and vacuum. X-ray diffraction analysis, FE SEM, dielectric properties and leakage current density have been used to study the structural and electrical properties of the $Ta_2O_5$ thin films. XRD result showed that as- deposited films were amorphous and the annealed films crystallized (<$700^{\circ}C$) into ${\beta}-Ta_2O_5$. The crystallinity increased with temperature in terms of an increase in the intensity of the diffracted peaks(${\beta}-Ta_2O_5$) and annealing in oxygen reduced defect dang1ing Ta-O bonds. As deposited $Ta_2O_5$ films show the leakage current density $10^{-7}$ to $10^{-8}$ (A/$cm^2)$ at low electric fields (<200 kV/cm) However, it was found leakage current density of $Ta_2O_5$ thin films decreased with $O_2$ ambient annealing. The dielectric constant of the as deposited $Ta_2O_5$ thin films was ${\varepsilon}_r$$9{\sim}11$ but the dielectric constant was increased after RTA treatment in $O_2$ ambient more then in vacuum.
200MHz ZnO변환기를 이용하여 초음파 현미경을 제작하여, 도미비늘을 화상화하고 광학현미경에 의한 사진과 비교하였다. 그 결과 광학적 반사에 의한 표면의 화상과 초음파의 기계적 탄성적 표면하 반사에 의한 화상에는 다소 차이가 있음을 확인하였다(Fig. 13 및 14). 초음파 현미경은 고체재료 또는 생물조직 상(10(12)등 여러 가지 생물연구 등의 응용이 계획되고 있으며, 특히 초음파 의학의 분야는 그 활용이 눈부실 것으로 예측된다. 초음파 현미경의 제작 그 자체보다, 이것을 도구로 하여 여러 가지 학술적, 기술적 성과가 기대되기 때문에 이 분야의 기초연구가 더욱 중요하게 생각되며 첨단산업분야에서도 비파괴검사 초음파 micro spectroscopy(U.M.S)등과 같은 물질의 탄성적 성질을 micro scale로 계측할 수 있는 등, 많은 활용이 있을 것이 예상된다. 또 초음파 현미경의 방법도 여러 가지이며, 이것을 계측수단으로 일반화하는 문제도 연구할 필요가 있다. 앞으로 광학이나 전자장치 등과 함께 급속한 발전이 기대된다.
Mono and multilayer TiO2(Fe, $PEG_{600}$) films were deposited by the dip-coating on $SiO_2$/glass substrate using sol-gel method. In an attempt to improve the antibacterial properties of doped $TiO_2$ films, the influence of the iron oxides and polyethilenglycol ($PEG_{600}$) on the morphological, optical, surface chemical composition and biological properties of nanostructured layers was studied. Complementary measurements were performed including Spectroscopic Ellipsometry (SE), Scanning Electron Microscopy (SEM) coupled with the fractal analysis, X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and antibacterial tests. It was found that different concentrations of Fe and $PEG_{600}$ added to coating solution strongly influence the porosity and morphology at nanometric scale related to fractal behaviour and the elemental and chemical states of the surfaces as well. The thermal treatment under oxidative atmosphere leads to films densification and oxides phase stabilization. The antibacterial activity of coatings against Escherichia Coli bacteria was examined by specific antibacterial tests.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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