• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권11호
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• pp.683-689
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• 2015

For the formation of $N^+$ doping, the antimony ions are mainly used for the fabrication of a BJT (bipolar junction transistor), CMOS (complementary metal oxide semiconductor), FET (field effect transistor) and BiCMOS (bipolar and complementary metal oxide semiconductor) process integration. Antimony is a heavy element and has relatively a low diffusion coefficient in silicon. Therefore, antimony is preferred as a candidate of ultra shallow junction for n type doping instead of arsenic implantation. Three-dimensional (3D) profiles of antimony are also compared one another from different tilt angles and incident energies under same dimensional conditions. The diffusion effect of antimony showed ORD (oxygen retarded diffusion) after thermal oxidation process. The interfacial effect of a $SiO_2/Si$ is influenced antimony diffusion and showed segregation effects during the oxidation process. The surface sputtering effect of antimony must be considered due to its heavy mass in the case of low energy and high dose conditions. The range of antimony implanted in amorphous and crystalline silicon are compared each other and its data and profiles also showed and explained after thermal annealing under inert $N_2$ gas and dry oxidation.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2010년도 추계 학술발표회
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• pp.201-204
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• 2010

Earthquake load to design a structure has been calculated from a fixed base SDOF model using amplified surface accelerations along soft soil layers. But the method dose not consider a soil-structure interaction. Centrifugal experiments that were consisted of soil, a shallow foundation and a structure were performed to find the effects of soil-structure interaction. The experiments showed that mass and stiffness of the foundation affected a response of the structure and nonlinear behavior of soil near the foundation. And a rocking displacement caused by overturning moment affected the response and increases a damping effect. In this study, the centrifugal experiment was simulated as a two dimensional finite element model. The finite element model was used for nonlinear time domain analysis of the OpenSees program. The numerical model accurately evaluated the behaviors of soil and the foundation, but the rocking effect and the behavior of structure were not described.

• 한국어류학회지
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• 제18권4호
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• pp.347-354
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• 2006

참갈겨니(Zacco koreanus) 정세포 변형과정과 성숙한 정자의 미세구조를 주사 및 투과 전자 현미경으로 관찰하였다. 참갈겨니 Z. koreanus 정세포변형과정은 수중형 Type II과 유사하나 기부중심립이 핵와안에 위치해 있는 점에서 일부 차이가 있었다. 또한 두 중심립은 섬유성 물질에 의하여 상호연결되어 있는데 이와 같은 구조는 잉어류에서 공통적으로 나타나고 있다. 편모에서 관찰되는 vesicle은 잉어류의 공통된 형질로 사료되며 Charciformes와 일부 Siluriformes에서도 관찰되고 있어 이들 분류군의 계통적 유연관계를 추정할 수 있는 구조적 특징으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.219-219
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• 1999

플라즈마 이온 주입은 진공 chamber 내에 주입하려는 이온이 포함된 플라즈마를 발생시킨 후 처리하고자 하는 시편에 negative high voltage pulse를 인가함으로써 시편 주위에 형성되어 있는 이온들을 시편에 주입하는 방법이다. 이러한 플라즈마 이온 주입 방법은 금속의 내마모성, 내부식성, 강도 및 경도를 증가시키고, 고분자 화합물의 표면 개질에 있어서 친수성 또는 소수성과 같은 표면 처리를 쉽고 간단하게 처리할 수 있다. 그리고 반도체 공정의 shallow junction doping을 효과적으로 처리할 수 있으며 특히, 대면적의 시편에 균일하게 이온을 주입할 수 있다. 플라즈마 이온 주입 방법에서 중요한 요소는 dose, 즉 이온 주입한 양과 처리하려는 시편에 주입되는 이온의 에너지이다. 여기서, 플라즈마내에 생성된 이온들의 비율을 정확히 안다면 시편에 주입되는 이온의 양과 주입되는 이온의 에너지를 충분히 예견할 수 있다. 질소 플라즈마의 경우에는 N+와 N2+가 생성되므로, 시편에 주입된 질소 이온의 실질적인 이온당 질소 원자수는 1$\times$N+% + 2$\times$N+%가 되고, N2+의 경우는 N+ 주입 에너지의 1/2 로 시편내에 주입되게 된다. 또한 질소 플라즈마의 경우 N2+ 이온이 상대적으로 N+이온보다 많다면 N+가 많은 경우보다 이온 주입 깊이는 얕아지게 된다. 본 실험에서는 Dycor M-100 residual gas analyzer와 potical emission spectrometer (Ocean Optics SQ 2000)를 사용하여 압력과 RF power를 변화시키며 플라즈마내에 생성되어지는 질소 이온의 비율을 측정하였다. 또한 Langmuir probe를 이용하여 속도차에 의한 각 이온들의 존재비율을 계산하였다. 여기에서 질소 가스의 압력이 낮을수록 N+보다 N2+의 존재비율이 높음을 보였다. 이것은 압력이 낮은 영역에서 일반적으로 전자의 평균온도가 높기 때문으로 여겨진다.

