• 제목/요약/키워드: Semiconductor detector

검색결과 192건 처리시간 0.033초

Research Infrastructure Foundation for Core-technology Incubation of Radiation Detection System

  • Kim, Han Soo;Ha, Jang Ho;Kim, Young Soo;Cha, Hyung Ki
    • 방사선산업학회지
    • /
    • 제6권1호
    • /
    • pp.67-73
    • /
    • 2012
  • The development of radiation detection systems mainly consist of two parts-radiation detector fabrication including material development, and its appropriate electronics development. For the core-technology incubation of a radiation detection system, radiation fabrication and an evaluation facility are scheduled to be founded at the RFT (Radiation Fusion Technology) Center at KAERI (Korea Atomic Energy Research Institute) by 2015. This facility is utilized for the development and incubation of bottleneck-technologies to accelerate the industrialization of a radiation detection system in the industrial, medical, and radiation security fields. This facility is also utilized for researchers to develop next-generation radiation detection instruments. In this paper, the establishment of core-technology development is introduced and its technological mission is addressed.

Evaluation of 18F Radioactive Concentration in Exhaust at Cyclotron Facility at Chosun University

  • Jeong, Cheol-ki;Jang, Han;Lee, Goung-jin
    • 방사선산업학회지
    • /
    • 제10권1호
    • /
    • pp.37-41
    • /
    • 2016
  • The recent prevalence of PET examinations in Korea has led to an increase in the number of cyclotrons. The medical isotope $^{18}F$ produced in most cyclotron facilities currently operating in Korea is emitted into the environment during the production of [$^{18}F$]FDG, a cancerdiagnosis reagent. The amount of [$^{18}F$]FDG synthesized determines the radioactive concentration of $^{18}F$ in the exhaust. At some facilities, this amount temporarily exceeds the emission limit. In this study, we evaluated the $^{18}F$ radioactivity concentration in the exhaust from the cyclotron facility at Chosun University. The $^{18}F$ radioactivity concentration was measured using an air sampler and a HPGe semiconductor detector. The measurements showed that the radioactive concentration of $^{18}F$ in the exhaust at the cyclotron facility at Chosun University was the highest during [$^{18}F$]FDG synthesis but remained under the legal limit of $2,000Bq\;m^{-3}$.

MATERIAL INVESTIGATION AND ANALYSIS USING CHARACTERISTIC X-RAY

  • Oh, Gyu-Bum;Lee, Won-Ho
    • Nuclear Engineering and Technology
    • /
    • 제42권4호
    • /
    • pp.426-433
    • /
    • 2010
  • The characteristic X-rays emitted from materials after gamma ray exposure was simulated and measured. A CdTe semiconductor detector and a $^{57}Co$ radiation source were used for energy spectroscopy. The types of materials could be identified by comparing the measured energy spectrum with the theoretical X-ray transition energy of the material. The sample composition was represented by the $K_{\alpha1}$-line (Siegbahn notations), which has the highest intensity among the characteristic X-rays of each atom. The difference between the theoretic prediction and the experimental result of K-line measurement was < 0.61% even if the characteristic X-rays from several materials were measured simultaneously. 2D images of the mixed materials were acquired with very high selectivity.

직병렬아크사고 예방을 위한 마이컴 알고리즘 설계에 관한 연구 (A Study on Micom Algorithm Design for Prevention of Serial Parallel Arc Accident)

  • 최정규;곽동걸;최신형;정도영;김대환
    • 전력전자학회:학술대회논문집
    • /
    • 전력전자학회 2018년도 추계학술대회
    • /
    • pp.9-11
    • /
    • 2018
  • This paper studies on the development of an electric fire prevention system with the detection and alarm in case of parallel arc fault occurrence in low voltage distribution lines. The proposed detector has the characteristics of high speed operation responsibility and superior system reliability from composition using a large number of semiconductor devices. The line voltage is always feedback, and when an arc or a spark occurs, these are detected by the microcomputer. In addition, we design and develop algorithms using high speed and high precision microcomputer. A new conceptual control technique is adopted that RCD cuts-off by forming a forced short circuit between the phase voltage and ground in the event of an electrical accident. Some experimental tests of the proposed system also confirm practicality and the validity of the analytical results.

  • PDF

고순도 Ge 검출기의 전기적 노이즈 감소를 통한 감마선 에너지 스펙트럼의 분해능 향상에 관한 연구 (A Study on the Improvement of Gamma Ray Energy Spectrum Resolution through Electrical Noise Reduction of High Purity Ge Detector)

