• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.105-113
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• 2010

240 GHz 대역의 캐리어 주파수를 이용하여 1.485 Gbps 비디오 전송 시스템을 설계 및 시뮬레이션 하였다. 송수신기는 Schottky Barrier 다이오드 기반의 Sub-harmonic 믹서를 이용하였으며 특히, 수신기는 Heterodyne 및 Direct Detection 두 가지 방식을 적용하여 각각의 성능을 시뮬레이션 하였다. 변조방식은 ASK이며, 수신기에서는 Envelop 검출 방식을 사용하였다. 송신기 시뮬레이션 결과 Sub-harmonic 믹서의 LO 전력 7 dBm(5 mW)에서 IF 입력 전력 -3 dBm(0.5 mW)일 때 RF 출력 전력은 -11.4 dBm($73{\mu}W$)이었으며, SSB(Single Side Band) Conversion Loss는 8.4 dB이다. VDI사의 상용모델 WR3.4SHM(220~325 GHz)의 240 GHz에서의 Conversion loss 8.0 dB(SSB)와 근접한 결과를 얻었다. 1.485 Gbps NRZ 신호전송 시뮬레이션 결과 전송신호와 동일한 수신 파형을 얻었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권2호
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• pp.208-214
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• 2024

This reports the electrical properties of single-crystal β-gallium oxide (β-Ga₂O₃) vertical Schottky barrier diodes (SBDs) with a different guard ring structure. The vertical Schottky barrier diodes (V-SBDs) were fabricated with two types guard ring structures, one is with metal deposited on the Al₂O₃ passivation layer (film guard ring: FGR) and the other is with vias formed in the Al₂O₃ passivation layer to allow the metal to contact the Ga₂O₃ surface (metal guard ring: MGR). The forward current values of FGR and MGR V-SBD are 955 mA and 666 mA at 9 V, respectively, and the specific on-resistance (R_on,sp) is 5.9 mΩ·cm² and 29 mΩ·cm². The series resistance (R_s) in the nonlinear section extracted using Cheung's formula was 6 Ω, 4.8 Ω for FGR V-SBD, 10.7 Ω, 6.7 Ω for MGR V-SBD, respectively, and the breakdown voltage was 528 V for FGR V-SBD and 358 V for MGR V-SBD. Degradation of electrical characteristics of the MGR V-SBD can be attributed to the increased reverse leakage current caused by the guard ring structure, and it is expected that the electrical performance can be improved by preventing premature leakage current when an appropriate reverse voltage is applied to the guard ring area. On the other hand, FGR V-SBD shows overall better electrical properties than MGR V-SBD because Al₂O₃ was widely deposited on the Ga₂O₃ surface, which prevent leakage current on the Ga₂O₃ surface.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권3A호
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• pp.435-442
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• 2000

In this paper, we analyzed RF-DC conversion efficiency for the dual -polarization rectenna and the antenna position changing. Dual-Polarization rectenna consist of a two major parts, receiving antenna and rectifying circuits. We made dual-polarization 2.45GHz rectenna using the two dipole antennas and patch antenna. Rectifying circuit is consisted by a Schottky-Barrier diode with a large forward current and reverse breakdown voltage. The results of RF-DC conversion efficiency for the each of designed dual-polarization rectenna has 69.1% with 360$\Omega$(dipole type) and 75.4% with 340$\Omega$(patch type ) optimum load resistor. When the each of dual-polarization rectenna has optimal load resistor, it's conversion efficiency shows of $\pm$20% in dipole type and $\pm$5 in patch type at 0~180。position.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 정기총회 및 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.110-113
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• 1993

The MOSFET synchronous rectification in the Active-Clamp Forward converter is presented. The Active-Clamp Forward converter has little dead time during the off time of the main switch and it is suitable for the MOSFET synchronous rectification comparing to the other Forward converter topologics. Using the MOSFET synchronous rectification on the Active-Clamp Forward converter with 3.3[V] output and 500[kHz] switching frequency, the improvement of efficiency is achieved comparing with the conventional Schottky barrier diode rectification.

