• 제목/요약/키워드: Sb-$SnO_2$

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Effects of Additives on the DMMP Sensing Behavior of SnO2 Nanoparticles Synthesized by Hydrothermal Method

  • Kim, Hong-Chan;Hong, Seong-Hyeon;Kim, Sun-Jung;Lee, Jong-Heun
    • 센서학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.294-299
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    • 2011
  • $SnO_2$ nanoparticles were synthesized by a hydrothermal method and gas sensors were fabricated using nanoparticles to detect dimethyl methylphosphonate(DMMP) gas. The prepared $SnO_2$ nanoparticles exhibited a high response(72 at $500^{\circ}C$) to 5 ppm DMMP gas compared to commercial $SnO_2$ nanopowders, but their recovery was relatively poor. Various metals(Ni, Sb, Nb) were added to the $SnO_2$ nanoparticles to improve their recovery properties. The focus of this study was to investigate the effects of metal oxide additives on DMMP sensing behavior in $SnO_2$ nanoparticles.

Synthesis and Characterization of Derivatives of Dibutyl Sn(IV)-Ti(IV)-μ-Oxoisopropoxide with Schiff Bases

  • Kumar, Rajesh;Sharma, H.K.
    • 대한화학회지
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    • 제56권1호
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    • pp.54-57
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    • 2012
  • New Schiff base derivatives of organoheterobimetallic-${\mu}$-oxoisopropoxide $[Bu_2SnO_2Ti_2(OPr^i)_6]$ have been synthesized by the thermal condensation ${\mu}$-oxoisopropoxide compound with Schiff bases in different molar ratios (1:1-1:4) yielded the compounds of the type $[Bu_2SnO_2Ti_2(OPr^i)_{6-n}(SB)_n]$ (where n is 1-4 and SB=Schiff base anion) respectively. The ${\mu}$-oxoisopropoxide derivatives have been characterized by elemental, spectral analysis (IR, $^1H$, $^{13}C$, $^{119}Sn$ NMR) and molecular weight measurement The studies reveal that the derivative compounds show monomeric nature. Further these are found less susceptible to hydrolysis as compared to parent compound and may prove excellent precursors for the mixed metal oxides.

($\textrm{Zr}_{0.8}\textrm{Sn}_{0.2}$)$\textrm{TiO}_{4}$ 세라믹스의 마이크로파 유전특성에 미치는 ($\textrm{B}_{2}\textrm{O}_{3}$.$\textrm{Li}_{2}\textrm{O}$)의 영향 (Effect of ($\textrm{B}_{2}\textrm{O}_{3}$.$\textrm{Li}_{2}\textrm{O}$) on the Microwave Dielectric Properties of the ($\textrm{Zr}_{0.8}\textrm{Sn}_{0.2}$)$\textrm{TiO}_{4}$ Ceramics)

  • 안일석;윤기현;김응수
    • 한국재료학회지
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    • 제9권10호
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    • pp.1041-1046
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    • 1999
  • (Zr(sub)0.8Sn(sub)0.2)$TiO_4$세라믹스와 소결조제로서 ($B_2$$O_3$.Li$_2$O)의 첨가에 따른 마이크로파 유전특성 및 미세구조에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 1.0 mol.% $Sb_2$O(sub)5를 첨가하고 130$0^{\circ}C$에서 5시간 소결한 (Zr(sub)0.8Sn(sub)0.2)$TiO_4$세라믹스의 경우 ($B_2$$O_3$.Li$_2$O)첨가량 증가에 따라 치밀화 및 결정립 성장에 의해 유전상수와 Q.f값은 증가하여 첨가량이 0.35wt.%에서 최대값인 38과 59,000을 각각 나타내었으며, 0.50wt.% 이상 첨가한 경우에서는 제 2상의 생성으로 인하여 감소하였다. 1.0 mol% Sb$_2$O(sub)5와 0.35wt.% ($B_2$$O_3$.$Li_2$O)를 첨가한 (Zr(sub)0.8Sn(sub)0.2)TiO$_4$세라믹스를 125$0^{\circ}C$와 135$0^{\circ}C$에서 5시간 소결한 경우에는 각각 미반응 TiO$_2$의 존재와 과대입자성장에 의한 결정립내기공의 생성으로 인하여 마이크로파 유전특성은 저하되었다.

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전기방사법을 이용하여 제조된 Sb-Doped SnO2 투명전도막의 전기적 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of Sb-Doped SnO2 Transparent Conductive Films Fabricated by Using Electrospinning)

  • 안하림;구본율;안효진;이태근
    • 한국재료학회지
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    • 제25권4호
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    • pp.177-182
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    • 2015
  • Sb-doped $SnO_2$(ATO) thin films were prepared using electrospinning. To investigate the optimum properties of the electrospun ATO thin films, the deposition numbers of the ATO nanofibers(NFs) were controlled to levels of 1, 2, 4, and 6. Together with the different levels of deposition number, the structural, chemical, morphological, electrical, and optical properties of the nanofibers were investigated. As the deposition number of the ATO NFs increased, the thickness of the ATO thin films increased and the film surfaces were gradually densified, which affected the electrical properties of the ATO thin films. 6 levels of the ATO thin film exhibited superior electrical properties due to the improved carrier concentration and Hall mobility resulting from the increased thickness and surface densification. Also, the thickness of the samples had an effect on the optical properties of the ATO thin films. The ATO thin films with 6 deposited levels displayed the lowest transmittance and highest haze. Therefore, the figure of merit(FOM) considering the electrical and optical properties showed the best value for ATO thin films with 4 deposited levels.