  • 이삼열
    • 한국방사선학회논문지
    • /
    • 제14권7호
    • /
    • pp.849-856
    • /
    • 2020
  • 감마선 에너지 스펙트럼 연구에서 에너지 분석을 통한 핵종 분석은 매우 중요하다. 감마선 에너지 측정에 일반적으로 사용되는 고순도 Ge 검출기는 높은 에너지 분해능과 상대적으로 높은 검출 효율 때문에 일반적으로 사용된다. 그러나 반도체 검출기는 높은 에너지 분해능을 유지하기 위해 주변 환경에서 발생하는 노이즈를 효과적으로 차단하지 않으면 원래의 성능을 유지하기 어렵고 고가의 장치의 효과를 얻지 못하는 문제점이 있. 따라서 본 연구에서는 검출기에서 발생하는 전기적 노이즈를 제거하기 위해 접지 루프 아이솔레이터 (NEXT-001HDGL)를 사용했다. 에너지 분해능 향상 효과를 테스트하기 위해 양성자 가속기 KOMAC에 새로 설치된 HPGe 검출 장치를 사용했다. 감마선 에너지 2614 keV의 경우 에너지 분해능이 (0.16 ± 0.02) %에서 (0.11 ± 0.01) %로 개선되었고, 감마선 에너지 662 keV의 경우 에너지 분해능이 (0.72 ± 0.07) %에서 0.27 ± 0.03 %로 향상되었다. 이 결과는 KOMAC (Korea Multi-Purpose Accelerator Complex)의 HPGe 검출 장비를 이용한 감마선 스펙트럼 연구에 매우 유용한 것으로 판단된다.

CZT 반도체 검출기를 이용한 국내 원전 내 선원항 분석 (Analysis of Source Terms at Domestic Nuclear Power Plant with CZT Semiconductor Detector)

  • 강서곤;강화윤;이병일;김정인
    • Journal of Radiation Protection and Research
    • /
    • 제39권1호
    • /
    • pp.14-20
    • /
    • 2014
  • 원전 내 방사선작업종사자 피폭량의 대부분은 계획예방정비기간 중 냉각재계통에 존재하는 $^{58}Co$, $^{60}Co$등과 같은 CRUD에 의하여 일어난다. 따라서 원전 내 방사선작업종사자의 피폭 최적관리를 위해서는 냉각재계통의 선원항을 사전에 파악할 필요가 있다. 이 연구는 원전 내 선원항을 알아보기 위해 국내 최초로 계획예방정비 기간 중 증기발생기 부근에서 CZT 반도체 검출기를 이용한 배관 직접 측정법을 사용하였다. 또한 신규원전과 노후원전에서 선원항의 차이를 알아보기 위해 두 원전에서 측정한 결과를 비교 하였고 노후원전에 대하여는 정지화학처리에 따른 선원항의 변화를 측정하였다. 노후원전에서 정지화학처리에 따른 선원항 변화는 발견되지 않았으며, 신규원전 및 노후원전의 주요 선원항은 $^{58}Co$$^{60}Co$ 였고, $^{59}Fe$는 신규원전에서만 $^{137}Cs$$^{95}Zr$는 노후원전에서만 보였다. $^{58}Co/^{60}Co$의 비율은 노후원전보다 신규원전에서 크게 나타났으며 운전연한이 증가 할수록 반감기가 긴 $^{60}Co$의 비방사능이 커지기 때문이다.

선형시스템 전달이론을 이용한 간접변환방식 디지털 래디오그라피 디텍터의 신호 및 잡음 분석 (Signal and Noise Analysis of Indirect-Conversion Digital Radiography Detectors Using Linear-systems Transfer Theory)

  • 윤승만;임창휘;한종철;조옥라;김정민;김호경
    • 한국의학물리학회지:의학물리
    • /
    • 제21권3호
    • /
    • pp.261-273
    • /
    • 2010
  • 간접변환방식 CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) 엑스레이 디텍터 시스템의 성능 분석 및 개선을 위하여 공간주파수에 따른 DQE (detective quantum efficiency)를 모델링 하였다. 모델의 검증을 위하여 마모그라피 W/Al 선질에 대한 modulation-transfer function (MTF), noise-power spectrum (NPS)를 측정하고 이로부터 DQE를 계산하였으며, 모델과 측정된 DQE는 전체 공간주파수 영역에서 서로 잘 일치함을 확인하였다. 검증된 모델을 이용하여 형광스크린 양자효율 및 MTF, Swank 잡음, 포토다이오드 양자효율 등 CMOS 디텍터 시스템의 DQE 성능에 영향을 미칠 수 있는 다양한 디자인 파라미터의 역할을 살펴보았다. 엑스레이 디텍터 시스템의 신호 및 잡음 분석에 대해 이와 같은 선형시스템 전달을 이용한 이론적인 접근법은 이미 개발된 의료영상시스템을 이해할 수 있는 유용한 도구일 뿐만 아니라 새로운 디텍터 개발 및 최적화를 위한 도구로 활용될 수 있을 것이다.

