1 |
B. A. Julies, D. Knoesen, R. Pretorius and D. Adams, Thin Solids Films, 347, 201 (1999)
DOI
ScienceOn
|
2 |
J. Y. Dai, Z. R. Guo, S. F. Tee, C. L. Tay, E. Er and S.Redkar, Appl. Phys. Lett., 78, 20 (2001)
DOI
ScienceOn
|
3 |
J. Prokop, C. E. Zybill and S. Veprek, Thin Solid Films,359, 39 (2000)
DOI
ScienceOn
|
4 |
C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K.Maex, H. Bender and S. Zhu, J. Appl. Phys., 88, 1 (2000)
DOI
ScienceOn
|
5 |
The International Technology RoadMap For Semiconductor, Front End Process, p. 25, SIA, 2003 Edition (2003)
|
6 |
J. Chen, J. P. Colinge, D. Flandre, R. Gillon, J. P. Raskin, and D. Vanhoenacker, J. Electrochem. Soc., 7, 144 (1997)
DOI
|
7 |
W. Huang, L. Zhang, Y. Gao and H. Jin, Microelectron. Eng., 83, 345, (2006)
DOI
ScienceOn
|
8 |
I. Doi, R. C. Teixeira, R. E. Santos, J. A. Diniz, J. W. Swart and S. G. S. Filho, Microelecrton. Eng., 82, 485 (2005)
DOI
ScienceOn
|
9 |
K. J. Yoon and O. S. Song, Kor. J. Mater. Res., 16, 9 (2006)
DOI
|
10 |
Y. S. Jung, S. H. Cheong and O. S. Song, Kor. J. Mater.Res., 14, 389 (2004)
과학기술학회마을
DOI
|
11 |
D. B. Williams and C. B. Carter, Transmission Electron Microscopy Basics I, 1st ed., P.152-170, Plenum Press, NewYork, U.S.A. (1996)
|
12 |
C. Lavoie, F. M. d`Heurle, C. Detavernier and C. C. Jr., Microelectron. Eng., 70, 144 (2003)
DOI
ScienceOn
|
13 |
J. J. Sun, J. Y. Tsai and C. M. Osburn, IEEE Trans.Electron Devices, 45, 1946 (1998)
DOI
ScienceOn
|
14 |
E. G. Colgan, J. P. Gambino and Q. Z. Hong, Mater. Sci.Eng., 16, 43 (1996)
DOI
ScienceOn
|
15 |
H. Fang, M. C. Ozturk, E. G. Seebauer and D. E.Batchelor, J. Electrochem. Soc., 146, 4240 (1999)
DOI
|
16 |
J. Lutze, G. Scott and M. Manley, IEEE Electron DeviceLett., 21, 155 (2000)
DOI
ScienceOn
|
17 |
J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices, 38, 262 (1991)
DOI
ScienceOn
|
18 |
J. A. Kittl, A. Lauwers, M. A. Pawlak, M. J.H. Dal, A.Veloso, K. J. Anil, G. Pourtois, C. Demeurisse, T. Schram, B. Brijs, M. Potter, C. Vrancken and K. Maex, Microelectron. Eng., 82, 441 (2005)
DOI
ScienceOn
|