The purpose of this paper is to develop a medical laser system using the semiconductor diode laser in order to photodynamic cancel therapy as a light source. The ideal light source for photodynamic therapy would be a homogeneous nondiverging light with variable spot size and specific wavelength with stability. After due consideration in this point, in this paper, we used a diode laser resonator of 635nm wavelength. The development laser system have a statistical laser out beam with accuracy control using the constant current control of method and clinic-friendly with compact. In order to protect the diode resonator from the over-current, the rush-current and electrical fault, we specially designed. The most importance therapeutic factor are the radiation mode for cancer therapy. So we developed the radiation mode of CW(Continuous Wave), long pulse, short pulse, and burst pulse and can adjust the exposure time from several milli-second to several minute. The experimental result shows that laser beam power was increased linear from 10mW to 300mW according to the increasing input current and the increasing exposure time. The developed new compact diode laser system have a stability of output power and specific wavelength with easy control and transportable for many applications of PDT.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.9
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pp.206-211
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2016
Various applications require dry air at low temperature, such automation equipment, semiconductor manufacturing, chemical production lines, and coating processes for the shipbuilding industry. Four evaporators for low temperature (below $0^{\circ}C$) were installed for a dehumidification system. Moist air is cooled sequentially over three evaporators. The first evaporator has an evaporation temperature of $13^{\circ}C$, that of the second evaporator is $5^{\circ}C$, and that of the third evaporator is maintained at $-1.3^{\circ}C$. In the fourth evaporator implantation thereby the moisture contained in the moisture air. A pressure regulator (CPCE 12) is used at this point and is defrosted when the vapor pressure is below a set value. The non-implantation moisture of the air is a heating system that uses the waste heat of a condenser with high temperature. It develops the cooling type's dehumidifier, which is important equipment that prevents the destruction of protein and measures the temperature and humidity at each interval by changing the front air velocity from 1.0 m/s to 4.0 m/s. The cooling capacity was also calculated. The greatest cooling capacity was 1.77 kcal/h for a front air velocity of 2.0 m/s
Since the 1990s, the rapid development of information and communication industry, the demand for semiconductor and LCD continues to increase. Therefore in the formation of fine circuit patterns, which are the cores of sensitizer and the most expensive thinner and stripper liquor used to remove photoresist and its dilution, the amount in demand are dramatically increasing, emerging need for recycling of waste thinner and stripper liquor. Recently, recycling technologies of stripping process waste solution has been widely studied by economic aspects and environmental aspects, in terms of efficiency of the stripping process. In this study, analyzed paper and patent for recycling technologies of waste solution from stripping process. The range of search was limited in the open patents of USA (US), European Union (EP), Japan (JP), Korea (KR) and SCI journals from 1981 to 2010. Patents and journals were collected using key-words searching and filtered by filtering criteria. The trends of the patents and journals was analyzed by the years, countries, companies, and technologies.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.14
no.5
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pp.887-892
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2019
In this study, after 20nm-thick $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD method on the PES substrate, which is known to have the highest heat resistance among plastic substrates, as a buffer layer, ITZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering method to investigate the electrical and optical properties according to the working pressure. The ITZO thin film deposited at the working pressure of 3mTorr showed the best electrical properties with a resistivity of $8.02{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and a sheet resistance of $50.13{\Omega}/sq.$. The average transmittance in the visible region (400-800nm) of all ITZO films was over 80% regardless of working pressure. The Figure of merit showed the largest value of $23.90{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$ in the ITZO thin film deposited at 3mTorr. This study found that ITZO thin films are very promising materials to replace ITO thin films in next-generation flexible display devices.
Colossal magnetoresistance $La_{0.67}Ca_{0.33}Mn_{0.99}^{57}Fe_{0.01}O_3$ material has been produced by a metal-salt routed sol-gel process method. Magnetic properties of $La_{0.67}Ca_{0.33}Mn_{0.99}^{57}Fe_{0.01}O_3$ have been studied with x-ray diffraction, Rutherford back-scattering spectroscopy(RBS), vibrating sample magnetometer, and Mossbauer spectroscopy. Crystalline $La_{0.67}Ca_{0.33}Mn_{0.99}^{57}Fe_{0.01}O_3$ was perovskite cubic structure with a lattice parameter $a_0=3.868$\AA$$. And there was no appreciable change in the value of the lattice parameter when a small amount (x=0.01) of iron was added. However, Mossbauer and VSM data indicate the Curie temperature of the $La_{0.67}Ca_{0.33}Mn_{0.99}^{57}Fe_{0.01}O_3$ decreased from 282 to 270 k and also the saturation magnetization from 84 to 81 emu/g at 77 K. Mossbauer spectra of $La_{0.67}Ca_{0.33}Mn_{0.99}^{57}Fe_{0.01}O_3$ have been taken at various temperatures ranging form 4.2 K to room temperature. Analysis of $^{57}Fe$ Mossbauer data in terms of the local configurations of Mn atoms has permitted the influence of the magnetic hyperfine interactions to be monitored. The isomer shifts show that the charge state of all Fe ions are ferric. The magnetoresistance of $La_{0.67}Ca_{0.33}Mn_{0.99}^{57}Fe_{0.01}O_3$ was about 33 % at semiconductor-metal transition temperature $T_{SC-M}=250K$.
