Nayoung, Kim;Do Won, Kim;Nam Su, Park;Gyeong Hun, Kim;Yang Do, Kim;Chang-Seok, Kim
Current Optics and Photonics
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v.7
no.1
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pp.38-46
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2023
Optical Fourier-domain reflectometry (OFDR) sensors have been widely used to measure distances with high resolution and speed in a noncontact state. In the electroplating process of a printed circuit board, it is critically important to monitor the copper-plating thickness, as small deviations can lead to defects, such as an open or short circuit. In this paper we employ a phase-based OFDR sensor for in situ relative distance sensing of a sample with nanometer-scale resolution, during electroplating. We also develop an optical-path difference (OPD)-regulated sensing probe that can maintain a preset distance from the sample. This function can markedly facilitate practical measurements in two aspects: Optimal distance setting for high signal-to-noise ratio OFDR sensing, and protection of a fragile probe tip via vertical evasion movement. In a sample with a centimeter-scale structure, a conventional OFDR sensor will probably either bump into the sample or practically out of the detection range of the sensing probe. To address this limitation, a novel OPD-regulated OFDR system is designed by combining the OFDR sensing probe and linear piezo motors with feedback-loop control. By using multiple OFDR sensors, it is possible to effectively monitor copper-plating thickness in situ and uniformize it at various positions.
The ratio of aniline dimer (p-aminodiphenylamine), which is a nucleation site of chain growth in a chemical polymerization of aniline monomer, to aniline monomer was controlled to synthesize polyaniline with the molecular weight ($M_w$) between 10000 and 20000 g/mol. The result of OCP measurement showed that the reaction rate of polymerization was increased as the mole ratio of dimer was increased. The increase in the molar ratio of dimer resulted in the shift of absorption wavelength of polyaniline to the short wavelength region on measurement of UV/Vis and the decrease of molecular weight on the measurement of GPC.
Park, Seok Gi;Kang, Min Gu;Lee, Jeong In;Song, Hee-eun;Chang, Hyo Sik
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.419-419
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2016
High efficiency silicon solar cell requires the textured front surface to reduce reflectance and to improve the light trapping. In case of mono-crystalline silicon solar cell, wet etching with alkaline solution is widespread. However, the alkali texturing methods are ineffective in case of multi-crystalline silicon wafer due to grain boundary of random crystallographic orientation. The acid texturing method is generally used in multi-crystalline silicon wafer to reduce the surface reflectance. However the acid textured solar cell gives low short-circuit current due to high reflectivity while it improves the open-circuit voltage. To reduce the reflectivity of multi-crystalline silicon wafer, double texturing method with combination of acid and reactive ion etching is an attractive technical solution. In this paper, we have studied to optimize RIE experimental condition with change of RF power (100W, 150W, 200W, 250W, 300W). During experiment, the gas ratio of SF6 and O2 was fixed as 30:10.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.2
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pp.115-118
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2017
Highly photosensitive and wide bandgap amorphous silicon oxide (a-$SiO_x$:H) films were developed at low temperature ranges ($100{\sim}150^{\circ}C$) with employing plasma-enhanced chemical vapor deposition by optimizing $H_2/SiH_4$ gas ratio and $CO_2$ flow. Photosensitivity more than $10^5$ and wide bandgap (1.81~1.85 eV) properties were used for making the a-$SiO_x$:H thin film solar cells, which exhibited a high open circuit voltage of 0.987 V at the substrate temperature of $100^{\circ}C$. In addition, a power conversion efficiency of 6.87% for the cell could be improved up to 7.77% by employing a new n-type nc-$SiO_x$:H/ZnO:Al/Ag triple back-reflector that offers better short circuit currents in the thin film photovoltaic devices.
Kim, Dong-Whan;Im, Ji-Hoon;Song, Seung-Ho;Choi, Ju-Yeop;An, Jin-Ung;Lee, Sang-Chul;Lee, Dong-Ha
한국태양에너지학회:학술대회논문집
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2012.03a
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pp.153-159
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2012
In photovoltaic system, the characteristic of photovoltaic module such as open circuit voltage and short circuit current will be changed because of cell temperature and solar radiation. Therefore, a boost converter of the PV system connects between the output of photovoltaic system and DC link capacitor of grid connected inverter as controlling duty ratio for maximum power point tracking(MPPT). This paper shows the dynamic characteristic of the boost converter by comparing single-loop control algorithm and two-loop control algorithm using both analog and digital control. The proposed both compensation method has been verified with computer simulation and simulation results obtained demonstrate the validity of the proposed control schemes.