장군 연-아연-은 광상의 모암변질에 따른 원소분산 (Element Dispersion by the Wallrock Alteration of Janggun Lead-Zinc-Silver Deposit)

  • 유봉철
    • 자원환경지질
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    • 제45권6호
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    • pp.623-641
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    • 2012
  • 장군 연-아연-은 광상은 열수교대형 광상이다. 모암변질시 원소 분산을 알아보기 위해 모암, 열수변질대 및 연-아연-은 광맥에서 시료를 채취하였다. 이 광상은 능망간석화작용과 돌로마이트화작용으로 구성된 열수작용이 현저히 인지된다. 모암은 돌로마이트와 석회암이며 구성광물은 방해석, 돌로마이트, 석영, 금운모 및 흑운모 이다. 연-아연-은 광맥과 접촉한 부분에서 관찰되는 능망간석대는 주로 능망간석이 산출되며 소량 방해석, 돌로마이트, 쿠트나호라이트, 유비철석, 황철석, 황동석, 섬아연석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 연-아연-은 광맥으로부터 멀어짐에 따라 관찰되는 돌로마이트대는 주로 돌로마이트가 산출되고 소량 방해석, 능망간석, 황철석, 섬아연석, 황동석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 모암변질시 주원소, 미량 및 희토류원소들간의 상관계수는 $Fe_2O_3(T)$/MnO, Ga/MnO 및 Rb/MnO(돌로마이트 및 석회암)가 정의 상관관계를 갖고 MgO/MnO, CaO/MnO, $CO_2$/MnO 및 Sr/MnO(돌로마이트)와 CaO/MnO 및 Sr/MnO(석회암)가 부의 상관관계를 갖는다. 모암변질시 이득원소들은 $Fe_2O_3(T)$, MnO, As, Au, Cd, Cu, Ga, Pb, Rb, Sb, Sc, Sn 및 Zn 이고 손실원소들은 CaO, MgO, $CO_2$ 및 Sr 이다. 따라서 CaO, $CO_2$, $Fe_2O_3(T)$, MgO, MnO, Ga, Pb, Rb, Sb, Sn, Sr 및 Zn 등의 원소들은 모암이 돌로마이트내지 석회암인 열수교대형 광상의 탐사에 지시원소로서 활용될 수 있을 것이다.

저온 공정을 이용한 용액 기반 Sb-doped SnO2 투명 전도막의 전기적 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of Solution-Based Sb-Doped SnO2 Transparent Conductive Oxides Using Low-Temperature Process)

  • 구본율;안효진
    • 한국재료학회지
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    • 제24권3호
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    • pp.145-151
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    • 2014
  • Solution-based Sb-doped $SnO_2$ (ATO) transparent conductive oxides using a low-temperature process were fabricated by an electrospray technique followed by spin coating. We demonstrated their structural, chemical, morphological, electrical, and optical properties by means of X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, field-emission scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall effect measurement system, and UV-Vis spectrophotometry. In order to investigate optimum electrical and optical properties at low-temperature annealing, we systemically coated two layer, four layer, and six layers of ATO sol-solution using spin-coating on the electrosprayed ATO thin films. The resistivity and optical transmittance of the ATO thin films decreased as the thickness of ATO sol-layer increased. Then, the ATO thin films with two sol-layers exhibited superb figure of merit compared to the other samples. The performance improvement in a low temperature process ($300^{\circ}C$) can be explained by the effect of enhanced carrier concentration due to the improved densification of the ATO thin films causing the optimum sol-layer coating. Therefore, the solution-based ATO thin films prepared at $300^{\circ}C$C exhibited the superb electrical (${\sim}7.25{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$) and optical transmittance (~83.1 %) performances.

P.T.C.R.-N.T.C.R. 자기를 이용한 저항체에 관한 연구 (A Study on the P.T.C.R-N.T.C.R. Ceramic Resister)

  • 안영필;이병하;김일기
    • 한국세라믹학회지
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    • 제18권2호
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    • pp.119-125
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    • 1981
  • The thermostable resistor was made by using P.T.C.R-N.T.C.R. ceramics. In this study $BaTiO_3$ type P.T.C.R. ceramics and $SnO_2-Sb_2O_3$ type N.T.C.R. ceramics were cocrystallized in one body and electrical resistance was stable under the temperature variation between $25^{\circ}C$-40$0^{\circ}C$. The ceramics showed the most stable electrical resistance for the mal variation when the composition was 0.6P.T.C.R. $BaTiO_3$,$ 0.4SnO_2$ and 0.01 $Sb_2O_3$.

