• 한국세라믹학회지
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• 제43권10호
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• pp.660-665
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• 2006

The mechanical properties of $Al_2O_3$-SiC composites manufactured with adding various amount and size of SiC particles have been measured and analyzed. Generally, the elastic modulus of the composites shows about 50% less than that of PL-8 (45 wt% $Al_2O_3$-51 wt% $SiO_2$-4 wt% other oxides), but the flexural strength is similar with each other. The impact resistance property of $Al_2O_3$-SiC composite against high velocity copper jet was lower than that of PL-8 when SiC particles of approximately 3 $\mu$m diameter was added to. It is caused probably due to the micro-pores made by oxidation of SiC particles. However, in the case of the less-weighted $Al_2O_3$-SiC composite adding to 10 wt% SiC with average diameter of 10 $\mu$m and sintering at 1200$^{\circ}C$, the impact resistance property was improved up to 37 percent compared with that of PL-8.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권3호
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• pp.274-283
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• 1999

1.1-nm tobermorite의 수열합성에 SiO2원으로 zeolite광물을 출발물질로하여 소석회와 Ca(Si+Al)의 몰비 0.8~1.0로 150$^{\circ}$~23$0^{\circ}C$,8~48시간 동ㅇㄴ 포화증기압하에서 수열반응을 시킨 결과, 반응초기단계에서 tobermorite가 생성되었고, 고결정성 1.1-nm tobermorite의 최적합성조건은 0.8몰, 23$0^{\circ}C$, 48시간이었다. 출발물질중 Al의 존재로 tobermorite는 Ca/(Si+Al)몰비 0.8이 1.0보다 결정화가 급속히 이루어지고 있으나 Al를 함유치 않은 석영의 경우에는 Ca/Si 몰비 1.0이 0.8에서 보다 결정화가 빠르게 진행되었다 1.1-nm tobermorite는 $700^{\circ}C$에서 일주일간 가열처리하여도 저면간격이 변화하지 않는 열적거동이 이상형임을 보여주었다. 특히 출발물질중 Al의 존재는 1.1-nm tobermorite의 결정화와 안정화를 촉진시켜주며 Al이온이 tobermorite구조중의 Si이온과 동형치환을 한다.

• 공업화학
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• 제4권2호
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• pp.291-299
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• 1993

생석회-규사-수계 및 시멘트 슬러지-규사-수계에서 1.13nm tobermorite를 수열합성하였다. 생석회-규사-수계의 경우 반응온도 $180^{\circ}C$, $CaO/SiO_2$의 몰비 0.4, 0.8에서 공히 양질의 tobermorite($5CaO{\cdot}6SiO_2{\cdot}5H_2O:C_5S_6H_5$)가 형성되었으나 $CaO/SiO_2$의 몰비 0.4일 때는 반응시간 6시간에서, 0.8일 때는 4시간에서 결정전이 현상이 관찰되었다. 그러나 시멘트 슬러지를 생석회 대신 전량 사용한 시멘트 슬러지-규사-수계는 동일한 몰비에서 반응시간 10시간 이내에 결정전이 현상이 나타나지 않았는데 이는 시멘트 슬러지로부터 용출되어 나온 알루미늄 이온의 지연작용으로 판단되며 생석회-규사-수+알루미늄계에서 확인되었다. 알루미늄 분말의 첨가량이 0.8에서 3.0%로 증가함에 따라 결정은 보다 넓고 평평하게 형성되었다. 또한 동일한 반응시간 내에서 재결정화 현상이 관찰되지 않았다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.367-372
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• 2000

$SiO_2$/Si 기판과 비정질 slide glass 기판 위에 대향타겟식스퍼터법(FTS법)을 이용하여 sputtering current 0.1~0.8 A, 방전 가스압 0.5~3mTorr, 기판온도 R.T~$400^{\circ}C$에서 ZnO 박막을 증착하였다. sputtering current 0.4 A, 가스압력 0.5 mTorr, 기판온도 30$0^{\circ}C$에서 증착된 ZnO/glass 박막과 ZnO/$SiO_2$/Si 박막의 $\Delta\theta_{50}$은 $3.8^{\circ}$와 $2.98^{\circ}$를 각각 나타내었다. 이러한 조건에서 FTS법은 비정질 slide glass 기판 위에서도 우수한 c-축 배향성을 갖는 ZnO 박막을 제작할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.115-120
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• 2006

MEMS 소자의 접합과 패키징에 Pb free solder를 사용하게 됨에 따라 발생하는 문제들로 인하여 보다 쉽고 간편하게 hermetic이 유지될 수 있는 방법을 검토하게 되었다. 따라서 본 연구는 epoxy 계통의 negative PR인 XP SU-8 3050 NO-2를 접착제로 사용 시 Si시편/ 유리기판, Si시편/LTCC기판에서 hermetic 특성의 고찰이 목적이다. Si시편/유리기판과 Si시편/LTCC기판의 접합 계면에 접착제로 negative PR을 토출하고 활성화 공정조건을 행한 시편들에서 hermetic이 얻어졌다. Si시편/유리기판의 leak rate는 $5.9{\times}10^{-8}mbar-1/sec$로 접합방법에 따른 영향은 없었으며, Si시편/LTCC 기판에서 leak rate는 $4.9{\times}10^{-8}mbar-1/sec$로 Si시편/유리기판과 비슷하였다. 향후 He leak rate를 개선하기 위해서는 LTCC 기판을 가공하여 PR 흐름방지 턱을 만들고, UV expose 에너지를 높이고 ($400mj/cm^2$ 조사), 시린지/기판의 gap 조절을 자동화 할 수 있는 vision system이 부착된 장비를 사용하면, 보다 낮은 leak rate 값을 얻을 수 있어 우수한 hermetic이 유지된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권6호
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• pp.685-696
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• 1995