Kim, Jongseok;Kim, HyungTae;Kim, Seungtaek;Choi, Won-Jin;Jung, Hyundon
Current Optics and Photonics
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v.3
no.6
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pp.516-521
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2019
The electrical leakage levels of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) containing leakage paths are estimated using photoluminescence (PL) and photovoltaic properties under photoexcitation conditions. The PL intensity and open-circuit voltage (VOC) decrease because of carrier leakages depending on photoexcitation conditions when compared with reference values for typical LED chips without leakage paths. Changes of photovoltage-photocurrent characteristics and PL intensity due to carrier leakage are employed to assess the leakage current levels of LEDs with leakage paths. The current corresponding to the reduced VOC of an LED with leakage from the photovoltaic curve of a reference LED without leakage is matched with the leakage current calculated using the PL intensity reduction ratio and short-circuit current of the LED with leakage. The current needed to increase the voltage for an LED with a leakage under photoexcitation from VOC of the LED up to VOC of a reference LED without a leakage is identical to the additional current needed for optical turn-on of the LED with a leakage. The leakage current level estimated using the PL and photovoltaic properties under photoexcitation is consistent with the leakage level measured from the voltage-current characteristic obtained under current injection conditions.
Kim, Jang-Heon;Woo, Young-Yun;Cha, Jeong-Hyeon;Hong, Sung-Chul;Kim, Il-Du;Moon, Jung-Hwan;Kim, Jung-Joon;Kim, Bum-Man
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.7
no.4
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pp.147-153
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2007
This paper represents an analog predistortion linearizer for the high power amplifier with low memory effect. The high power amplifier is implemented using a 90-W peak envelope power(PEP) LDMOSFET at 2.14-GHz and an envelope short matching topology is applied at the active ports to minimize the memory effect. The analog predistortion circuit comprises the fundamental path and the cuber and quintic generating circuits, whose amplitudes and phases can be controlled independently. The predistortion circuit is tested for two-tone and wide-band code division multiple access(WCDMA) 4FA signals. For the WCDMA signal, the adjacent channel leakage ratios(ACLRs) at 5 MHz offset are improved by 12.4 dB at average output powers of 36 dBm and 42 dBm.
In photovoltaic system, the specifications of solar array is changed as open circuit voltage and short circuit current because of cell temperature and solar radiation. A boost converter of this system connects between output of photovoltaic system and DC link capacitor of grid connected inverter as controlling duty ratio. Therefore to supply stable voltage to the grid, a boost converter is need to keep certain voltage output. Considering the capacitance and the resistance of boost converter, this paper designed proper digital controller.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.32
no.1
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pp.53-57
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2019
Recently, the application field of solar panels is increasing. Accordingly, the demand for flexible devices is also steadily increasing. It is therefore necessary to develop $TiO_2$ paste for low-temperature annealing for flexible DSSC fabrication. In this study, the $TiO_2$ paste for low-temperature annealing with varying molar ratio of titanium isopropoxide (TTIP) was prepared, and DSSC was fabricated and its characteristics were compared. As a result, there was no deformation of the particles on the surface in the SEM data. However, the highest open circuit voltage, short circuit current, and fill factor were measured in the DSSC unit cell prepared by adding 0.5 mol of TTIP to the $TiO_2$ paste, and the highest efficiency was 4.148%.
Kim Sun-Ja;Jeon Ywun-Seok;Lee Seung-Hak;Jeong Byung-Hwan;Lee Myung-Un;Choe Gyu-Ha
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.10
no.3
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pp.257-263
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2005
Short-circuit rotor windings on a generator causes unstable oscillation of unbalance of flux, asymmetrical heat. In order to prevent serious accidents of short-circuit rotor windings, it is important to study the shorted-turn diagnosis method for rotor windings of the generator. To improve the defects of the diagnosis with sensors, the new sensorless method for rotor shorted-turn diagnosis is proposed, which is to measure the electrical values of the voltage and current at the generator and then to detect if the shorted-turned phenomena would occurred. For the feasibility of the suggested method the theoretical results are shown in the aspects of the air-gap flux density, the flux leakage, the generated output voltage and the shorted field current through the digital simulation. Also the possibility of decision for the suggested sensorless method could be shown in this paper.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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