This paper presents a result of performance evaluation fur non-contact scanning probe microscopy with respect to the vibration characteristics of cantilevers with tips. One of the current issues of the scanning probe microscopy technology is to increase the measurement speed, which is closely tied with the dynamic characteristics of cantilevers. The primary concern in this research is to investigate the relation between the maximum possible speed of non-contact scanning probe microscopy and the dynamic characteristics of cantilevers. First, the finite element analysis is made fur the vibration characteristics of various cantilevers in use. The computed natural frequencies of the cantilevers are in good agreement with measured ones. Then, each cantilever is tested with topographic measurement for a standard sample with the scanning speed changed. The performances of cantilevers are analyzed along with the natural frequencies of cantilevers. Experiments are also performed to test the effects of how to attach cantilevers in the piezo-electric actuator. Finally, measurement sensitivity has been analyzed to enhance the performance of scanning probe microscopy.
Scanning Probe Lithography is a method to localized oxidation on single crystal silicon wafer surface. This study demonstrates nanometer scale non contact lithography process on (100) silicon (p-type) wafer surface using AFM(Atomic force microscope) apparatuses and pulse controlling methods. AFM-based experimental apparatuses are connected the DC pulse generator that supplies ultra short pulses between conductive tip and single crystal silicon wafer surface maintaining constant humidity during processes. Then ultra short pulse durations are controlled according to various experimental conditions. Non contact lithography of using ultra short pulse induces electrochemical reaction between micro-scale tip and silicon wafer surface. Various growths of oxides can be created by ultra short pulse non contact lithography modification according to various pulse durations and applied constant humidity environment.
An experimental study was carried out to investigate the effect of nano-contact condition on the nano-adhesion phenomena. SPM(scanning probe microscope) tips with different radius of curvature were fabricated by a series of masking and etching processes. DLC(diamond-like carbon) and W-DLC (tungsten-incorporated diamond-like carbon) were coated on (100) silicon wafer by PACVD(plasma assisted chemical vapor deposition). Pull-off forces of Pure Si-wafer, DLC and W-DLC were measured with SPM(scanning probe microscope). Also, the same series of tests were carried out with the tips with different radius of curvature. Results showed that DLC and W-DLC showed much lower pull-off force than Si-wafer and Pull-off force increased with the tip radius.
재료에 존재하는 미소균열을 검출하기 위한 일반적인 초음파 탐상법은 고주파수 집속형 수직 초음파 탐촉자를 이용한 펄스-에코법을 사용하거나 표면파를 발생시키는 사각 탐상법을 사용한다. 이러한 방법들은 압연 롤, 세라믹 롤등 대형 구조물의 표면에 존재하는 미소 크랙의 존재 여부 및 위치 측정을 위한 자동화 초음파 탐상장치를 구성하기에는 다랑의 검사 데이터, 결함 위치정보의 불확실성 등 현실적으로 많은 어려움이 있다. 본 연구에서는 고정밀도 초음파 현미경(scanning acoustic microscope)에 비교적 저주파수의 대구경 초음파 탐촉자를 사용하여 미세균열의 존재 여부 및 위치 등의 검사결과를 실시간 A, B, C-Scan으로 표시할 수 있으며, 기존의 방법보다 검사 속도 및 시간을 10배 이상으로 향상된 파동화 초음파 탐상법 및 초음파 현미경법의 실용성을 검증하였다.
Scanning Probe Microscope (SPM) such as Scanning Tunneling Microscope (STM) and Atomic Force Microscope (AEM) was shown to be the powerful tool for nano-scale characterization of material surfaces. Using this technique, surface morphology of the cyclically deformed Cu or Cu-Al single crystal was observed. The surface became proportionately rough as the number of cycles increased, but after some number of cycles no further change was observed. Slip steps with the heights of 100 to 200 nm and the widths of 1000 to 2000 nm were prevailing at the stage. The slipped distance of one slip system at the surface was not uniform, and formation of the extrusions or intrusions was assumed to occur such place. By comparing the morphological change caused by crystallographic orientation, strain amplitude, number of cycles or stacking fault energy, some interesting results which help to clarify the basic mechanism of fatigue damage were obtained. Furthermore, applicability of the scanning tunneling microscopy to fatigue damage is discussed.
본 연구에서는 주사탐침현미경을 이용한 Si 표면의 국부 산화피막 형성에 있어서, 탐침이 움직이면서 생기는 $SiO_2$의 일차원적인 선의 높이가 탐침 전위, deflection setpoint, 탐침 속도에 의해 어떻게 영향을 받는지 고찰해 보았다. -3 V 보다 작은 탐침 전위에서는 국부 산화피막 형성이 관찰되지 않았으며 -3 V 보다 큰 탐침 전위에서는, 탐침 속도가 $1{\mu}m/s$일 때, 1 V씩 증가함에 따라 0.47nm의 비율로 선의 높이가 높아졌다. Deflection setpoint는 탐침이 가하는 기계적인 힘의 표지가 되는데, $12\sim18nN$ 정도의 힘이 가해지지 않으면 국부 산화피막 형성이 관찰되지 않았다. 그 이상의 힘이 가해져야 국부 산화피막 형성이 관찰되는데 이때 선의 높이는 기계적인 힘과 무관하였다. 탐침 속도가 빨라짐에 따라 선의 높이는 낮아졌으나, 탐침 전위가 -5V인 경우, 0.7nm 이하로 낮아지지는 않았다.
Thermally evaporated 10 nm-Ni/1 nm-Au/(30 nm-poly)Si structures were fabricated in order to investigate the thermal stability of Au-inserted nickel silicide. The silicide samples underwent rapid thermal annealing at $300{\sim}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance was measured using a four-point probe. A scanning electron microscope and a transmission electron microscope were used to determine the cross-sectional structure and surface image. High-resolution X-ray diffraction and a scanning probe microscope were employed for the phase and surface roughness. According to sheet resistance and XRD analyses, nickel silicide with Au had no effect on widening the NiSi stabilization temperature region. Au-inserted nickel silicide on a single crystal silicon substrate showed nano-dots due to the preferred growth and a self-arranged agglomerate nano phase due to agglomeration. It was possible to tune the characteristic size of the agglomerate phase with silicidation temperatures. The nano-thick Au-insertion was shown to lead to self-arranged microstructures of nickel silicide.
Recently, scientists introduced a new type of microscope capable of investigating nonconducting surfaces in an atomic scale, which is called AFM (Atomic Force Microscope). It was an innovative attempt to overcome the limitation of STM (Scanning Tunnelling Microscope) which has been able to obtain the image of conducting surfaces. Surfaces of samples are imaged with atomic resolution. The AFM is an imaging tool or a profiler with unprecedented 3-D resolution for various surface types. The AFM technology, however, leaves a lot of room for improvement due to its delicate and fragile probing mechanism. One of the room for improvements is gap control between probe tip and sample surface. Distance between probe tip and sample surface must be kept in below one Angtrom in order to measure the sample surface in Angstrom resolution. In this paper, AFM system modeling, experimental system identification and control scheme based on system identification are performed and finally sample surface is measured by home-built AFM with such a control scheme.
In near field optics, optical fiber probe is smaller than the wavelength of light. This small probe makes it possible to overcome the diffraction limit due to wave property of light. In conventional optical systems, the image resolution is governed by wavelength. But in NSOM, it is determined by probe tip size and probe shape. Therefore probe tip size and shape are very important points in near field optics. In this paper, we will suggest the new fabrication methods of optical fiber probe and show that the probe tip size is sub-micrometer using SEM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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