The most important techniques in the synthesis of SiC/C function gradient material (FGM) are to control the SiC/C ratio and to obtain the moderate deposition rate. For these, various gas systems and flow rates were attempted and evaluated. It turned out that the CH4＋SiCl4＋H2 system was suitable for the deposition of SiC-rich layers, the C3H8＋SiCl4＋Ar system for the deposition of carbon-rich layers, and the C3H8＋SiCl4＋H2＋Ar system was good to deposit the layers between them.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.386-388
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• 1996

Low dielectric constant fluorinated oxide (SiOF) films were deposited using SiF$_4$/O$_2$/SiH$_4$mixtures by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR CVD). Chemical composition of SiOF films was investigated by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-lR). The fluorine content in the SiOF film observed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The dielectric constant decreased with increasing of the SiF$_4$ flow rate about 8sccm. The SiOF film, deposited with SiF$_4$=8 sccm, exhibited a F content of 5 atomic % and a relative dielectric constant 3.45. For evaluating SiOF films stability, humidity tests were performed.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권10호
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• pp.1-7
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• 2004

SOI 구조에서 형성된 MOS 트랜지스터의 장점과 strained Si에서 전자의 이동도가 향상되는 효과를 동시에 고려하기 위해 buried oxide(BOX)층과 Top Si층 사이에 Ge을 삽입하여 strained Si/relaxed SiGe/SiO₂Si 구조를 형성하고 strained Si fully depletion(FD) n-MOSFET를 제작하였다. 상부 strained Si층과 하부 SiGe층의 두께의 합을 12.8nm로 고정하고 상부 strained Si 층의 두께에 변화를 주어 두께의 변화가 electron mobility에 미치는 영향을 분석하였다. Strained Si/relaxed SiGe/SiO2/Si (strained Si/SGOI) 구조위의 FD n-MOSFET의 전자 이동도는 Si/SiO₂/Si (SOI) 구조위의 FD n-MOSFET 에 비해 30-80% 항상되었다. 상부 strained Si 층과 하부 SiGe 층의 두께의 합을 12.8nm 로 고정한 shrined Si/SGOI 구조 FD n-MOSFET에서 상부층 strained Si층의 두께가 감소하면 하부층 SiGe 층 두께 증가로 인한 Ge mole fraction이 증가함에 의해 inter-valley scattering 이 감소함에도 불구하고 n-channel 층의 전자이동도가 감소하였다. 이는 strained Si층의 두께가 감소할수록 2-fold valley에 있는 전자가 n-channel 층에 더욱더 confinement 되어 intra-valley phonon scattering 이 증가하여 전자 이동도가 감소함이 이론적으로 확인되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권2호
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• pp.111-114
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• 2008

We studied the influence of nanocrystalline silicon (nc-Si) thin film thickness on top gate nc-Si thin film transistor (TFT) fabricated at $180^{\circ}C$. The nc-Si thickness affects the characteristics of nc-Si TFT due to the nc-Si growth similar to a columnar. As the thickness of nc-Si increases from 40 nm to 200 nm, the grain size was increased from 20 nm to 40 nm. Having a large grain size, the thick nc-Si TFT surpasses the thin nc-Si TFT in terms of electrical characteristics such as field effect mobility. The channel resistance was decreased due to growth of the grain. We obtained the experimental results that the field effect mobility of the fabricated devices of which nc-Si thickness is 60, 90 and 130 nm are 26, 77 and $119\;cm^2/Vsec$, respectively. The leakage current, however, is increased from $7.2{\times}10^{-10}$ to $1.9{\times}10^{-8}\;A$ at $V_{GS}=-4.4\;V$ when the nc-Si thickness increases. It is originated from the decrease of the channel resistance.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권1호
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• pp.46-54
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• 1993

$\beta$-SiC was chemically vapor deposited by pyrolysis of MTS＋H2 gas mixture. The experiments were conducted in the temperature range of 1100~150$0^{\circ}C$ with a r.f. induction furnace under atmospheric pressure. The IR, XRD, EDS and AES analysis revealed that the free Si was always codeposited with SiC below 140$0^{\circ}C$, regardless of the total flow rate and MTS concentration, whereas $\beta$-SiC single phase was deposited at 150$0^{\circ}C$. C3H8 or CH2Cl2 as an excess C sources, was supplied with MTS in order to obtain stoichiometric SiC at low temperature. With the addition of C3H8 or CH2Cl2, the deposition rate was increased and $\beta$-SiC single phase could be deposited even at temperature as low as 110$0^{\circ}C$. In the absence of C3H8 or CH2Cl2, the microhardness of the layer was quite low (