Salmonella spp. are gram-negative flagellated bacteria that cause a variety of diseases in humans and animals, ranging from mild gastroenteritis to severe systemic infection. To explore development of a potent vaccine against Salmonella infections, the gene encoding outer membrane protein L (ompL) was inserted into the swinepox virus (SPV) genome by homologous recombination. PCR, western blot, and immunofluorescence assays were used to verify the recombinant swinepox virus rSPV-OmpL. The immune responses and protection efficacy of rSPV-OmpL were assessed in a mouse model. Forty mice were assigned to four groups, which were immunized with rSPV-OmpL, inactive Salmonella (positive control), wild-type SPV (wtSPV; negative control), or PBS (challenge control), respectively. The OmpL-specific antibody in the rSPV-OmpL-immunized group increased dramatically and continuously over time post-vaccination, and was present at a significantly higher level than in the positive control group (p < 0.05). The concentrations of IFN-γ and IL-4, which represent Th1-type and Th2-type cytokine responses, were significantly higher (p < 0.05) in the rSPV-OmpL-vaccinated group than in the other three groups. After intraperitoneal challenge with a lethal dose of Salmonella typhimurium CVCC542, eight out of ten mice in the rSPV-OmpL-vaccinated group were protected, whereas all the mice in the negative control and challenge control groups died within 3 days. Passive immune protection assays showed that hyperimmune sera against OmpL could provide mice with effective protection against challenge from S. typhimurium. The recombinant swinepox virus rSPV-OmpL might serve as a promising vaccine against Salmonella infection.
We report the surface photovoltage (SPV) properties of $In_{0.49}Ga_{0.51}P$/GaAs heterostructure grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The SPV measurements were studied as a function of modulation beam intensity, modulation frequency and temperature. From a line shape analysis of room temperature derivative surface photovoltage (DSPV) spectrum, the band gap energies for GaAs and $In_{0.49}Ga_{0.51}P$ transitions were 1.400 and 1.893 eV respectively. The surface photovoltage (SPV) increases with increasing the light intensity and temperature, whereas the SPV decreases with increasing the modulation frequency. From the temperature variation of the energy gaps, we have analysis by both Varshni and Bose-Einstein type expressions.
Poultry and poultry products have been implicated as a major source of Salmonella infection in human, and infection due to Salmonella serotypes continue to be a major health problem. The presence of two virulence genes, invA and spvC, in 34 Salmonella isolates obtained from duck farms was investigated. All isolates contained the invA gene, and spvC gene was found in 20 (58.8%) of 34 Salmonella isolates : S. Typhimurium (n=8), S. Fyris (n=5), S. Enteritidis (n=3), S. Typhimurium var. copenhagen (n=1), S. Haardt (n=1) and S. Mbandaka (n=1). This study showed the presence of the spvC gene was widely distributed in between different Salmonella enterica isolates.
Transactions of the Korean Society of Pressure Vessels and Piping
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v.10
no.1
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pp.31-36
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2014
For decreasing an unexpected shutdown of Nuclear Power Plants, Korea Hydro & Nuclear Power co.(KHNP) has developed Single Point Vulnerability(SPV) of NPPs since 2008. SPV is the equipment that cause reactor shutdown & turbine trip or more than 50% power rundown due to its malfunction. New type Nuclear Power Plants need to develop the SPV list, so performed the SPV selection for about 1 year. To develop this, Failure Mode Effect Analysis(FMEA) methods are used. As results of FMEA analysis, about 700 equipment are selected as SPV. Thereafter those are going to be applied to new type Nuclear Power Plants to enhance equipment reliability.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.61
no.4
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pp.509-512
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2012
For decreasing an unexpected shutdown of Nuclear Power Plants, Korea Hydro & Nuclear Power co.(KHNP) has developed Single Point Vulnerability(SPV) of NPPs since 2008. SPV is the equipment that cause reactor shutdown & turbine trip or more than 50% power rundown due to its malfunction. Newly built Nuclear Power Plants need to develop the SPV list, so performed the job which analyse equipment failure effect for SPV selection for 1 year. To develop this, Failure Mode Effect Analysis(FMEA) and Fault Tree Analysis(FTA) methods are used. As results of this analysis, about 900 equipment are selected as SPV. Thereafter those are going to be applied to Nuclear Power Plants to enhance equipment reliability.