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$SnO_2$ 수용전극특성에 미치는 Sb첨가의 영향 (Effects of Sb doping on the Characteristis of $SnO_2$ Transparent Electrodes)

  • 이정한
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제13권3호
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    • pp.16-21
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    • 1976
  • 염화제이석을 출발물질로 하여 예열을 병용한 광무부착방식으로 유리 박판 위에 SnOf수명전극을 형성시켜 그의 Sheet 무항과 광투과률에 미치는 Sb연가량와 영향을 실행적으로 검토하였다. Sheet 저항을 전극작성시의 기판유리의 표면 온도가 높을수록 낮아지며 백색광에 대한 투과률을 Sheet 저항저하와 더불어 증가되는데 최대 약 93{%)였다. 기판표면온도는 700(℃) 부근이 적당하며 같은 표이온도의 경우 출발물질에서의 Sb/Sn의 비율이 약 0.6(%)일 경우 최저의 저항치를 얻을 수 있었다. Transparent eloctroaes of polycrystalline till-oxide films doped with antimony are prepared on the substrate of microscopic cover g1ass by modified spray method and from SnCl4 Solution. Their electrical and optical properties are investigated in relation to the surface temperature of the substrate glass and to antimony concentration in the starting materials. The sheet·resiststrace of the film electrodes and transmittance for incandescent light depen on tile antimony concentration and surface temperature of substrates at the time of making films. The transmittance increases with decrease of sheet resistance of the film. The optimum sheet·resistance was obtianed in the case of the antimony concentration 0.6(%) approximately , and the max. transmittance was 93(%).

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0.05pb($Sn_{0.5}Sb_{0.5}O_3-xPbTiO_3-yPbZrO_3$계에서 PT/PZ비 변화에 따른 전기적 특성 (Electrical properties of 0.05pb($Sn_{0.5}Sb_{0.5}O_3-xPbTiO_3-yPbZrO_3$ PZT System With variation Of PT/PZ)

  • 황학인;박준식;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.589-598
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    • 1997
  • 본 연구에서는 modified PZT계에서 PT/PZ비 변화에 따른 결정 구조 및 전기적 특성을 조사하였다. 0.05Pb$(Sn_{0.5}Sb_{0.5})O_3+xPbTiO_3+yPbZrO_3$+0.4Wt% $MnO_2$(x+y= 0.95)계에서 PT/PZ비를 0.50/0.45에서 0.l1/0.84로 변화시킨 조성을 $1250^{\circ}C$에서 2시간 소결하여 이의 미세구조 및 결정구조를 분석하였고, 유전, 압전, 초전 특성 그리고 적외선 센서로의 응용을 위해 적외선에 대한 감도를 조사하였다. PT/PZ비가 0.50/0.45에서 0.l1/0.84로 PT에 비해 PZ량이 상대적으로 증가됨에 따라 전체적으로 소결밀도가 7.52g/$\textrm {cm}^3$에서 7.82g/$\textrm {cm}^3$의 값으로 증가되는 경향을 나타내었으나 분극처리 후의 유전상수는 1147에서 193으로 감소되었고, 전 조성범위에서 1 % 이하의 낮은 유전손실값을 나타내었다. PT/PZ비가 1에 근접할수록 $K_{p}$ 값이 증가되었으며, PT/PZ가 0.45/0.50인 경우 48.2 %로 가장 큰 $K_p$값을 나타내었으나, 초전계수는 PT/PZ비가 0.l1/0.84에서 0.0541 C/$m^2$K로 가장 큰 값을 나타내었다. 동 시편를 두께 100 um로 박판 가공하여 TO-5 package에 적용시켜 적외선에 대한 감도 특성을 측정한 결과 1.5 V의 높은 값을 나타내어 초전형 적외선 센서 소자로서 적합하였다.

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Fabrication and Characteristics of High-performance Doped-$SnO_2$ Thin Films for Explosive Gas Sensor

  • Chwa, Sang-Ok;Park, Hee-Chan;Kim, Kwang-Ho
    • The Korean Journal of Ceramics
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    • 제2권2호
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    • pp.83-88
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    • 1996
  • Long term stability, sensitization in air, and gas sensing behaviors of tin oxide films were investigated with doping of antimony and palladium. The tin oxide films were prepared on a Corning glass by reactive rf sputtering method and tested for detection of hydrogen gas. Sb-doping improved a long-term stability in the base resistance of $SnO_2$ film sensor. A small amount of Pd doping caused the optimum sensor operating temperature to reduce and also enhanced the gas sensitivity, compared with the undoped $SnO_2$ film. Gas sensitivity depended largely on the film thickness. The important sensitization reactions for sensor operating were $(O_{2ads})+e^-\;{\rightarrow}\;2(O_{ads})^-$ on the surface of $SnO_2$ film at elevated temperature in air and a followed reaction of hydrogen atoms with $(O_{ads})^-$ ions.

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