Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.26
no.6
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pp.238-242
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2016
The effect of the alkali, alkali earth metal elements on selective catalytic reduction(SCR) catalyst deactivation behavior were investigated in terms of microstructure, surface area, pore volume and De-NOx test. Poisoned SCR catalyst were manufactured by injection of $K_2CO_3$, $Na_2CO_3$, $Ca(CH_3COO)_2{\cdot}H_2O$, $C_4H_6MgO_4{\cdot}4H_2O$, $H_3PO_4$ solutions in the new SCR catalyst at $350^{\circ}C$ for 6 hours. New and poisoned catalysts surface were similar. But specific surface area, pore volume decrease from Na, Mg, K, Ca, P compared to new SCR catalyst. Especially, Na poisoned catalyst surface area and pore size extremely decreased by $10.20m^2/g$, $0.061cm^2/g$. De-NOx test results of new and poisoned catalysts at $150{\sim}450^{\circ}C$ indicated that alkali metal (K, Na) poisoned SCR catalysts have the lowest De-NOx efficiency, alkali earth metal poisoned SCR catalysts (Ca, Mg) De-NOx efficiency are higher than alkali metal poisoned SCR catalysts. P poisoned SCR catalyst De-NOx efficiency is similar new SCR catalyst. It were considered that physical deactivation of SCR catalyst was affected by SCR catalyst surface area and pore volume change.
Ch1 a abundance, Ch1 a-specific productivity and phytoplankton growth rate in each size fraction (pico, $<2{\mu}m$; nano, $2-10{\mu}m$; micro, > $10{\mu}m$) in the waters around the South Shetland Islands (Ant-arctic Peninsula Area) were analysed. Although Ch1 a-specific productivity and growth rate were highest in micro-size fractions, ChI a abundance was highest in pico-size fractions. Selective removal of nano- and micro-size phytoplankton especially by krill and salp grazing, but not limitation of phytoplankton growth, seemed to be the major reason to explain this miss match between productivity and abundance of the phytoplankton community.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.1
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pp.5-10
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2012
In general, the fabrications of the LEDs with mesa structure are performed grown by MOCVD method. In order to etch and separate each chips, the LEDs are passed the RIE and scribing processes. The RIE process using plasma dry etching occur some problems such as defects, dislocations and the formation of dangling bond in surface result in decline of device characteristic. The SAG method has attracted considerable interest for the growth of high quality GaN epi layer on the sapphire substrate. In this paper, the SAG method was introduced for simplification and fabrication of the high quality epi layer. And we report that the size of selective area do not affect the characteristics of original LED. The diameter of SAG circle patterns were choose as 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$. The SAG-LEDs were measured to obtain the device characteristics using by SEM, EL and I-V. The main emission peaks of 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$ were 485, 480, 450, and 445 nm respectively. The chips of 350, 200 ${\mu}m$ diameter were observed non-uniform surface and resistance was higher than original LED, however, the chips of 2500, 1000 ${\mu}m$ diameter had uniform surface and current-voltage characteristics were better than small sizes. Therefore, we suggest that the suitable diameter which do not affect the characteristic of original LED is more than 1000 ${\mu}m$.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.21
no.3
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pp.114-118
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2011
We report on the growth and characterization of nano and micro scale GaN structures selectively grown on the vertex of hexagonal GaN pyramids. $SiO_2$ near the vertex of hexagonal GaN pyramids was removed by optimized photolithgraphy process and followed by a selective growth of nano and micro scale GaN structures by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). The pyramidal GaN nano and micro structures which have crystal facets of semi-polar {1-101} facets were formed only on the vertex of GaN pyramids and the size of the selectively grown nano and micro GaN structures was easily controlled by growth time. As a result of TEM measurement, Reduction of threading dislocation density was conformed by transmission electron microscopy (TEM) in the selectively grown nano and micro GaN structures. However, stacking faults were newly developed near the edge of $SiO_2$ film because of the roughness and nonuniformity in thickness of the $SiO_2$ film.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.16
no.4
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pp.162-165
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2006
The selective growth of InCaN/AlGaN light emitting diodes was performed by mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). In order to grow the InGaN/AlGaN heterosturcture consecutively, a special designed multi-sliding boat was employed in our mixed-source HVPE system. Room temperature electroluminescence spectum of the SAG-InGaN/AlGaN LED shows an emission peak wavelength of 425 nm at injection current 20 mA. We suggest that the mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system is possible to be one of the growth methods of III-nitrides LEDs.