• 대한전자공학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.15-22
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• 1974

본 논문은 전류제어형각성저항 회로를 사용한 새로운 삼치전가산기의 구성에 관하여 논한다. 부성저항특성을 이용하여 먼저 특수한 반가산기를 설계하고 이에 의하여 전가산기를 구성한다. 이평가계기는 부성저항 회로와 쇼트키-베리어 다이오드를 사용한 삼자정 회로에 의해 구성되며, 두 입력신호가 모두 "2"일 경우 Sum과 Carry 출력이 각각 "0"과 "1"의 간을 갖는다. 여기에 제안한 전가산기는 종래의 전가산기에 비하여 게이트 수가 감소되고, 속도가 개선된다. 회로소자는 트랜지스터와 쇼트키-베리어 다이오드, 저항만을 사용하여 IC화하는데 편리하게 하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.3-5
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• 2005

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 항복전압이 증가하고 누설 전류가 감소한 수평방향 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. 산화 과정 후, 턴-온 전압이 미세하게 증가하였으며 높은 애노드 전압하에서 애노드 전류가 증가하였다. 5분과 10분의 산화 과정 후, 누설 전류는 1nA 이하 수준으로 현저히 감소하였다. Edge Termination 방법으로 Floating Metal Ring을 사용하고, 산화 과정을 적용하여 제안된 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 항복전압은 750볼트의 큰 값을 얻을 수 있었다. 상온과 $125^{\circ}C$ 에서 제작한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 회복 파형도 측정하였으며, 제작한 소자는 매우 빠른 역방향 회복 특성을 보였다.

• 전기학회논문지
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• 제57권5호
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• pp.821-826
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• 2008

Recently as a progress of electric technology, modern electric systems become more and more complicated. Thus, it is difficult to use a classical method to analyze responses of the systems in complicated electromagnetic environments because there are so many coupling phenomena. The electromagnetic topology (EMT) is a helpful solution to analyze electromagnetic interference / electromagnetic compatibility (EMI/EMC) of the large complex system. In this paper, EMT is applied to analyze an active element. And then to prove the validity of this analysis, a detector circuit including Schottky barrier diode is analyzed by EMT when input power is given directly.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제11권4호
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• pp.257-261
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• 2011

A highly efficient 2.4 GHz rectenna is designed using a harmonic rejection bandpass filter. The rectenna is printed on Rogers Duroid 5880 substrate with ${\varepsilon}_r$=2.2 and a thickness of 1.6 mm. The rectenna consists of a microstrip antenna and high order harmonic rejection bandpass filter, microstrip lowpass filter, and Schottky barrier diode (HSMS2820). The use of a $2^{nd}$ and $3^{rd}$ harmonic rejection microstrip bandpass filter in the rectenna results in high conversion efficiency. The proposed rectenna achieves a RF to DC conversion efficiency of 72.17 % when the received RF power is 63.09 mW.

• ETRI Journal
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• 제33권6호
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• pp.965-968
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• 2011

A 1.485-Gbit/s video signal transmission system at carrier frequencies of 240 GHz and 300 GHz was implemented and demonstrated. The radio frequency front-ends are composed of Schottky barrier diode subharmonic mixers (SHMs), frequency triplers, and diagonal horn antennas for the transmitter and receiver. Amplitude shift keying with an intermediate frequency of 5.94 GHz was utilized as the modulation scheme. A 1.485-Gbit/s video signal with a high-definition serial digital interface format was successfully transmitted over a wireless link distance of 4.2 m and displayed on an HDTV with a transmitted average output power of 20 ${\mu}W$ at a 300-GHz system.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2004-2006
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• 2005

트렌치 애노드 컨택을 설계하여 순방향 전압강하를 감소시키는 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제안하였다. 애노드 내부에 트렌치를 설계하여 제안된 소자의 표면 애노드 컨택은 메탈 일 함수(metal work function)가 높은 Pt와 형성되며, 트렌치 애노드 컨택은 메탈 일 함수가 낮은 Au와 형성된다. 제안된 소자의 전기적 특성을 검증하기 위하여 2차원 수치 해석 시뮬레이션을 수행하였고, AlGaN/GaN 혜테로 접합 구조 위에 제작 및 측정하였다. 제안된 소자는 복잡한 공정 추가 없이 제작되며 $100A/cm^2$에서의 순방향 전압 강하는 0.73V로 기존 소자의 1.25V보다 우수한 특성을 보였다. 제안된 소자의 온 저항은 $1.58m{\Omega}cm^2$로 기존 소자의 온 저항 $8.20m{\Omega}cm^2$ 보다 낮은 장점을 가진다.