• 공업화학
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• 제9권7호
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• pp.974-978
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• 1998

회분식 통풍관형(DTB) 냉각 결정화기에서 3-nitro-1,2,4,-triazol-5-one(NTO)의 결정화 메카니즘에 관한 연구가 수행되었다. 결정성장속도 및 핵생성속도에 대한 과포화 의존성이 조사되었다. 핵생성 메카니즘 판별을 위한 Mersmann 이론을 이용하여 NTO의 핵생성 거동에 대한 메카니즘이 파악되었다. DTB 결정화기에서 NTO의 핵생성 거동은 불균일핵생성과 표면핵생성이 동시에 기여함을 알 수 있었다. 핵생성속도는 과포화에 4.2승에 비례하였고 결정성장속도는 과포화의 2.9승에 비례하였다. 회분식 DTB 냉각 결정화에서 얻은 NTO 결정의 크기는 결정화 메카니즘으로부터 얻어진 상관식으로부터 검증되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.25-30
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• 2000

금속 유도 측면 결정화에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작에서 이온 질량 주입이 MILC 속도 및 거동에 미치는 영향을 분석하였다. 비정질 실리콘에 도펀트를 주입하거나 이온충돌을 가하면 MILC의 속도가 50% 이상 감소하고 MILC선단이 불균일 해졌다. IMD에 따른 비정질 실리콘 박막의 성질 변화를 분석하기 위하여 자외선 반사도 및 표면 거칠기를 관찰하였고, 이온 충돌에 의한 표면 거칠기의 증가가 MILC 속도 감소와 균일도에 영향을 주는 것으로 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.224-228
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• 1998

비정량적 조성을 가진 비정질 산화타이타늄 박막을 반응성 스퍼터링으로 제조한후, $500^{\circ}C$~$600^{\circ}C$에서 10분-3시간 열처리후 냉각속도를 달리하였을 때의 상변태과정을 고찰하였다. 10분-30분정도의 단기간의 열처리후 급냉한 경우에는 Mageneli상이 관찰되어 비정상정 상($TiO_{2-x}$)이 산화되는 속도가 결정화속도보다 훨씬 느린 것으로 생각되었다. 그러나 열처리 유지시간이 증가하면 $500^{\circ}C$에서 부터의 느린 냉각과정에서는 Magneil가 anatase로 변화하며 변태한 anatase는 저온에서는 rutile로 변화하지 않았으나 $500^{\circ}C$~$300{\circ}C$의 온도 구간을 비교적 빠르게 냉각하면 Matneli상은 직접 rutile상으로 변화할 수 있는 것으로 고찰되었다. 또한 $600^{\circ}C$에서 냉각시에도 rutile상이 형성됨으로서 rutile상은 $500^{\circ}C$이상의 고온에서도 이 상ㅇ르 거치지 않고 변태할 수 있는 것으로 분석된다. 결정화 및 산화과정은 부피의 변화를 야기하여 박막의 표면 형상의 변화도 가져옴이 관찰되었다.

• 폴리머
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• 제38권3호
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• pp.307-313
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• 2014

Poly(ethylene-co-vinyl acetate) (EVA) 중에 포함된 비닐아세테이트의 함량을 0~40 wt% 범위에서 변화시키면서, 관능화 그래핀 쉬트(functionalized graphene sheet, FGS)/EVA 복합재료의 물성 변화를 조사하였다. EVA 중 극성을 가진 비닐아세테이트의 함량이 증가할수록 FGS와의 혼화성이 증가하여, FGS의 분산이 좋아지면서 EVA의 표면 저항 감소, 모듈러스 증가가 효과적으로 발현되었다. EVA 중 비닐아세테이트의 함량이 적어 FGS와의 상호작용이 작은 경우는 계면에서의 접착력이 낮아 인장력을 부가한 경우 파괴가 급격히 진행되어 파괴점에서의 신도가 크게 감소하였다. 복합재료에서 EVA의 결정화는 FGS와의 상호작용으로 대체적으로 감소하였다. 하지만, 비닐아세테이트 함량이 작은 EVA에 소량의 FGS를 첨가한 경우는 기핵효과에 의한 결정화 촉진이 관찰되었다.

• 한국재료학회지
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• 제25권3호
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• pp.138-143
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• 2015

Aluminum nitride, a compound semiconductor, has a Wurtzite structure; good material properties such as high thermal conductivity, great electric conductivity, high dielectric breakdown strength, a wide energy band gap (6.2eV), a fast elastic wave speed; and excellent in thermal and chemical stability. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the aluminum nitride is similar to those of Si and GaAs. Due to these characteristics, aluminum nitride can be applied to electric packaging components, dielectric materials, SAW (surface acoustic wave) devices, and photoelectric devices. In this study, we surveyed the crystallization and preferred orientation of AlN thin films with an X-ray diffractometer. To fabricate the AlN thin film, we used the magnetron sputtering method with $N_2$, NH3 and Ar. According to an increase in the partial pressures of $N_2$ and $NH_3$, Al was nitrified and deposited onto a substrate in a molecular form. When AlN was fabricated with $N_2$, it showed a c-axis orientation and tended toward a high orientation with an increase in the temperature. On the other hand, when AlN was fabricated with $NH_3$, it showed a-axis orientation. This result is coincident with the proposed mechanism. We fabricated AlN thin films with an a-axis orientation by controlling the sputtering electric power, $NH_3$ pressure, deposition speed, and substrate temperature. According to the proposed mechanism, we also fabricated AlN thin films which demonstrated high a-axis and c-axis orientations.