Recently, plastic optical fiber draws a lot of attention as a new transmission medium for local area network (LAN) and home network applications. As PMMA based GI-POF (Graded Index Plastic Optical Fiber) has very low loss at about 500 nm and 650 nm wavelengths, it is very important to have a compact ultra short optical pulse source at these wavelength windows. In this paper, we have investigated detailed characteristics of gain switched laser system by using a commercially available low cost RF devices and an InGaAlP Fabry Perot semiconductor laser operating at 650 nm wavelength. The shortest optical 'pulse obtained was 33 psec with 1 GHz repetition rate. Depending on the DC bias current and the modulation frequency, the FWHM and the pulse energy of the gain switched pulses show 33.3-82.8 psec and 0.97-9.69 pI respectively. Also, the spectral bandwidths for CW and gain switched operations are 0.44 nm and 1.50 nm. We believe that these results are quite useful for high bit rate optical transmission applications with PMMA based plastic optical fibers in addition to estimate properties of ultra fast optical components and electro-optic devices. vices.
We fabricated a buried-ridge waveguide laser diode (B-RWG LD) which has more advantages for obtaining lateral single mode operation on the same ridge width and for the planarization of the device surface, compared to the conventional RWG LD. In this LD, the difference of the lateral effective refractive index can be controlled by the thickness of the InGaAsP layer which is grown on the active and the p-InP layers. The InGaAsP multiple quantum well was grown on a n-InP substrate by the CBE. The buried ridge structure was formed by selective wet etchings, followed by liquid phase epitaxy methods. The fabricated LD with the ridge width of 7 ${\mu}{\textrm}{m}$ showed a linear increase of the optical power up to 20 ㎽ without any kinks and a saturated output power of more than 80 ㎽. By measuring the far field pattern, we demonstrate that LDs with the ridge widths of 5 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 7 ${\mu}{\textrm}{m}$ were operated in a lateral single mode up to 2.7I$_{th}$ and 2.4I$_{th}$, respectively.ely.
Optical characteristics in polymer films of MEH-PPV/DFPP blends were for the first time investigated. DFPP (N, N'-diperfluorophenyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide) used here was a novel n-type polymer, which had good stability in air and solubility in common solvents. For a 1:9 DFPP:MEH-PPV blend, highly efficient quenching of photoluminescence (PL) was observed. In addition, the photocurrent responses of these MEH-PPV/DFPP photovoltaic cells were measured. When the light intensity was $50mW/cm^2$, short-circuit photocurrent densities were two times higher than those of single layer MEH-PPV devices.
This paper proposes how to fabricate an educational Mach-Zehnder interferometer that is easy to align and inexpensive, using 3D printers and semiconductor lasers. The interferometer consists of a body $165mm{\times}120mm{\times}57mm$ in size, mirror mounts, a laser holder, beam splitters, and so on. The laser path is adjusted by 4 mirror mounts, each comprised of rubber bands, small metal wires, and a screw. The interference fringe is enlarged by the lens at the final stage. The refractive index of a slide glass was measured by counting the number of moving interference fringes while the slide glass, inserted into one of the two interferometer arms, is rotating. The formula for the refractive index as a function of the optical-path difference and rotation angle was obtained, and used to calculate the refractive index of glass from the interferometer experiment. The use of a rotating glass in one arm of the interferometer nullifies the need for a precision stage, which despite its high cost is often required to observe the moving interference fringe in the classroom. Therefore, the 3D-printed Mach-Zehnder interferometer proposed in this paper can be very useful for education, because of its affordability and performance. It enables students to perform both qualitative and quantitative studies using a 3D-printed interferometer, such as measuring the refractive index of a glass sample, and the wavelength of light.
A change in object distance would generally change the magnification of an optical system. In this paper, we have proposed and designed a double-Gauss optical system with a fixed magnification and image surface regardless of any change in object distance, according to moving the lens groups a little bit to the front and rear of the stop, independently parallel to the direction of the optical axis. By maintaining a constant size of image formation in spite of various object-distance changes in a projection system such as a head-up display (HUD) or head-mounted display (HMD), we can prevent the field of view from changing while focusing in an HUD or HMD. Also, to check precisely the state of the wiring that connects semiconductor chips and IC circuit boards, we can keep the magnification of the optical system constant, even when the object distance changes due to vertical movement along the optical axis of a testing device. Additionally, if we use this double-Gauss optical system as a vision system in the testing process of lots of electronic boards in a manufacturing system, since we can systematically eliminate additional image processing for visual enhancement of image quality, we can dramatically reduce the testing time for a fast test process. Also, the Gaussian bracket method was used to find the moving distance of each group, to achieve the desired specifications and fix magnification and image surface simultaneously. After the initial design, the optimization of the optical system was performed using the Synopsys optical design software.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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