• Preventive Nutrition and Food Science
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• 제17권2호
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• pp.129-135
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• 2012

GPAR{elidium (G.) amansii is a red alga widely distributed in the shallow waters around East Asian countries. We investigated the effect of G. amansii on lipid accumulation and ROS (Reactive Oxygen Species) production in 3T3-L1 cells. G. amansii extracts dose-dependently inhibited lipid formation and ROS generation in cultured cells. Our results showed that anti-adipogenic effect of G. amansii was due to the reduction in mRNA expressions of PPAR${\gamma}$(peroxisome proliferator-activated receptor-${\gamma}$) and aP2 (adipocyte protein 2). G. amansii extracts significantly decreased mRNA levels of a ROS-generator, NOX4 (nicotinamide adenine dinucleotide phosphate hydrogen oxidase 4), and increased the protein levels of antioxidant enzymes including SOD1/2 (superoxide dismutases), Gpx (glutathione peroxidase), and GR (glutathione reductase), which can lead to the reduction of ROS in the cell. In addition, the G. amansii extract enhanced mRNA levels of adiponectin, one of the adipokines secreted from adipocytes, and GLUT4, glucose uptake protein. Taken together, our study shows that G. amansii extract inhibited lipid accumulation and ROS production by controlling adipogenic signals and ROS regulating genes.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제21권2호
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• pp.131-138
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• 1996

본 논문에서는 1995년에 시행된 우리나라 최초의 개인선량판독 성능시험에 대한 방법 및 결과들을 기술하고 있다 성능시험은 ANSI N13.11-1993의 방법중 중성자를 제외한 7개의 범주에 한하여 실시하였다. 시험에 참가한 개인선량계는 1:l개 판독기관으로 부터 15종류이었다 한 종류 별로 총129개의 선량계가 제출되었는데 이는 한 범주 별로 15개씩 7범주와.24개의 컨트롤을 합한 것이다. 재시험을 포함한 총 시험범주 수는 144개이었고 제출된 선량계 수는 컨트롤 400개를 포함하여 총 2560개이었다. 이는 한 범주별로 15개씩 7개 범주와 15종류에 소요된 것과 재시험을 위한 39범주에 소요된 선량계 수를 합한 것이다. 절차서에 따라 결정된 각 범주의 성능지수는 판독선량과 부여선량으로 편중 값의 절대치와 표준편차의 합으로 계산되었다. 만약 어느 범주의 심부 또는 표층 선량당량(흡수선량)의 성능지수가 0.5 미만일 경우에는 해당범주는 합격으로 평가되었다. 시험결과 첫 번째 성능시험에서 전 범주를 합격한 기관은 전체의 54%. 두 번째 시험에서는 전체의 33% 그리고 세 번째 시험에서는 전체의 13%로 나타났다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제26권3호
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• pp.381-388
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• 1994

방사선시설에서 작업자들의 피폭선량평가를 위해 개인선량계를 사용하는 경우에는 그 평가결과의 신뢰도를 우선적으로 확보하여 야 한다. 최근, 미국 표준연구소에서는 기존의 개인선량계 성능검정 프로그램 (ANSI N13. 11-1983)을 일부 개정하였으며, $^{204}$Tl 베타선에 대한 성능시험항목이 추가 신설되었다. 본 연구에서는 열형광선량계가 베타방사선의 단일선장 및 혼합선장에서의 피부선량평가를 위해 사용되는 경우에 대한 성능검사를 실시하고 이에 따른 베타보정함수를 도출하였다. 실험에 사용된 열형광선량계는 Korea Atomic Energy Research Institute에서 개인피폭관리용으로 사용되고 있는 Teledyne PB-3를 사용하였고, 선량계의 조사에 사용된 선원은 PTB 2차 베타표준신원을 사용하였다. 성능시험결과, Teledyne PB-3 선량계시스템은 $^{90}$ Sr/ $^{90}$ Y 베타선장에서는 우수한 재현성을 나타내었다. 반면, $^{204}$Tl 베타선이 기여하는 방사선장에 대한 PB-3 선량계의 재현성은, 기존 사용중인 베타보정인자를 적용하는 경우에는 최대 60%까지의 상대오차를 보였다. 또한, 이러한 $^{204}$Tl 베타선량산정의 오차는 본 연구에서 도출된 베타보정함수를 적용하는 경우에는 15%까지 감소하는 것으로 나타났다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제18권2_spc호
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• pp.305-315
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• 2020