• 폴리머
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• 제32권5호
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• pp.478-482
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• 2008

용액 가공에 의한 광학용 폴리카보네이트 필름의 제조시 사용되는 1,3-dioxolane 용매가 폴리카보네이트 필름의 구조 형성에 미치는 영향에 대하여 살펴보았다. 기존 용액 가공에 용매로 사용하는 methylene chloride 대신 1,3-dioxolane을 필름 제조 용매로 사용하는 경우, 환경 친화성을 갖는 반면 1,3-dioxolane의 높은 휘발 온도로 인하여 필름 건조 공정에서 용매 제거 속도가 감소되며 이는 폴리카보네이트 필름의 결정화를 초래함을 확인하였다. 그 결과, 필름의 결정화도가 증가하여 표면이 거칠어지며 이에 따라 광 투과도가 감소함을 확인할 수 있었다. 또한 용매 제거 속도 변화에 따른 이러한 형태학적 변화는 폴리카보네이트 필름의 기계적 특성에 영향을 미침을 알 수 있었다.

• 공업화학
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• 제35권2호
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• pp.128-133
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• 2024

안티솔벤트를 이용한 결정화는 밀도 높고 균일한 페로브스카이트 필름을 얻는 효과적인 접근 방법이나, 일반적으로 사용되는 chlorobenzene (CB)과 같은 안티솔벤트는 독성을 가지며, 공기 중에서 페로브스카이트 결정화의 제어가 용이하지 않다. 본 연구에서는 공기 중 공정에 적합하며 친환경적인 안티솔벤트인 isopropyl acetate (IA)를 사용하여 페로브스카이트 태양전지를 제작하고자 하며 사이아노기, 카보닐기 및 벤젠 고리와 같은 작용기를 포함한 ethyl-4-cyanocinnamate (E4CN)을 안티솔벤트에 첨가제로 사용함으로서 성능 및 안정성을 개선하고자 한다. E4CN과 페로브스카이트 결함과의 상호작용으로 페로브스카이트 필름에 존재하는 un-coordinated Pb²⁺ 및 I₂ 결함을 제어할 수 있으며 이로 인한 재조합의 억제와 전하추출의 개선을 관찰할 수 있다. 그 결과 E4CN을 사용한 페로브스카이트 소자는 기준 소자 대비 개선된 18.89%의 최대 전력 변환 효율을 보여준다. 더불어, 기준 소자의 경우, 소자효율이 시간에 따라 급격히 감소하여 200 시간 후 효율값이 0%까지 저하되지만 E4CN이 도입된 소자의 경우, 300 시간 후 초기 광전변환효율의 60%를 유지하는 개선된 안정성을 보여준다.

• Conservation and Restoration of Cultural Heritage
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• 제1권1호
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• pp.29-37
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• 2012

The West Stone Pagoda at Gameunsaji Temple Site constructed in the 7th century is mainly composed of dark grey dacitic tuff bearing small numerous dioritic xenoliths. These xenoliths resulted in small holes due to differential weathering process from the host rocks. Physical strength of the pagoda was decreased due to weathering and damage caused by petrological, biological and coastal environmental factors. The southeastern part of the pagoda was extremely deteriorated that the rock surface showed exfoliation, fracture, open cavity, granular decomposition of minerals and salt crystallization by seawater spray from the eastern coast. The stone blocks were intersected by numerous cracks and contaminated by subsequent material such as cement mortar and iron plates. Also, the pagoda was colonized by algae, fungi, lichen and bryophytes on the roof rock surface and the gaps between the blocks. As a result of ultrasonic test, the rock materials fell under Highly Weathered Grade (HW) or Completely Weathered Grade (CW). Thus, conservational intervention is essentially required to prevent further weakening of the rock materials.

• Composites Research
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• 제26권1호
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• pp.60-65
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• 2013

A nanolaminate consisting of alternate layers of aluminium oxide ($Al_2O_3$) (5 nm) and zirconium oxide ($ZrO_2$) (20 nm) was deposited at an optimized oxygen partial pressure of $3{\times}10^{-2}$ mbar by pulsed laser deposition. The nanolaminate film was analysed using high temperature X-ray diffraction (HTXRD) to study phase transition and thermal expansion behaviour. The surface morphology was investigated using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). High temperature X-ray diffraction indicated the crystallization temperature of tetragonal zirconia in the $Al_2O_3/ZrO_2$ multilayer-film was 873 K. The mean linear thermal expansion coefficient of tetragonal $ZrO_2$ was $4.7{\times}10^{-6}\;K^{-1}$ along a axis, while it was $13.68{\times}10^{-6}\;K{-1}$ along c axis in the temperature range 873-1373 K. The alumina was in amorphous nature. The FESEM studies showed the formation of uniform crystallites of zirconia with dense surface.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1476-1478
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• 2002

In recent years, the tantalum nitride(TaN) thin-film has been developed for the electronic resistor, inductor and capacitor. In this papers, this study presents the surface profile and sheet-resistance property relationship of reactive-sputtered TaN thin film resistor processed by TaN(tantalum nitride) on alumina substrate. The TCR properties of the TaN films were discussed in terms of crystallization and thin films surface morphology due to annealing temperature. It is clear that the TaN thin-films resistor electrical properties are low TCR related with it's annealing temperature and ambient annealing condition. Respectively, at $300{\sim}400^{\circ}C$ on vacuum and nitrogen annealed thin film resistor having a goof thermal stability and lower TCR properties then as deposited thin films expected for the application to the dielectric material of passive component.