Electroconvective instability is a non-linear transport phenomenon which can be found in ion-selective transport system such as electrodialysis, Galvanic cell and electrolytic cell. The instability is triggered by the fluctuation of space charge layer in adjacent of ion-selective surface, leading to increase of mass transport rate. Thus, in the aspect of mass transport, the instability has an important meaning. Although recent experimental techniques have opened up an avenue to direct visualize the instability, fundamental investigations have been conducted in limited area due to several experimental limitations. In this work, the electroconvective instability under potentiostatic mode was solved by numerical method in order to demonstrate correlation between current-time curve and the instability behavior. By rigorous time-resolved analysis, the transition behaviors can be divided into three stages; formation of space charge layer - growth of electroconvective instability - steady state. Furthermore, scaling laws of transition time were numerically obtained according to applied voltage as well.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.181-181
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2012
Direct synthesis of graphene using a chemical vapor deposition (CVD) has been considered a facile way to produce large-area and uniform graphene film, which is an accessible method from an application standpoint. Hence, their fundamental understanding is highly required. Unfortunately, the CVD growth mechanism of graphene on Cu remains elusive and controversial. Here, we present the evidences for two different growth modes of graphene on Cu investigated by varying carbon feedstock (C2H2 and CH4) and working pressure. The number of uniform graphene layer grown by C2H2 increased with increasing its injection time. A combined secondary ion mass spectrometry (SIMS) and X-ray diffraction (XRD) study revealed a carbon-diffused Cu layer created below surface region of Cu substrate with the expansion of Cu lattice. The graphene on Cu was grown by the diffusion and precipitation mode not by the surface adsorption mode, because similar results were observed in graphene/Ni system. The carbon-diffused Cu layer was also observed after graphene growth under high CH4 pressure. Based on various previous results and ours, we have successfully found that there are two selective growth modes for graphene on Cu substrate, and a desired mode can be chosen by tuning working pressure corresponding to the kind of carbon feedstock. We believe that this finding will shed light on high quality graphene growth and its multifaceted applications.
Park, Jin-woo;Park, Sam-sik;Ku, Kun Woo;Hong, Jung Goo
Journal of ILASS-Korea
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v.21
no.2
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pp.71-77
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2016
Air pollutants nitrogen oxides are inevitably generated in the combustion reaction. Its amount trend is steadily increasing because the rapid modern industrialization and population growth. For this reason, NOx is controlled to reducing the harmful components in the exhaust gas. So Marine Environment Protection Committee (MEPC) take effect 'Tier I', 'Tier II' of air pollution regulation in 2005 and 2011 respectively. According to NOx emissions are strictly regulated management of the vessel through them. In addition, since 2016 the regulation enter into force in the next step 'Tier III' was confirmed by MEPC 66th committee. It's 80% enhanced emissions limits than the 'Tier I' Alternatively these emission regulation, research is actively being carried out about exhaust gas after-treatment methods through the vessel application of Selective Catalytic Reduction(SCR). Therefore depending on the basic specification of cell density according to the Area velocity, Space velocity, Linear velocity is studied the effects of NOx removal efficiency
Reinforcement cells are used to aid grass growth and taken together, this serves to extend greenery beyond the conventional spaces of lawns, tree pits, gardens, and parks, and is advantageous to urban cities since space for greening is often limited. Drought has variable effects on plant life and the resilience of turf to drought resistance also varies with species. Changes in photosynthetic ability were more pronounced for media rather than grass species. The media of sand without organic matter was found to be least suited for drought resistance. Normalized difference vegetation index (NDVI) and digital image analysis (DIA) data were generally in favour of Zoysia species as oppose to A. compressus. In A. compressus, selective traits such as, a more extensive root system and lower specific leaf area (SLA) were not an underlying factor that assisted this grass with enhanced drought resistance. Generally, WUE was found to be strongly related to plant characterises such as overall biomass, photosynthetic features as well as the lushness indexes, and specific leaf area. This study found a strong relationship between WUE and a suite of plant characteristics. These traits should serve as useful selection criteria for species with the ability to resist water stress.
Various abiotic stressors like drought, salinity, temperature, and heavy metals are major environmental stresses that affect agricultural productivity and crop yields all over the world. Continuous changes in climatic conditions put selective pressure on the microbial ecosystem to produce exopolysaccharides. Apart from soil aggregation, exopolysaccharide (EPS) production also helps in increasing water permeability, nutrient uptake by roots, soil stability, soil fertility, plant biomass, chlorophyll content, root and shoot length, and surface area of leaves while also helping maintain metabolic and physiological activities during drought stress. EPS-producing microbes can impart salt tolerance to plants by binding to sodium ions in the soil and preventing these ions from reaching the stem, thereby decreasing sodium absorption from the soil and increasing nutrient uptake by the roots. Biofilm formation in high-salinity soils increases cell viability, enhances soil fertility, and promotes plant growth and development. The third environmental stressor is presence of heavy metals in the soil due to improper industrial waste disposal practices that are toxic for plants. EPS production by soil bacteria can result in the biomineralization of metal ions, thereby imparting metal stress tolerance to plants. Finally, high temperatures can also affect agricultural productivity by decreasing plant metabolism, seedling growth, and seed germination. The present review discusses the role of exopolysaccharide-producing plant growth-promoting bacteria in modulating plant growth and development in plants and alleviating extreme abiotic stress condition. The review suggests exploring the potential of EPS-producing bacteria for multiple abiotic stress management strategies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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