방사성폐기물의 심층처분에서 생물권에서의 방사성 핵종 이동을 핵종의 이동 경과 시간을 계산하여 평가하는 방법이 제안되었다. 방사성 핵종은 자연 방벽에서 유출되어 지하 천부의 지하수 흐름을 따라 대규모 지표수체에 도달한다고 가정하였다. 생물권은 기반암 위에 있는 대수층을 포함하는 천부 지하 환경으로 정의하였다. 제안된 방법을 이용하여, 계산 알고리즘을 수립하였고, 알고리즘을 수행하는 컴퓨터 코드를 작성하였다. 작성된 코드는 간단한 사례에서 계산된 모의 결과를 해석해 계산 결과 및 지표 부근에서의 방사성 핵종 이동에 의한 방사선량 평가에 널리 이용되는 공공 프로그램의 계산 결과와 비교하여 검증하였다. 사례 연구 조건을 가상의 심층처분장에서의 방사성 핵종 이동에 대한 이전 연구를 통해 작성하였다. 작성된 코드는 사례 연구에서 생물권의 하천으로 유출되는 핵종의 이동량을 계산하였다. 이전 연구에서는 가상의 처분장에서 모암까지의 방사성핵종의 이동만을 보여주었기 때문에, 이 코드는 모든 경로를 지나가는 방사성 핵종의 전체적인 이동을 파악하는데 도움이 될 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권5호
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• pp.16-22
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• 2002

본 논문에서는 선비정질화 이온주입과 BPSG(boro-phosphosilicate glass)를 위한 FA(furnace anneal) 공정이 적용된 양질의 p/sup +/-n 박막 접합을 형성하는 공정 조건을 제시하였다. 단결정 실리콘 기판을 As과 Ge 이온으로 45keV와 3×10/sup 14/cm/sup -2/로 주입하여 선비정질화 하였으며, p형 이온으로는 BF₂ 이온을 20keV, 2×10/sup 15/cm/sup -2/로 주입하였다. 고온 열처리는 furnace와 급속 열처기로 수행하였으며, 급속 열처리 온도는 950∼1050℃이며 FA는 BPSG 공정을 위해 850℃/4O분간 수행하였다. 박막 접합의 특성을 고려하기 위해 접합깊이, 면저항 및 다이오드 누설 전류를 측정 ·분석하였다. Ge 이온으로 선비정질화 하였을 경우 As 이온보다 대부분의 접합 특성에서 우수한 결과를 나타내었다. Ge으로 선비정질화하고 1000℃의 RTA를 수행한 경우에 가장 양호한 특성을 나타내었으며, FA를 포함한 경우에는 RTA 1050℃+FA의 열처리 조건에서 Ge 이온으로 선비정질화 했을 때 면저항과 접합깊이의 곱 및 누설 전류에서 양호한 특성을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권4호
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• pp.288-292
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• 1998

n-well Si(100) 영역에 $BF_{2}$를 이온주입 [에너지: 30KeV, 주입량 : $5\times10^{15}cm^{-2}$] 하고 Co($120\AA$)/Ti($40\AA$)이중막을 진공증착하여 RTA-silicidation을 통해 Co/Ti 이중막 실리사이드층을 갖는 p+ -n극저접합 다이오드를 제작하였다. 제작된 소자의 이상계수와 비접촉저항 및 누설전류는 각각 1.06, $1.2\times10^{-6}\Omega\cdot\textrm{cm}^2$, $8.6\muA/\textrm{cm}^2$(-3V)로 나타났으며 실리사이드층을 갖는 이미터 영역의 면저항은 약 $8\Omega\Box$로, 실리상이드/실리콘 계면에서 보론 농도는 약 $6\times10^{19}cm^{-3}$으로, 실리사이드 두께(~$500\AA$)를 포함한 접합깊이는 약 $0.14\mu{m}$로 형성되었다. 다이오드 제작에서 Co/Ti 이중막 실리사이드 층의 형성은 소자의 누설전류를 다소 증가시켰으나 이상계수의 개선과 이미터 영역의 면저항 및 비접촉저항의 감소를 가져왔다.