1 |
M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and M. S. Shur, Properties of Advanced Semiconductor Materials; GaN, AlN, InN, BN and SiGe, John Wiley and Sons, NewYork (2002).
|
2 |
D. Gaspera, E. Buso, D. Guglielmi, M. Martucci, A. Bello, V. Mattei, G. Post, M. L. Cantalini, C. Agnoli, S. Granozzi, G. Sadek, A. Z. Kalantar-zadeh and K. Wlodarski, Sens. Actuators B, 143, 567 (2010).
DOI
ScienceOn
|
3 |
Y. J. Yong, and J. Y. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 390 (1997).
DOI
ScienceOn
|
4 |
D. Y. Wang, Y. Nagahata, M. Masuda, and Y. Hayashi, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 3092 (1996).
DOI
ScienceOn
|
5 |
T. Hsiosaki, K. Harada, and A. Kawabata, Jpn. J. Appl. Phys., 21, 69 (1982).
DOI
|
6 |
J. H. Bang, D. H. Chang, S. J. Kang, D. G. Kim, and Y. S. Yoon, J. Inst. Electro. Engi. Kor. SD, 43, 1 (2006).
|
7 |
J. Yang, C. Wang, X. Yan, K. Too, B. Lin, and Y. Fan, Appl. Phys. Lett., 62, 2790 (1993).
DOI
ScienceOn
|
8 |
H. Takikawa, N. Kawakami, and T. Skakibara, Surf. Coat. Tech., 120-121, 383 (1999).
DOI
ScienceOn
|
9 |
M. Ishihara, H. Yumoto, T. Tsuchiya, and K. Akashi, Thin Solid Films, 281-283, 321 (1996).
|
10 |
M. Ishihara, S. J. Li, H. Yumoto, K. Akashi, and Y. Ide, Thin Solid Films, 316, 152 (1998).
DOI
ScienceOn
|
11 |
F. Takeda, R. Takihashi, and T. Mori, Trans. IECE, 101-A, 483 (1980).
|
12 |
F. Takeda, T. Mori, and T. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., 20-3, 169 (1981).
|
13 |
C. S. Oh and C. S. Han, Korean J. Met. Mater., 50, 78 (2012).
DOI
ScienceOn
|
14 |
T. Shiosaki, T. Yamamoto, T. Oda, K. Harada, and A. Kawabata, Jpn. J. Appl. Phys., 20-3, 149 (1981).
|