음향광학 파장선택 필터 기반 파장훑음 레이저를 이용한 시간-인코딩 된 근적외선 흡광도 측정 비교 연구 (Time-encoded Near-infrared (NIR) Spectroscopic Comparison of Absorbance Measurement Using an Acousto-optic NIR Swept Laser Source)

  • 장한솔;김경훈;한가희;조재두;김창석
    • 한국광학회지
    • /
    • 제28권1호
    • /
    • pp.22-27
    • /
    • 2017
  • 본 논문에서는 음향광학 파장선택 필터(acousto-optic tunable filter) 기반의 파장훑음 레이저(wavelength swept laser)를 이용한 시간-인코딩 근적외선 분광 기술(time-encoded near-infrared spectroscopy)을 제안하였다. 파장훑음 레이저는 800 nm 근처 영역에서 이득 스펙트럼을 가지는 반도체 광 증폭기(semiconductor optical amplifier)를 기반으로 제작되었으며, 음향광학 파장선택 필터를 공진기 내부에 삽입함으로써 음향광학 파장선택 필터에 인가되는 전기적 라디오주파수에 따라 출력 파장을 선택할 수 있도록 하였다. 본 연구에서는 종래의 기술인 백색광 분광기 기반의 검출부 분광 근적외선 분광 기술과 제안된 파장훑음 레이저 기반의 광원부 분광 근적외선 분광 기술을 각각 이용하여 근적외선 흡수 염료 샘플의 흡광도를 각기 측정하여 실험적으로 비교함으로써 본 연구에서 제안하는 음향광학 파장선택 필터 기반 파장훑음 레이저를 이용한 근적외선 분광 기술의 특성을 증명하였다.

진단 X선 검출기 적용을 위한 CdS 센서 제작 및 성능 평가 (The fabrication and evaluation of CdS sensor for diagnostic x-ray detector application)

  • 박지군;이미현;최영준;정봉재;최일홍;강상식
    • 한국방사선학회논문지
    • /
    • 제4권2호
    • /
    • pp.21-25
    • /
    • 2010
  • 최근 진단 X선 검출기 적용을 위한 방사선 검출물질로 반도체 화합물에 대한 많은 연구가 되고 있다. 본 연구에서는 반도체 화합물 중 광민감도가 우수하고 X선 흡수율이 높은 CdS 반도체를 이용하여 검출센서를 제작하였으며, 진단 X선 발생장치에서의 에너지 영역에 대한 검출 특성을 조사함으로써 적용 가능성을 평가하였다. 센서 제작은 CdS 센서로부터의 신호 획득 및 정량화를 위한 Line voltage selector(LCV)를 제작하였으며, 전압감지회로 및 정류회로부를 설계 제작하였다. 또한 X선 노출조건에 따른 상호연과 알고리즘을 이용하였으면, DAC 컨트롤러와의 Interface board를 설계 제작하였다. 성능평가는 X선 발생장치의 조사조건인 관전압, 관전류 및 조사시간별 저항변화에 따른 전압파형 특성을 오실로스코프로 획득하여 ANOVA 프로그램을 이용하여 데이터를 통계 처리 및 분석하였다. 측정결과, 관전압과 관전류이 증가할수록 오차의 비가 감소하였으며, 90kVp에서 6%, 320 mA에서 0.4% 이하의 좋은 특성을 보였으며, 결정계수는 약 0.98로 1:1의 상관관계를 보였다. X선 조사시간에 따른 오차율은 CdS 물질의 늦은 반응속도에 기인하여 조사시간이 길어질수록 지수적으로 감소하는 것을 알 수 있었으며, 320 msec에서 2.3%의 오차율을 보였다. 끝으로 X선 선량에 따른 오차율은 약 10% 이하였으며, 0.9898의 결정계수로 매우 높은 상관관계를 보였다.

0.11-2.5 GHz All-digital DLL for Mobile Memory Interface with Phase Sampling Window Adaptation to Reduce Jitter Accumulation

  • Chae, Joo-Hyung;Kim, Mino;Hong, Gi-Moon;Park, Jihwan;Ko, Hyeongjun;Shin, Woo-Yeol;Chi, Hankyu;Jeong, Deog-Kyoon;Kim, Suhwan
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제17권3호
    • /
    • pp.411-424
    • /
    • 2017
  • An all-digital delay-locked loop (DLL) for a mobile memory interface, which runs at 0.11-2.5 GHz with a phase-shift capability of $180^{\circ}$, has two internal DLLs: a global DLL which uses a time-to-digital converter to assist fast locking, and shuts down after locking to save power; and a local DLL which uses a phase detector with an adaptive phase sampling window (WPD) to reduce jitter accumulation. The WPD in the local DLL adjusts the width of its sampling window adaptively to control the loop bandwidth, thus reducing jitter induced by UP/DN dithering, input clock jitter, and supply/ground noise. Implemented in a 65 nm CMOS process, the DLL operates over 0.11-2.5 GHz. It locks within 6 clock cycles at 0.11 GHz, and within 17 clock cycles at 2.5 GHz. At 2.5 GHz, the integrated jitter is $954fs_{rms}$, and the long-term jitter is $2.33ps_{rms}/23.10ps_{pp}$. The ratio of the RMS jitter at the output to that at the input is about 1.17 at 2.5 GHz, when the sampling window of the WPD is being adjusted adaptively. The DLL consumes 1.77 mW/GHz and occupies $0.075mm^2$.