Solar Photovoltaics (SPV) In India has become an important renewable source of energy particularly for rural and remote areas. The vastness of the country and the requirements of electricity in far-flung villages makes SPV very attractive, with inherent technological advantages providing additional boost. This has been recognized very early by Govt. Of India and Ministry of Non-Conventional Sources of Energy (MNES) has been entrusted with promoting SPV usage in the country. Rural electrification through SPV systems is one of the programmes which is expected to provide fillip to PV industry in the country. PV Industry in India is very well established with capability of solar cell fabrication and module fabrication as well as Balance of System design and fabrication. There several R&D groups in the academic institutions who are involved in improving solar cells efficiency, thin film solar cells and PV instrumentation. Thus, India provides a ready market for large scale utilization of solar energy through SPV technology.
For the purpose of reducing the plant trip/transient by the failure of a single component during plant operation or maintenance, the list of critical components with Single Point Vulnerability (SPV) on KSNP (Korean Standard Nuclear Power Plant), the standardized methodology of SPV evaluation and the plan to improve reliability of the equipment have been established. In addition, SPV component lists for the other domestic operating Nuclear Power Plants have been made, and the proper procedure for SPV management will be developed.
Joe Iwanaga;Eric Pineda;Yusuke Miyamoto;Grzegorz Wysiadecki;Samir Anadkat;R. Shane Tubbs
Anatomy and Cell Biology
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v.56
no.2
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pp.200-204
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2023
Although in counterpart, the sphenopalatine artery (SPA), has been well described in the medical literature, the sphenopalatine vein (SPV) has received scant attention. Therefore, the present anatomical study was performed. Additionally, we discuss the variations, embryology, and clinical significance of the SPV. Adult cadaveric specimens underwent dissection of the SPV. In addition, some specimens were submitted for histological analysis of this structure. The SPV was found to drain from the sphenoidal sinus and nasal septum. Small tributaries traveled through the nasal septum with the posterior septal branches of the SPA and nasopalatine nerve. The SPA and SPV were found to travel through the sphenopalatine foramen and another tributary was found to perforate the medial plate of the pterygoid process and to connect to the pterygoid venous plexus which traveled lateral to the medial plate of the pterygoid process. The vein traveled through the posterior part of the lateral wall of the nasal cavity with the posterior lateral nasal branches of the SPA and the lateral superior posterior nasal branches of the maxillary nerve. To our knowledge, this is the first anatomical study on the SPV in humans. Data on the SPV provides an improved anatomical understanding of the vascular network of the nasal cavity. Developing a more complete picture of the nasal cavity and its venous supply might help surgeons and clinicians better manage clinical entities such as posterior epistaxis, cavernous sinus infections, and perform endoscopic surgery with fewer complications.
We have investigated characteristics of ZnSe epilayer grown by molecular beam epitaxy(MBE) on semi-insulating(SI) GaAs by using surface photovoltage(SPV). The measurements of SPV were performed with illumination intensity and modulation frequency. The bandgap energy of ZnSe epilayer was determined from derivative surface photovoltage (DSPV). The five states were observed at room temperature(RT), and those states relate to the impurity and defect formed hetero-interface of ZnSe and GaAs during the sample growth. The observed states represented as a tendency of typical extrinsic transition on the increasing illumination intensity. The 1s and 2s signals related to the excitonic absorption were not observed at RT, but those were presented with the splitted of two peaks in the SPV at 80 K. From the modulation frequency dependence, we obtained the junction conductance and capacitance of the sample.
We measured surface photovoltage (SPV) of $Al_{0.24}Ga_{0.76}As/GaAs$ epilayer grown by molecular beam epitixy (MBE). The band gap energies of $Al_{0.24}Ga_{0.76}As/GaAs$ epilayer, GaAs substrate and buffer layer obtained from SPV signals are 1.70, 1.40 and 1.42 eV, respectively. There results are in good agreements with photoreflectance (PR) measurement. The measured SPV intensity of GaAs substrate is three times larger than $Al_{0.24}Ga_{0.76}$Asepilayer by carrier mobility difference. The parameters of Varshni equation were determined from the SPV spectra as a function of temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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