• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.81-82
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• 1997

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2005년도 제29회 학술발표회 초록집
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• pp.109-109
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• 2005

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1982년도 하계학술회의강연논문초록집
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• pp.210-210
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• 1982

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.471-476
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• 2003

Au/oxide/n-InP Schottky diodes were fabricated from heteroepitaxial InP layers grown on GaAs substrates by the metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) method from a new combination of source materials: ethyldimethylindium (EDMIn) and tertiarybutylphosphine (TBP). Anodic oxidation technique by using a solution of 10 g of ammonium pentaborate in 100 cc of ethylene glycole as the electrolyte was used to deposit a thin oxide layer. The barrier heights determined from three different techniques, current-voltage (I-V) measurements at room temperature and in the temperature range of 273 K - 373 K, and room temperature capacitance-voltage (C-V) measurements are in good agreement, 0.7 - 0.9 eV which is considerably high as compared to the 0.45 - 0.55 eV in Au/n-InP Schottky diode without a Passivation layer. The ideality factors of 1.1 - 1.3 of the Schottky diodes were also determined from the I-Y characteristics. Deep level transient spectroscopy (DLTS) studies revealed only one shallow electron state at 92.6 meV below the bottom of the conduction band and no deep state in the heteroepitaxial InP layers grown from EDMIn and TBP.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.85-90
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• 2002

$RuO_2$/GaN and related contacts were investigated for Schottky contacts in GaN-Based optical and electronic devices. We demonstrated that an $RuO_2$ film forms a stable Schottky contact on a GaN layer with a barrier height (${\Phi}_B$) of 1.46 eV and transmittance of 70% in the visible and near UV region. $RuO_2$/GaN Schottky diode showed a breakdown at over -50V and leakage current of only 0.3 nA at -5V. The $RuO_2$/GaN Schottky type photodetector had the UV/Visible rejection ratio of over $10^5$ and the responsivity of 0.23 A/W at 330 nm. The $RuO_2$ gate AlGaN/GaN EFET exhibited high drain current ($I_d$) of 689.3 mA/mm and high transconductance ($g_m$) of 197.4 mS/mm. Cut-Off frequency ($f_t$) and maximum operating frequency ($f_{max}$) were measured as 27.0 GHz and 45.5 GHz, respectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.487-493
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• 1997

SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권7호
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• pp.11-16
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• 2016

탄화규소(Silicon Carbide)는 와이드 밴드 갭 물질로써 실리콘(Si)에 비해 고전력, 고주파, 고온 소자용 반도체 물질로서 각광받고 있다. 탄화규소를 이용하여 만든 반도체 소자 중 특히 쇼트키 배리어 다이오드는 현재 가장 많이 사용되는 전력반도체 소자로써 스위칭 속도가 매우 빠르고 낮은 온저항 특성을 가지는 소자이다. 하지만 컨텍 엣지에서의 전계집중으로 인해 항복전압이 낮아지는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해 다양한 엣지 터미네이션 기술이 제안되고 있는데, 본 논문에서는 최적의 항복전압을 갖기 위한 이중 필드 플레이트(Double Field Plate) 소자 구조를 제안하였다. 측정결과 제작한 소자는 온저항을 유지한 채 38% 향상된 항복전압을 나타내었다. 제안한 소자 특성 검증을 위해 소자를 설계 및 제작한 후 전기적 특성을 측정하였으며, 이중 필드 플레이트 구조는 길이와 두께가 서로 다른 필드 플레이트를 겹쳐 올림으로써 구현하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권5호
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• pp.572-578
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• 2014

In order to overcome small current drivability of a tunneling field-effect transistor (TFET), a TFET using Schottky barrier (SBTFET) is proposed. The proposed device has a metal source region unlike the conventional TFET. In addition, dopant segregation technology between the source and channel region is applied to reduce tunneling resistance. For TFET fabrication, spacer technique is adopted to enable self-aligned process because the SBTFET consists of source and drain with different types. Also the control device which has a doped source region is made to compare the electrical characteristics with those of the SBTFET. From the measured results, the SBTFET shows better on/off switching property than the control device. The observed drive current is larger than those of the previously reported TFET. Also, short-channel effects (SCEs) are investigated through the comparison of electrical characteristics between the long- and short-channel SBTFET.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.604-609
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• 2020

본 연구에서는 RF 스퍼터를 이용하여 SiC 기판위에 AlN막을 증착하고 급속 열처리 (RTA) 공정의 온도에 따른 AlN/4H-SiC 구조의 전기적, 재료적 특성에 대한 영향을 분석하였다. 400도에서 RTA 공정을 진행한 Ni/AlN/4H-SiC SBD 소자의 온/오프 비율은 RTA 공정 전 그리고 600도에서 RTA 공정을 한 소자에 비해 약 10배정도 높은 값을 가졌다. 또한 오제이 전자현미경을 통한 원자성분 분석을 통해 증착한 AlN 층내의 존재하는 산소의 양이 후열 처리 조건에 따라 변화함을 확인하였고 소자의 온/오프 비율 그리고 온-저항 등 소자의 성능에 영향을 주는 것을 분석하였다. 추가적으로, 제작한 소자의 노출된 음향 주파수에 따른 전기적 특성변화를 분석하였다.

• 센서학회지
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• 제20권3호
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• pp.156-161
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• 2011

We fabricated a schottky barrier metal oxide semiconductor field effect transistor(SB-MOSFET) by applying indium-tin-oxide(ITO) to the source/drain on a highly resistive GaN layer grown on a silicon substrate. The MOSFET, with 10 ${\mu}M$ gate length and 100 ${\mu}M$ gate width, exhibits a threshold gate voltage of 2.7 V, and has a sub-threshold slope of 240 mV/dec taken from the $I_{DS}-V_{GS}$ characteristics at a low drain voltage of 0.05 V. The maximum drain current is 18 mA/mm and the maximum transconductance is 6 mS/mm at $V_{DS}$=3 V. We observed that the spectral photo-response characterization exhibits that the cutoff wavelength was 365 nm, and the UV/visible rejection ratio was about 130 at $V_{DS}$ = 5 V. The MOSFET-type UV detector using ITO, has a high UV photo-responsivity and so is highly applicable to the UV image sensors.