Whole Spine Scanography (WSS) using the Digital Radiography (DR) system is an examination that requires whole body X-ray exposure, which involves more exposure to radiation for patients than other general radiographies. This can affect the occurrence of breast cancer. This research measured radiation dose when breasts were shield and not shield using the Auto Exposure Control (AEC) mode. The radiation dose without a shield was 1.540 mGy, and that using a collimator was measured 0.506 mGy. Moreover, 0.733 mGy was measured when 1 shield (0.3 mm) was used, and $0.523{\mu}Gy$ when 5 of them (1.5 mm) were used. The results showed that the radiation dose with 5 shields and the radiation dose with a collimator were similar. Moreover, 0.233 mGy was measured when 8 shields (2.4 mm) were used. The standard deviation were 0.081 when using collimator and 0.014 when 5 shields were used. Also, when 8 shields were used, it was found to be 0.002. Most patients who go under a scoliosis test are children or young people who are highly sensitive to radiation. In the research results, the case where the organs sensitive to radiation, women's breasts, were shielded showed more distinct differences compared to without shields. It is considered that using shields can provide more constant shield than using a collimator and lower the risk of breast cancer caused by exposure to radiation.
The effect of high irradiation on inspection systems in a nuclear power plant can be severe, especially to electronic components such as control hoards. The effect may lead to a critical malfunction or trouble to a underwater robot for inspection and maintenance of nuclear reactor. However, if information on the total accumulated dose on the sensitive parts of the robot is available, a prediction of robot's behavior in radiation environments becomes possible. To know how much radiation the robot has encountered, a dosimeter to measure the total accumulated dose is necessary. This paper describes the development effort of a dual radiation monitoring system using a SiC diode as a dose-rate meter and a p-type power MOSFET as a dose meter. This attempt using two sensors which detect same radiation improves reliability and stability at high intensity radiation detection in nuclear facilities. It uses the concept of diversity and redundancy.
Background: The current study investigated the effects of Piper longumine on radio-sensitization of human breast cancer MDA-MB-231 cells and underlying mechanisms. Materials and Methods: Human breast cancer MDA-MB-231 cells were cultured in vitro and those in logarithmic growth phase were selected for experiments divided into four groups: control, X-ray exposed, Piper longumine, and Piper longumine combined with X-rays. Conogenic assays were performed to determine the radio-sensitizing effects. Cell survival curves were fitted by single-hit multi-target model and then the survival fraction (SF), average lethal dose ($D_0$), quasi-threshold dose ($D_q$) and sensitive enhancement ratio (SER) were calculated. Cell apoptosis was analyzed by flow cytometry (FCM). Western blot assays were employed for expression of apoptosis-related proteins (Bc1-2 and Bax) after treatment with Piper longumine and/or X-ray radiation. The intracellular reactive oxygen species (ROS) level was detected by FCM with a DCFH-DA probe. Results: The cloning formation capacity was decreased in the group of piperlongumine plus radiation, which displayed the values of SF2, D0, Dq significantly lower than those of radiation alone group and the sensitive enhancement ratio (SER) of D0 was1.22 and 1.29, respectively. The cell apoptosis rate was increased by the combination treatment of Piper longumine and radiation. Piper longumine increased the radiation-induced intracellular levels of ROS. Compared with the control group and individual group, the combination group demonstrated significantly decreased expression of Bcl-2 with increased Bax. Conclusions: Piper longumine at a non-cytotoxic concentration can enhance the radio-sensitivity of MDA-MB-231cells, which may be related to its regulation of apoptosis-related protein expression and the increase of intracellular ROS level, thus increasing radiation-induced apoptosis.
We have developed an extended three-dimensional free-electron laser (3D FEL) code with source-dependent expansion to calculate the intensity of the radiation field and the spot size in a free-electron laser oscillator. The effect of the wiggler field errors was evaluated for the case of a planar wiggler generated by a magnet stack with parabolic shaped pole faces by using the extended three-dimensional equations in a free-electron laser oscillator based on the proposed FEL facility which is to be operated in the far-infrared and the infrared regions. The radiation spot size due to the wiggler field errors also have been analyzed for wiggler errors of ${\Delta}B/B=0.0$, 0.03, 0.06 and 0.09% at z = 1 m and z = 2 m. The effect of the diffraction of radiation field due to the wiggler field errors of ${\Delta}B/B=0.0$ and ${\Delta}B/B=0.09%$ at 200 passes was evaluated by using the extended 3D code that we developed. The variation of the curvature of the phase front and the effect of the radiation field intensity due to the wiggler field errors were also evaluated for B = 0.5 T and B = 0.7 T with the wiggler error of ${\Delta}B/B=0.09%$ at 200 passes and the results were compared to those of without errors. The intensity of the radiation, behavior of the radiation spot size and the variation of the curvature of the phase were highly sensitive to the wiggler error of ${\Delta}B/B$ > 0.09%, but were less sensitive to the wiggler errors for ${\Delta}B/B$ < 0.09% in a free-electron laser (FEL) oscillator based on the proposed FEL facility.
Ionizing Radiation effects on MOS devices provide useful information regarding the behavior of MOS based devices and circuits in the electronic instrumentation parts and instructive data for making the high sensitive sensors. The study presents the results of the analysis on the structural characteristics of MOS capacitor for sensing the ionizing radiation effect. We performed numerical modeling of Ionizing-radiation effect on MOS capacitor and simulation using Matlab program. Also we produced MOS capacitors and obtained useful data through radiation experiment to analyse the characteristic of ionizing radiation effect on MOS capacitor. Increasing the thickness of MOS capacitor's oxide layer enhanced the sensitivity of MOS capacitor under irradiation condition, but the sensitivity of irradiated MOS capacitor is uninfluenced by the area of MOS capacitor. The high frequency capacitance of the MOS capacitor is found to be strongly affected by incident ionizing radiation.
This study represented experimental research on the flat plate solar collector. For the flat plate Solar system, it is sensitive of the Global radiation. In Actually, it suppose to be dependent on the direct radiation. Also, the existing method's factors are depend upon Global radiation in the flat plate collector system. therefore it needs which is depend upon direct radiation. In this experiment, the flat plate collector is used for obtaining the method's factors of the direct radiation. As a result, the correct $({\tau}{\alpha})_e$ is found out for practical value.
The electronics of a mobile robot ill nuclear facilities is required to satisfied the reliability to sustain survival in its radiation environment. To know how much radiation the robot has been encountered to replace sensitive electronic parts, a dosimeter to measure total accumulated dose is necessary. Among many radiation dosimeters or detectors, semiconductor radiation sensors have advantages in terms of power requirements and their sires over conventional detectors. This paper describes the use of the radiation-induced threshold voltage change of a commercial power pMOSFET as an accumulated radiation dose monitoring mean and that of the photo-current of a commercial PIN Diode as a dose-rate measurement mean. Commercial p-type power MOSFETs and PIN Diodes were tested in a Co-60 gamma irradiation facility to see their capabilities as radiation sensors. We found an inexpensive commercial power pMOSFET that shows good linearity in their threshold voltage shift with radiation dose and a PIN diode that shows good linearity in its photo-current change with dose-rate. According to these findings, a radiation hardened hybrid electronic radiation dosimeter for nuclear robots has been developed for the first time. This small hybrid dosimeter has also an advantage in the point of view of reliability improvement by using a diversity concept.
본 논문에서는 광섬유 브래그 격자의 공정조건 변화에 따른 $Co^{60}$ 감마방사선 영향을 연구하였다. 광섬유 브래그 격자는 붕소가 첨가된 광민감 광섬유를 이용하여 UV KrF 레이저 세기를 달리하여 제작하였으며, 제작된 광섬유 브래그 격자 센서에 총 선량 33.8 kGy 감마선을 조사하였다. 실험결과를 통하여, 격자 공정을 위한 UV 레이저 세기가 광섬유 브래그 격자의 방사선 민감도에 큰 영향을 줄 수 있다는 것을 확인하였으며, 레이저 공정조건 변화에 따른 방사선에 의한 광섬유 브래그 파장의 변화는 30 % 이상의 차이를 보였다.
Cytogenetic and hematological analysis was performed in peripheral blood of pig in the vicinity of Yeonggwang nuclear power station and control area. The frequency of micronuclei (MN) in peripheral blood lymphocytes from pig was used as a biomarker of radiobiological effects resulting from exposure to environmental radiation. An estimated dose of radiation was calculated by a best fitting linear-quadratic model based on the radiation-induced MN formation from the swine lymphocytes exposed in vitro to radiation over the range from 0 Gy to 4 Gy. MN rates in lymphocytes of pig from Yeonggwang nuclear power station and control area were 10.60/1,000 and 11.10/1,000, respectively. There were no significant differences in MN frequencies and hematological values in pig between Yeonggwang and control area. The study indicates that the MN assay in lymphocyte of pig is a rapid, sensitive and accurate method that can be used to monitor a large population exposed to radiation.
MOS (Metal-Oxide Semconductor) devices among the most sensistive of all semiconductors to radiation, in particular ionizing radiation, showing much change even after a relatively low dose. The necessity of a radiation dosimeter robust enough for the working environment has increased in the fields of aerospace, radio-therapy, atomic power plant facilities, and other places where radiation exists. The power MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) has been tested for use as a gamma radiation dosimeter by measuring the variation of threshold voltage based on the quantity of dose, and a maximum total dose of 30 krad exposed to a $^{60}Co$${\gamma}$-radiation source, which is sensitive to environment parameters such as temperature. The gate oxide structures give the main influence on the changes in the electrical characteristics affected by irradiation. The variation of threshold voltage on the operating temperature has caused errors, and needs calibration. These effects can be overcome by adjusting gate oxide thickness and implanting impurity at the surface of well region in MOSFET.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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